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[发明专利]一种驱动电路及其驱动方法、显示装置-CN202210975990.5有效
发明人：段立业;李延钊;孟虎 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种驱动电路及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域，该驱动电路可以集成显示驱动和振动驱动，并避免显示面板和振动器对彼此的工作形成干扰。该驱动电路包括：至少一个源极驱动器，所述源极驱动器应用在显示装置，所述显示装置包括显示面板和振动器；所述源极驱动器与所述显示面板和所述振动器分别电连接、且被配置为分时驱动所述显示面板和所述振动器。
一种驱动电路及其方法显示装置

[发明专利]天线、显示基板和显示装置-CN202280000104.5在审
发明人：王锋;孙拓;李延钊;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：一种天线、显示基板和显示装置，天线包括叠设的第一导电层(11)、介质层(12)、第二导电层(13)；第一导电层(11)设有至少一个开槽(111)；第二导电层(13)包括至少一个导电结构(130)，导电结构(130)为梳状结构，导电结构(130)包括第一导电元件(131)和多个第二导电元件(132)，第一导电元件(131)构成梳状结构的梳背，多个第二导电元件(132)构成梳状结构的梳齿；至少一个导电结构(130)与至少一个开槽(111)对应设置，在至少一个导电结构中(130)，多个第二导电元件(132)的第一端与第一导电元件(131)连接，至少部分第二导电元件(132)第二端在介质层(11)上的正投影位于开槽(111)在介质层(11)上的正投影的范围内。
天线显示显示装置

[发明专利]移相器、天线装置-CN202011192784.4有效
发明人：郭景文;李延钊;吴倩红;李春昕;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种移相器，包括衬底、设置在所述衬底上的信号线、成对的地线和至少一个膜桥，其中，同一对所述地线中的两根分别位于所述信号线的两侧且与所述信号线间隔设置，所述膜桥包括多个连接壁和与所述衬底相对设置的桥面结构，多个所述连接壁分别设置在两根所述地线上，所述桥面结构包括移相电极和连接在所述移相电极两侧的至少一对吸附电极，所述移相电极与所述信号线相对设置，同一对所述吸附电极中的两个吸附电极分别与两根所述地线相对设置，并分别与对应的所述地线上的连接壁连接。在本发明中，成对设置的吸附电极能够在向膜桥提供偏置电压信号后，分别与对应的所述地线相互吸附，通过侧向电场驱动膜桥下拉，提升了移相器的移相能力。
移相器天线装置

[发明专利]移相器、天线和通信设备-CN202110209756.7有效
发明人：郭景文;李春昕;吴倩红;李延钊;陈江博;李泽源;曲峰 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种移相器、天线和通信设备，其中移相器包括：基底以及位于所述基底上的信号传输结构和接地结构，所述信号传输结构包括：至少一个信号传输子结构，所述信号传输子结构包括：第一信号传输线、第二信号传输线和半导体单元，所述第一信号传输线与所述第二信号传输线间隔设置，所述半导体单元位于所述第一信号传输线与所述第二信号传输线之间且两端分别与所述第一信号传输线与所述第二信号传输线相连，所述半导体单元配置为调整所述第一信号传输线与所述第二信号传输线之间的接入电容。本公开所提供的移相器响应速度快、结构简单且能够与现有半导体工艺制程契合，适于产线大规模生产。
移相器天线通信设备

[发明专利]显示基板、制作方法和显示装置-CN202180003581.2在审
发明人：王锋;周健;李延钊;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本公开提供一种显示基板、制作方法和显示装置。显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板的周边区域的电压走线、设置于电压走线远离衬底基板的一侧的封装层，以及，设置于衬底基板的显示区域的多个像素单元；封装层设置于所述衬底基板的显示区域的部分区域，以及，衬底基板的周边区域；显示基板还包括设置于封装层远离衬底基板的一侧的天线，天线为网格状天线；电压走线上设置有镂空部；天线的至少部分端部在衬底基板上的正投影设置于镂空部在衬底基板的正投影中；天线在衬底基板上的正投影包括位于显示区域的第一部分，第一部分设置于相邻的像素单元在衬底基板的正投影之间。本公开能够提升光透过率和辐射效率。
显示制作方法显示装置

