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[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器-CN201310546047.3有效
发明人：田宇植;具永谟;李敏宇;李在九 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器。根据一示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：基板；置于基板上的薄膜晶体管；连接到薄膜晶体管的第一电极；以及置于基板和薄膜晶体管之间的衍射层。衍射层置于薄膜晶体管的半导体的边界线内。
薄膜晶体管阵列面板有机发光二极管显示器

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板-CN201610452464.5有效
发明人：梁博;王选芸 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。该薄膜晶体管阵列基板包括：基板，以及形成于基板上的硅薄膜晶体管、半导体氧化物晶体管和电容。其中，硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管具有相同的顶栅结构，从而可以兼容硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管制程，减少光刻胶掩膜板的使用次数，进而减少薄膜晶体管阵列基板的生产成本。另外，电容和硅薄膜晶体管或半导体氧化物晶体管重叠设置，从而可以大大增加底发射的OLED的开口率。
一种薄膜晶体管阵列液晶面板

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910331159.4在审
发明人：徐尚君;王鸣昕;王利忠;王怀佩;舒扬;周刘飞;王志军 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提出了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域；该阵列基板包括多层薄膜晶体管和平坦化层，多层薄膜晶体管包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，平坦化层位于第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之间；其中第一薄膜晶体管的公共电极和第二薄膜晶体管的栅极采用同一层透明导电材料形成；本发明所提出的阵列基板在同一投影区域内设置至少两颗层叠的薄膜晶体管，使得显示器在实现像素自驱动、超窄边框等功能的同时，维持较大的像素开口率；并由同一层透明导电材料形成第一薄膜晶体管的公共电极和第二薄膜晶体管的栅极
薄膜晶体管阵列基板透明导电材料多层薄膜公共电极同一层晶体管像素开口率超窄边框平坦化层投影区域自驱动显示器光罩化层像素制造节约

[发明专利]传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件-CN202211155520.0在审
发明人：王超璐;关峰;崔钊;曹永刚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种传感器的阵列基板母板、阵列基板及制作方法、压电器件，阵列基板母板包括阵列基板区和围绕阵列基板区的周边区，阵列基板区包括衬底基板和多组薄膜晶体管，每组薄膜晶体管至少包括复位薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、信号放大薄膜晶体管和读取薄膜晶体管；在远离衬底基板的方向设置多个ITO搭接块；每个ITO搭接块均与复位薄膜晶体管或开关薄膜晶体管的源极或漏极电连接；阵列基板区的周边区设有多个位于衬底基板第一侧的极化pad；ITO搭接块与极化pad电连接并接地；阵列基板区还包括沿远离衬底基板方向依次设置的压电层和发射电极，压电层和发射电极覆盖感应区的薄膜晶体管，发射电极用于与高压电源电连接，以对压电层极化。
传感器阵列母板制作方法压电器件

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置-CN202310791323.6在审
发明人：杨静;张慧娟;盖人荣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括：基板，第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层位于所述基板的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；聚合物隔层，所述聚合物隔层位于所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧；第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管位于所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；其中，至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔电连接。
阵列及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板以及显示面板-CN201910509298.1在审
发明人：宋振莉 -专利权人：重庆惠科金渝光电科技有限公司;北海惠科光电技术有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括画素单元，画素单元包括多个画素子单元；薄膜晶体管组，每个画素子单元对应连接一组薄膜晶体管组，薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及与第二薄膜晶体管连接的第三薄膜晶体管；多条数据线以及多条扫描线；其中，薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管均具有通道，通道的宽度值为W，长度值L，连接同一条数据线的画素子单元，按照逐渐远离数据线的驱动端的顺序，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的宽度值本申请通过调节阵列基板上不同位置的薄膜晶体管组的通道大小，来实现大视角情况下不同位置的颜色的均一性，改善显示效果。
薄膜晶体管阵列基板数据线子单元画素画素单元显示面板多条扫描显示效果逐渐增大大视角均一性申请驱动

[发明专利]有源式有机电致发光器件背板及其制作方法-CN201310410909.X有效
发明人：徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板及其制作方法，所述器件背板包括：基板（20）、设置在基板（20）上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设置在有源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层（228）、有机电致发光电极（229）、像素定义层（25）及支撑体（28），每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶体管（22）及开关薄膜晶体管（24），驱动薄膜晶体管（22）的栅极绝缘层（220）的厚度大于开关薄膜晶体管（24）的栅极绝缘层（240）的厚度，通过加厚驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层，以降低驱动薄膜晶体管的栅极电容，进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以很好的定义灰阶，同时保持开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度不变，使开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅保持较小
有源有机电致发光器件背板及其制作方法

