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[实用新型]均匀性高的蚀刻装置-CN202123097123.6有效
发明人：郭达文;许青云;曾龙;郭永昌 -专利权人：江西红板科技股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：一种均匀性高的蚀刻装置，其包括蚀刻槽、喷淋装置、吸液装置及传送装置，所述传送装置设置于蚀刻槽上方，其用于对待蚀刻产品进行传送。所述喷淋装置分别设置于传送装置的上下两侧，以对产品的上下表面进行喷淋蚀刻液，所述吸液装置设置于传送装置的外侧，以用于吸取产品上的余液。本实用新型通过设置喷淋装置、预喷淋区、喷淋区、虹吸吸液装置对产品进行表面喷淋及吸液回收，有效减少了水池效应的产生，提高了蚀刻的均匀度，且提高了蚀刻液回收利用率。本实用新型的实用性强，具有较强的推广意义。
均匀蚀刻装置

[发明专利]具有均匀性控制的蚀刻-CN200580038231.0无效
发明人： S·卡瓦古基;K·塔克施塔 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：蚀刻层形成在晶片上面。光刻胶掩模形成在蚀刻层上面。仅环绕晶片外边缘的光刻胶掩模被除去，以暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层。包括含碳和氢物种的沉积气体被提供。从沉积气体形成等离子体。聚合物层被沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上，其中聚合物由从沉积气体形成的等离子体形成。蚀刻层蚀刻通过光刻胶掩模，同时消耗沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上的光刻胶掩模和聚合物。
具有均匀控制蚀刻

[发明专利]IC封装基板蚀刻能力及蚀刻均匀性的评估及改善方法-CN202110814838.4在审
发明人：李君红;付海涛;查晓刚;彭增;张军;鲍海莲 -专利权人：上海美维科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种IC封装基板蚀刻能力及蚀刻均匀性的评估及改善方法，评估方法包括提供待评估基板，进行蚀刻线速选择，形成蚀刻掩膜层，在蚀刻线速下采用不同蚀刻条件蚀刻铜箔，获取蚀刻深度及横向蚀刻量，基于测量值评估蚀刻能力及均匀性在印刷线路板及IC封装基板生产领域，本发明可以基于简单的方式同时进行蚀刻能力和蚀刻均匀性的评估，并可以有效的判断出影响蚀刻能力及蚀刻均匀性的因素，还可以进一步有针对性的进行蚀刻能力及蚀刻均匀性的改善，此外，还可以对印刷线路板的局部区域进行对应的选择性改善，有利于提升线路的蚀刻效果，有利于提升减成法制作精细线路的能力。
ic 封装蚀刻能力均匀评估改善方法

[实用新型]可改善蚀刻均匀性的PCB板蚀刻机-CN201520482939.6有效
发明人：钟红生;李伟章;曾巨湘;张由春 -专利权人：深圳市翔宇电路有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可改善蚀刻均匀性的PCB板蚀刻机，包括：蚀刻机本体、蚀刻补偿段、若干喷孔、若干阀门、控制箱、蚀刻液药水缸及感应探头，所述控制箱控制所述若干阀门的打开或关闭状态，以控制所述若干喷孔喷淋蚀刻液本实用新型通过在现有的PCB板蚀刻机增加蚀刻补偿装置，该蚀刻补偿装置根据PCB板板面的长宽大小，对于PCB板中间不容易蚀刻的区域和板边容易过蚀的区域有针对性地控制蚀刻液的喷淋长度，以达到补偿蚀刻的目的，经过补偿蚀刻的PCB板可以做到3-4mil精密路线，线宽可以控制在±10%左右的公差，铜厚均匀性偏差由原来10μm左右降低到2μm左右，提升走线边缘的光洁度，提升产品品质。
改善蚀刻均匀 pcb