[发明专利]线宽测量方法、装置、计算处理设备、计算机程序及计算机可读介质-CN202180003210.4在审
发明人：王斯凡;胡玉兰;李延钊;周超;孙拓;李龙飞;张硕;张振中;张翠芳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：线宽测量方法、装置、计算处理设备、计算机程序及计算机可读介质，用于测量线路的宽度。线宽测量方法包括：获取线路的目标图像，线路包括第一线段；对目标图像的边缘图像或二值化图像进行区域连通处理，获得区域连通图像；其中，区域连通图像包括与线路的图形对应的目标连通区域，目标连通区域内各像素的像素值与目标连通区域外各像素的像素值不同；基于区域连通图像，确定第一线段的第一边缘点和第二边缘点，第一边缘点位于第一线段的第一边缘线上，第二边缘点位于第二线段的第二边缘线上，第一边缘线与第二边缘线在第一方向上相对设置；根据第一边缘点和第二边缘点，确定第一线段的宽度；并根据第一线段的宽度，确定线路的宽度。
测量方法装置计算处理设备计算机程序可读介质

[发明专利]移相器、天线装置-CN202011197228.6有效
发明人：郭景文;李春昕;吴倩红;李延钊;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种移相器，包括衬底、设置在所述衬底上的信号线、在所述衬底上的成对设置的地线和至少一个电容调节组件，同一对所述地线中的两根分别位于所述信号线的两侧且与所述信号线间隔设置，所述电容调节组件包括膜桥，所述膜桥的两端分别设置在两根所述地线上，所述信号线位于所述膜桥与所述衬底围成的空间中，所述电容调节组件用于在接收到偏置电压信号时将所述膜桥与所述信号线之间的电容调节至目标电容，所述目标电容与所述偏置电压的大小线性相关。在本发明中，电容调节组件能够根据偏置电压的大小将所述膜桥与所述信号线之间的电容调节至目标电容，从而实现对信号线上传输的射频信号的相位进行连续调节，提升了移相器的移相能力。
移相器天线装置

[发明专利]气味存储和释放装置-CN202110995215.1有效
发明人：李文波;邓林;刘金豆;李延钊 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61L9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种气味存储和释放装置，包括相对设置的第一基板和第二基板：第一基板和第二基板之间设置有介质存储结构，介质存储结构内存储有能够释放气味的介质；第一基板和第二基板之间设置有与介质存储结构连接的气体通道；第一基板上设置有贯穿第一基板并与气体通道连通的第一气孔；气味存储和释放装置还包括电压提供结构，用于使得介质存储结构在第一状态和第二状态之间转换，电压提供结构包括设置于第一基板或第二基板上的同层设置的第一电极和第二电极；第一状态为对第一电极和第二电极通电，使得介质存储结构中的介质的气味通过气体通道、第一气孔释放；第二状态为停止对第一电极和第二电极通电，介质密封存储于介质存储结构内。
气味存储释放装置

[实用新型]抗剪槽制作工具-CN202223083139.6有效
发明人：史宇星;种荣耀;郭鹤儿;雷霜;李亮亮;刘旭;李延钊;汪显力;杜鹏 -专利权人：中建八局西北建设有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： E04G13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抗剪槽制作工具，其中抗剪槽金属模板为中空长方体封闭箱体，水平设置并沿左右方向设置，顶面的4个角部上分别竖向设置有左前、左后、右前和右后螺杆，螺杆上分别套设第二左前通孔、第二左后通孔、第一右前通孔和第一右后通孔，第二左前通孔上下分别设置左前紧固件，第二左后通孔上下分别设置左后紧固件，第一右前通孔上下分别设置右前紧固件，第一右后通孔上下分别设置右后紧固件，使用时，第一左前通孔、第一左后通孔、第二右前通孔和第二右后通孔分别套设在钢结构预制构件的4根螺杆上，并拧上配套螺母实现固定。本实用新型能够保证抗剪槽的成型质量，且固定简便，脱模容易，不易损坏，重复利用率高，降低施工成本。
抗剪槽制作工具

