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[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202011171343.6在审
发明人：艾飞;舒照伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板，阵列基板的显示区包括多个第一薄膜晶体管组件和多个第二薄膜晶体管组件，第一薄膜晶体管组件包括至少一个多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管组件包括至少一个非晶氧化物半导体薄膜晶体管；多个第一薄膜晶体管组件和第二薄膜晶体管组件在显示区交替分布本申请实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板显示区采用第一薄膜晶体管组件和和第二薄膜晶体管组件交替设置，而第一薄膜晶体管组件包括至少一个多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管组件包括至少一个非晶氧化物半导体薄膜晶体管；两者交替设置在阵列基板的显示区，可以同时实现高频驱动和降低阵列基板的功耗。
阵列及其制备方法

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板-CN202010299660.X在审
发明人：李勃;张明福;俞凤至;纪卢芳月;汪建平 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板。阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。可以在一道mask中同时形成第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极，从而可以减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。另外，第二薄膜晶体管的栅极设置于第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上，从而可以节省第二薄膜晶体管的缓冲层，进一步地减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。
阵列制作方法以及显示面板

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及制作方法-CN201611025995.2有效
发明人：吴天一;马骏 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及制作方法，所述阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，所述第一薄膜晶体管包含金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区。本发明通过在阵列基板显示区使用金属氧化物薄膜晶体管，在阵列基板周边电路区使用非晶硅薄膜晶体管，解决了金属氧化物薄膜晶体管无法同时满足显示面板对正偏压稳定性和阈值电压要求的问题，实现了在改善画面显示效果的同时
一种阵列显示面板制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列的制造方法-CN201210220755.3无效
发明人：王亚平 -专利权人：广州市恩正电子科技有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明所述制造方法包括以下步骤：在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列本发明提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率，降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率，并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板，由此减低大面积面板成本
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列的制造方法-CN201110203366.5无效
发明人：王亚平;张亚美 -专利权人：王亚平;张亚美
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明所述制造方法包括以下步骤：在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列本发明提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率，降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率，并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板，由此减低大面积面板成本
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201811026736.0在审
发明人：刘文渠;张锋;姚琪;吕志军;董立文;党宁;张世政;崔钊;宋晓欣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管阵列基板，包括位于衬底基板上、阵列排布的多个薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的平坦层，所述薄膜晶体管的有源层和所述平坦层之间设置有遮光层，所述遮光层覆盖所述薄膜晶体管阵列基板的全部显示区域本发明的技术方案能够保证薄膜晶体管阵列基板的产品性能。
薄膜晶体管阵列基板薄膜晶体管显示装置平坦层遮光层产品性能衬底基板显示区域阵列排布源层覆盖制作保证

[发明专利]一种阵列基板以及制作方法-CN201710153697.X在审
发明人：林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区，第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。
一种阵列以及制作方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201410852998.8在审
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶硅管或非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边区域，第二薄膜晶体管位于阵列基板的显示区域。本发明的技术方案可有效的解决多晶硅薄膜晶体管无法应用于6G以上的大尺寸显示面板的生产的问题，彻底突破准分子激光晶化工艺瓶颈的限制，有非常高的应用价值。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110822871.1有效
发明人：蒙艳红 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管层，衬底基板具有显示区和位于显示区一侧的边框区。薄膜晶体管层包括位于边框区的第一薄膜晶体管，以及位于显示区的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极电连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。通过使第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置，第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极时可通过一道光罩制程形成，由此简化了阵列基板的制作过程，降低了制作成本。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN201911013072.9在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
多晶硅薄膜晶体管金属氧化物薄膜晶体管阵列基板显示面板衬底基板大尺寸显示面板金属氧化半导体薄膜晶体管底栅结构第二区域第一区域顶栅结构技术瓶颈间隔设置像素电极分区域有效地功耗制作兼容驱动应用

[发明专利]薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器-CN201811352930.8有效
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器，该薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极。其中，该辅助源极和该辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于辅助源极和辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接；相邻的薄膜晶体管结构之间设有耦接部，该耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接上述薄膜晶体管阵列中，由于各薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。
薄膜晶体管阵列及其修复方法移位寄存器

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201310741137.8有效
发明人：任章淳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板制作工艺复杂、曝光次数多、成本高的问题。一种阵列基板，包括：多个互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型的第一薄膜晶体管和P型的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管。
一种阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置以及驱动方法-CN201710345104.X有效
发明人：张慧;林允植;韩承佑;严允晟;张舜航;韩明夫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了阵列基板、显示面板、显示装置以及驱动方法。该阵列基板包括：阵列基板衬底；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述阵列基板衬底上；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述阵列基板衬底上，其中，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管串联，且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的栅极，在垂直于所述阵列基板衬底的方向上层叠设置。该阵列基板具有以下优点的至少之一：可以实现对显示面板的分区控制，不影响利用该阵列基板的显示面板的像素开口率，阵列基板的功耗较低。
阵列显示面板显示装置以及驱动方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201210022961.3有效
发明人：李延钊;王刚;黄国东;田香军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，将这两种类型的薄膜晶体管分别设计于阵列基板的设定位置，发挥其功能特性，对比于现有技术阵列基板的单一耗尽型薄膜晶体管或单一增强型薄膜晶体管，可减少薄膜晶体管设置数量，简化电路走线，使整个阵列基板的结构大为简化，结构稳定性大大提高，阵列基板有效像素面积也得以进一步增加。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN200910078841.3有效
发明人：肖向春 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板，涉及液晶显示装置领域，用以提高液晶显示装置中驱动电路制作的成品率。本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，包括制作有薄膜晶体管阵列的显示区域、以及制作在该薄膜晶体管阵列基板上的驱动电路，其中，所述驱动电路的输入端和/或输出端连接有开关控制电路，并且该薄膜晶体管阵列基板还包括连接到所述薄膜晶体管阵列基板扫描线的引出线，该引出线延伸到所述薄膜晶体管阵列基板的边缘。本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板适用于提高GOA栅极驱动电路的制作成品率。
薄膜晶体管阵列

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