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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种增加蒸镀制程良率的方法-CN202110943868.5在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;蘇政宏 -专利权人：顺芯科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种增加蒸镀制程良率的方法，S1：贴胶膜，保护和避免破坏产品表面；S2：研磨：晶圆背面减薄至所需厚度；S3：蚀刻：蚀刻晶圆背面始成粗糙表面利于蒸镀；S4:真空干燥保存：待蒸镀晶圆避免曝露在空去中；S5:蒸镀：将具导电性金属离子，溅镀于蚀刻后晶圆表面作为未来各组件间的导线用；本发明防止晶圆氧化物产生，以利提高蒸镀金属离子附着在晶圆的效率。
一种增加蒸镀制程良率方法

[发明专利]通过晶背优化降低导通电阻的方法-CN202210431465.7在审
发明人：陈显平;郑博风;李杰 -专利权人：重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件处理技术领域，具体涉及一种通过晶背优化降低导通电阻的方法，包括以下步骤：衬底减薄：采用减薄机将SiC晶圆衬底减薄；蒸镀欧姆接触材料：在衬底背面通过蒸镀工艺形成欧姆接触材料层；激光刻蚀：激光刻蚀欧姆接触材料层和SiC晶圆衬底；背面退火：对刻蚀后的衬底背面进行退火；还原Si02：在高温下用H2或者CO将衬底背面Si02还原成Si；蒸镀过渡层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成Mo层或者W层；蒸镀外接层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成外接金属层。本发明能够降低SiC晶圆衬底的导通电阻，同等的导通电阻条件下，可以变相地减少金刚石砂轮的耗材量。
通过优化降低通电方法

[发明专利]多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法-CN202310431952.8在审
发明人：周华;李晋湘;张汀;王莉菲;贺中鹤;陈俊宇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法。多层金属层蒸镀装置包括：传输腔，传输腔内设置的机械臂包括：晶圆托盘、退火组件及静电吸盘，退火组件用于执行退火，静电吸盘用于将晶圆吸附固定于晶圆托盘表面；蒸镀腔，位于传输腔的一侧，用于对晶圆进行前段蒸镀以在晶圆的表面蒸镀形成第一金属层；退火组件用于对前段蒸镀后的晶圆进行退火以在第一金属层与晶圆之间形成金属硅化物层；蒸镀腔还用于对退火后的晶圆进行后段蒸镀以在第一金属层的表面蒸镀形成第二金属层。通过对装置的改进，在不增加工艺成本的前提下改善了蒸镀工艺的质量，增加了金属层与晶圆的粘附性，减少了多层金属层之间的空隙，降低了金属层剥落的风险。
多层金属层蒸镀装置方法

[发明专利]多层金属层蒸镀装置及其蒸镀方法-CN202310431954.7在审
发明人：周华;李晋湘;张汀;曹语盟;石培俊 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法。多层金属层蒸镀装置包括：传输腔，传输腔内设置的机械臂包括：晶圆托盘、退火组件及固定组件，退火组件用于执行退火，固定组件用于将晶圆夹持固定于晶圆托盘表面；蒸镀腔，位于传输腔的一侧，用于对晶圆进行前段蒸镀以在晶圆的表面蒸镀形成第一金属层；退火组件用于对前段蒸镀后的晶圆进行退火以在第一金属层与晶圆之间形成金属硅化物层；蒸镀腔还用于对退火后的晶圆进行后段蒸镀以在第一金属层的表面蒸镀形成第二金属层。通过对装置的改进，在不增加工艺成本的前提下改善了蒸镀工艺的质量，增加了金属层与晶圆的粘附性，减少了多层金属层之间的空隙，降低了金属层剥落的风险。
多层金属层蒸镀装置及其方法