[发明专利]金属线及其制作方法-CN202180001375.8在审
发明人：陈江博;于海;孙拓;张硕;李泽源;梁魁;孟凡理;李延钊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种金属线及其制作方法。所述金属线的制作方法包括：在衬底上形成金属条块；在金属条块的上方形成掩模，所述掩模的宽度小于所述金属条块的宽度，且所述掩模在所述衬底上的正投影位于所述金属条块在所述衬底上的正投影内；在所述掩模的保护下，湿法刻蚀所述金属条块至饱和状态，以形成金属线，所述金属线的宽度小于所述掩模的宽度。上述制作方法可形成高厚度、窄线宽的金属线。
金属线及其制作方法

[发明专利]一种解锁控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质-CN202180000853.3在审
发明人：李文波;刘金豆;李延钊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F3/0484 文献下载
摘要：本公开提供一种解锁控制方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。解锁控制方法，应用于电子设备，所述解锁控制方法包括以下步骤：获取解锁触控输入；在所述解锁触控输入在多个目标位置中的任一个的停留时间大于预设时间阈值的情况下，根据所述停留时间生成至少一次震动激励；在根据所述解锁触控输入确定的解锁控制信号与预设解锁密码匹配的情况下，控制所述电子设备解锁，其中，所述解锁控制信号包括所述解锁触控输入针对多个所述目标位置的触控顺序和在各所述目标位置生成的震动激励的次数。本公开实施例的技术方案，有助于提高安全性。
一种解锁控制方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]传感器件及其制备方法-CN202110950865.4在审
发明人：孟凡理;张硕;李泽源;孙拓;于海;李延钊 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5微米，网格结构的厚度大于或等于2微米。
传感器件及其制备方法

[发明专利]光固化设备以及光固化方法-CN202211315747.7在审
发明人：孟凡理;李延钊;郭威;李泽源;孟虎;陈江博 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B29C64/264 文献下载
摘要：本申请公开了一种光固化设备以及光固化方法，其中一实施例的光固化设备，包括：液槽，用于容置液态可光聚合材料；以及光源，至少一个阵列光头，每个所述阵列光头包括一列LED发光器件，以及驱动部件，用于驱动所述光源与所述液槽之间相对运动，以使所述光源对所述液态可光聚合材料进行光固化。本申请提供的光固化设备通过设置光源包括至少一个阵列光头且每个阵列光头内包括一列LED发光器件，驱动部件驱动光源与液槽之间相对运动以进行光固化，从而能够以一维线阵列进行扫描光固化，扫描面幅更大、速度更快并且成本更低廉，具有广阔的应用前景。
光固化设备以及方法

[发明专利]MEMS器件及制备方法-CN202211168281.2在审
发明人：李文波;刘金豆;张寒冰;王龙;李延钊 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开提供一种MEMS器件及制备方法。具体地，MEMS器件包括：基板；以及功能层，至少部分悬空设置于所述基板上；其中，所述功能层的厚度≥1μm且≤5μm。通过提高功能层的厚度为≥1μm且≤5μm，能够增加功能层悬空结构的强度从而有效避免其塌陷，同时也能满足MEMS器件对悬空结构进行驱动的要求。
mems 器件制备方法

[发明专利]薄膜传感器及其制备方法-CN202180000561.X在审
发明人：王锋;周健;李延钊;曲峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的薄膜传感器，具有交叉设置的多个导电线所在区域，由所述多个导电线所在区域交叉设置限定出的多个镂空部；所述薄膜传感器包括：衬底基板，多条导电线，设置在所述衬底基板上，且一个所述导电线所在区域设置一条所述导电线；功能结构，设置在所述衬底基板上；其中，所述功能结构被配置为，将沿预设方向传输、且由所述导电线所在区域入射至所述功能结构的光线中的至少部分由所述镂空部射出；其中，所述预设方向为所述衬底基板指向所述导电线的方向。
薄膜传感器及其制备方法

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