[发明专利]改善蚀刻率均匀性的技术-CN200810085234.5有效
发明人： J·E·道赫尔蒂;N·本亚明;J·波加特;V·瓦赫蒂;D·科珀博格;A·米勒;Y·亚马古赤 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-06-29 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开用于等离子体处理系统中离子辅助蚀刻处理的改进方法和装置。根据本发明的不同方面，公开了抬升边环，槽形边环和RF耦合边环。本发明有利于改善整个衬底(晶片)的蚀刻率均匀性。由本发明提供的蚀刻率均匀性的改善不仅提高了制造产额，而且成本效率高，并且不要冒粒子和/或重金属沾污的风险。
改善蚀刻均匀技术

[发明专利]蚀刻机的蚀刻均匀性检测方法、装置、设备及存储介质-CN202210762621.8在审
发明人：李勇;谢斐;张文召;张千 -专利权人：珠海中京电子电路有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻机的蚀刻均匀性检测方法、装置、设备及存储介质，该方法至少包括以下步骤：通过蚀刻机对预设尺寸的覆铜板进行蚀刻；获取蚀刻后的覆铜板上的多组线宽和线距；计算多组线宽/线距的Cpk，其中，Cpk表示制程能力指数；将覆铜板划分为预设区域，每个区域中收集30组Cpk，并判断多组Cpk的值是否在预设范围，若每个Cpk均≥1.33，则所述蚀刻机的均匀性良好。本申请提供的上述方案，通过获取线宽/线距的Cpk，然后利用Cpk‑即制程能力指数来判断蚀刻机的蚀刻均匀性，从而可以更加科学的测量处蚀刻机的蚀刻均匀性能力，进而更好的了解到设备的现况。
蚀刻均匀检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液-CN202111544337.5有效
发明人：张庭;李金航;贺兆波;武昊冉;李鑫;欧阳克银;蒋瑜瑜 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入表面活性剂，表面活性剂具有优良的润湿性且低泡，能够降低蚀刻液的接触角大小，提高蚀刻液浸润性，同时降低表面张力，使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好，由于产生气泡量少，能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题，保持均匀蚀刻。本发明所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少，能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜，不产生二氧化硅残留，且对光刻胶无影响。
一种蚀刻均匀

[发明专利]一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液-CN201911088498.0在审
发明人：李少平;张庭;郝晓斌;贺兆波;冯凯;王书萍;尹印;万杨阳;张演哲 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，其蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总重量≥88%的磷酸、0.01‑10%的醇醚类、0.001‑2%的表面活性剂。本蚀刻液中的醇醚类能够改善蚀刻液的浸润性，表面活性剂能够降低蚀刻液的表面张力。相对传统的仅使用磷酸作为蚀刻液相比，本发明中的蚀刻液浸润性优、表面张力低，对氮化硅层具有低接触角，可明显提高蚀刻液对氮化硅层的润湿性和蚀刻均匀性。
一种提高氮化蚀刻均匀酸性

[发明专利]通过硅片自旋转及振荡机构改善蚀刻率的测试方法-CN201610821134.9在审
发明人：赵晗;江献茂 -专利权人：冠礼控制科技（上海）有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过硅片自旋转及振荡机构改善蚀刻率的测试方法，包括以下步骤：1)将蚀刻制程槽补液到规定液位，进行制程槽化学液加热，加热时保证化学液在循环管路上利用石英在线式加热器进行加热；2)从25片硅片中随机抽取6片，在每一片上标记13个测试点，测量蚀刻前的厚度；将测试片分别置于上货区，自动机械手臂夹取至蚀刻制程槽，蚀刻后移至DI清洗槽；3)在原先标记的13个测试点测试硅片厚度，得硅片被蚀刻掉的厚度，计算得到每一点的蚀刻速率，从而计算得到每一片硅片的蚀刻均匀性，进而计算6片测试片的蚀刻均匀性；本发明对蚀刻均匀性有比较明显的改善，并且不同的上下振荡速率及硅片旋转速率对蚀刻均匀性有比较明显的影响。
通过硅片旋转振荡机构改善蚀刻测试方法

[发明专利]一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法-CN202110708889.9有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
一种兼容性 ito 蚀刻制备方法