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921788056.2有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本实用新型实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
阵列显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201710389344.X有效
发明人：邢磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板中开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极，有源层均设置于基底上，开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层，设置于有源层和裸露的基底上；开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极设置于平坦化栅绝缘层上。本发明工艺简单，可以提高阵列基板的制作效率。
一种阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201610665990.X在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，以在薄膜晶体管受到光照时，避免薄膜晶体管的漏电流增加，从而提高薄膜晶体管的稳定性。该薄膜晶体管中设有遮光层，遮光层用于遮挡薄膜晶体管中被栅极层反射到有源层的光线；遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极层与栅极绝缘层之间；或，遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层内。上述阵列基板包括上述技术方案所提的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管用于显示装置中。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]发光基板、背光模组及显示面板-CN201911038638.3在审
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请提供一种发光基板、背光模组及显示面板，所述发光基板包括：阵列基板、发光元件和遮光单元，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于驱动发光元件发光的薄膜晶体管；所述发光元件设置在所述阵列基板上，且与所述薄膜晶体管电性连接；所述遮光单元与所述薄膜晶体管的有源层对应设置，所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层于所述阵列基板所在平面的正投影。本申请通过将遮光单元与有源层对应设置，以遮光单元来遮蔽射向有源层的光线，从而提高了薄膜晶体管器件的性能。
遮光单元阵列基板薄膜晶体管源层发光元件薄膜晶体管阵列层发光基板所在平面正投影薄膜晶体管器件背光模组电性连接显示面板遮蔽申请发光驱动覆盖

[发明专利]TFT阵列基板及OLED面板-CN201910776539.9在审
发明人：张锋;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板及OLED面板。所述TFT阵列基板包括：显示区，所述TFT阵列基板包括：衬底；驱动薄膜晶体管，设置于所述衬底上并且位于所述显示区，所述驱动薄膜晶体管包括多晶硅半导体层；以及开关薄膜晶体管，设置于所述衬底上并且位于所述显示区，所述开关薄膜晶体管电性连接所述驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括氧化物半导体层。
开关薄膜晶体管驱动薄膜晶体管显示区衬底多晶硅半导体层氧化物半导体层电性连接

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板-CN201710010837.8在审
发明人：唐叶 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，使开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管具有不同的电特性。包括：采用非晶化半导体形成有源区；在形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的过程中，使开关薄膜晶体管沟道形成区域与基板间的绝缘层厚度大于驱动薄膜晶体管沟道形成区域与基板间绝缘层的厚度；将开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区由非晶化转变为晶化本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，通过控制开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管沟道下方的绝缘层的厚度，改变不同类型薄膜晶体管在晶化过程中的晶粒结构从而改变迁移率，进而控制相应类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅，最终实现不同特性的薄膜晶体管，提升显示器件的品质。
驱动薄膜晶体管开关薄膜晶体管薄膜晶体管绝缘层薄膜晶体管阵列基板显示面板沟道形成区域非晶化基板源区制造半导体形成亚阈值摆幅晶化过程晶粒结构显示器件电特性迁移率沟道晶化

[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510524252.9在审
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，从而使得该薄膜晶体管具有较高的稳定性。一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源漏金属层图案，该薄膜晶体管还包括：覆盖所述源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，且所述金属氧化物绝缘层与所述源漏金属层图案相接触。本发明适用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板、以及包括该阵列基板的显示装置的制作。
薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]有机发光二极管阵列基板及显示装置-CN201910290901.1有效
发明人：彭锦涛;牛亚男;彭宽军;郭凯;秦斌;李小龙;滕万鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了有机发光二极管阵列基板及显示装置。该阵列基板包括：基板，基板上限定有补偿电路区，补偿电路区设置有多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，多个第一薄膜晶体管的沟道长度相同，第二薄膜晶体管的沟道长度与第一薄膜晶体管的沟道长度不同，第一薄膜晶体管的第一电极靠近基板设置，第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极之间具有第一层间介电层，第一薄膜晶体管的有源层位于第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极远离基板的一侧；第二薄膜晶体管的有源层设置在基板上，第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极同层设置，且位于第二薄膜晶体管的有源层远离基板的一侧。由此，可以有效提升应用该阵列基板的显示装置的分辨率以及像素密度。
有机发光二极管阵列显示装置