[发明专利]制备核孔膜的装置及方法-CN201811604979.8在审
发明人：王建中;吕晓莉 -专利权人：上海谷奇核孔膜科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备核孔膜的装置及方法，利用传输部件将经重离子辐照后具有潜径迹的一原始薄膜运输至喷淋部件的相对位置，利用喷淋部件对具有潜径迹的原始薄膜的待蚀刻表面进行喷淋蚀刻，将蚀刻液喷淋在原始薄膜的待蚀刻表面，使得潜径迹被蚀刻成孔，从而形成核孔膜。本发明利用喷淋方式在原始薄膜上形成目标孔径，提高了蚀刻液的均匀性和流动性，有效提高了刻蚀均匀性，最终能够得到微孔分布均匀且孔径均匀的核孔膜。
原始薄膜核孔膜径迹喷淋蚀刻喷淋部件蚀刻表面蚀刻液制备刻蚀均匀性重离子辐照传输部件目标孔径微孔分布均匀性成孔运输

[实用新型]一种湿法蚀刻装置-CN202220484817.0有效
发明人：李瑞评;郑贤良;曾柏翔;张佳浩;林明顺 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，提供了一种湿法蚀刻装置，湿法蚀刻装置的刻槽包括外槽及内槽，内槽设置在外槽中，内槽设置为上方开口的结构，用于容纳待蚀刻的衬底，并且内槽的上表面低于外槽的上表面，蚀刻过程中，外槽中的蚀刻溶液的液面低于内槽的上表面，内槽中充满蚀刻液，内槽内的蚀刻液自上方开口溢出至外槽，循环泵将外槽中的蚀刻溶液抽回至内槽，实现蚀刻液的循环流动，提升蚀刻液的均匀性，同时蚀刻溶液与衬底表面形成相对运动，降低纵向蚀刻与横向蚀刻的蚀刻速率差异。支撑结构设置为沿内槽的高度方向可上下移动，并且可以带动衬底360°旋转，使蚀刻溶液浓度分布均匀化及温场的均匀性，提升不同位置蚀刻的速率及性能均性化。
一种湿法蚀刻装置

[发明专利]模版掩模及模版掩模的形成方法-CN00129585.3无效
发明人：小场文博 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2001-04-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种模版掩模在模版掩模制作用的SOI基板的硅绝缘膜11之下形成高浓度含硼硅层21和低浓度含硼硅层22,用KOH溶液等碱溶液进行湿性蚀刻。通过高浓度含硼硅层21的作用抑制蚀刻率的不均匀性,谋求均匀化。按这种模版掩模及其形成方法提高在从模版掩模的背面进行蚀刻(背蚀刻)时晶片面内的蚀刻率的均匀性并提供模样位置精度高的模版掩模。
模版形成方法

[发明专利]生产防眩光表面的设备和方法-CN201680005097.2在审
发明人：陈柏峰;陈海星;陈玲;贡浩飞;侯军 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种用于生产防眩光表面的设备，其包括蚀刻霜浸渍罐和布置成接收蚀刻霜浆料的子罐。泵送单元与蚀刻霜浸渍罐和子罐流体连接，从而使得可以对泵送单元进行操作，以在子罐中对蚀刻霜浆料进行选择性自循环以改善蚀刻霜的均匀性，并将一定体积的均匀化的蚀刻霜从子罐转移到蚀刻霜浸渍罐。
生产眩光表面设备方法

[发明专利]一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法-CN201810695167.2在审
发明人：李雄仔;贺波;蒋善刚;文国堂 -专利权人：奥士康精密电路（惠州）有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法。该方法包括如下步骤：（1）对半成品PCB进行镀铜，得到厚铜板；（2）对得到的厚铜板在加热条件下进行酸性蚀刻，得到酸性蚀刻的厚铜板。本发明方法通过有效控制镀铜均匀性、蚀刻均匀性、蚀刻因子及酸性蚀刻工艺，实现了厚铜板酸性蚀刻的稳定性，生产的酸性蚀刻的厚铜板良率高、报废少，有效降低PCB生产成本。
酸性蚀刻厚铜板蚀刻镀铜均匀性蚀刻均匀性加热条件有效控制镀铜良率生产半成品报废

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