[发明专利]蒸发镀膜装置和镀膜方法-CN202210718683.9在审
发明人：吕凯丽;赵利;孙军旗;孙帅;任宏志 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种蒸发镀膜装置和镀膜方法，蒸发镀膜装置包括蒸镀腔体、蒸镀源、多个蒸镀锅和驱动组件；蒸镀源用于将蒸镀材料转化为气体分子蒸镀材料，气体分子蒸镀材料在蒸镀腔体中运动形成蒸镀区域；多个蒸镀锅对应设置在蒸镀区域内；驱动组件设置在蒸镀腔体的顶部，驱动多个蒸镀锅围绕蒸镀源的中心线进行旋转；蒸镀锅包括蒸镀面，蒸镀面上设有晶圆，所述晶圆与蒸镀面形成的夹角大于等于10度，且小于等于25度。本申请通过将晶圆倾斜设置在蒸锅面上，并与蒸镀面形成一定角度的夹角，减少晶圆占用空间，如此在原来的蒸镀锅上可以放置更多的晶圆，从而提高生产效率。
蒸发镀膜装置方法

[发明专利]一种晶圆背面金属层异常处理方法-CN202211052788.1在审
发明人：王尧林;朱焱均;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆背面金属层异常处理方法，本发明的方法对晶圆蒸镀良率进行检测分析，再对晶圆背面刻蚀处理，处理完成后进行二次蒸镀，从而达到产品工艺需求，本发明的方法可在晶圆背面蒸镀发生异常时，用湿法化学手段对晶圆背面金属层进行刻蚀去除，防止了现有技术中晶圆背面异常处理不当，造成整片晶圆报废的情况，从而节约了生产成本，提高了产品良率。
一种背面金属异常处理方法

[发明专利]一种晶圆蒸镀异常的处理方法-CN202210596348.6在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 -专利权人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：S1、晶圆蒸镀；S2、检测发现晶圆蒸镀异常；S3、晶圆背金处理；S4、测量晶圆厚度是否符合要求；S5、晶圆补磨；S6、晶圆抛光；S7、标准制程1和2；S8、去水分烘烤；S9、重新晶圆蒸镀，本发明制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率
一种晶圆蒸镀异常处理方法

[实用新型]具有监控片的蒸镀盘-CN201020644878.6无效
发明人：徐琼芳 -专利权人：聚昌科技股份有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种具有监控片的蒸镀盘，其包括：蒸镀盘；以及至少一监控片。监控片可分离的设置于蒸镀盘上，而蒸镀盘设置有晶圆槽用以摆放晶圆以进行蒸镀，其中监控片能够反映晶圆的蒸镀状态，并可作为监控蒸镀情况的依据，亦可在测试新的蒸镀过程时，作为取得蒸镀参数的参考。本实用新型提供的技术方案通过监控片的使用，可减少取用晶圆作为量测标的次数，并可降低晶圆的消耗及材料成本，非常适于实用。
具有监控蒸镀盘

[发明专利]多层金属层蒸镀装置及其蒸镀方法-CN202310409275.X在审
发明人：周华;李晋湘;张汀;董凌云;明潇潇;刘慧娟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层蒸镀装置及其蒸镀方法。多层金属层蒸镀装置包括：传输腔，其内设置有机械臂以用于取放并传输晶圆；蒸镀腔，位于传输腔的第一侧，用于对晶圆进行前段蒸镀以在晶圆的表面蒸镀形成第一金属层；退火腔，位于传输腔的第二侧，用于对前段蒸镀后的晶圆进行退火以在第一金属层与晶圆之间形成金属硅化物层；蒸镀腔进一步用于对退火后的晶圆进行后段蒸镀以在第一金属层的表面蒸镀形成第二金属层。
多层金属层蒸镀装置及其方法

[实用新型]一种蒸镀锅机构及蒸镀设备-CN202223297982.4有效
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸镀锅机构及蒸镀设备，蒸镀锅机构包括主架和至少一个蒸镀锅，蒸镀锅设置在主架上；蒸镀锅包括若干个晶圆安装部，晶圆安装部包括固定片位板、活动片位板和活动插销；固定片位板设置在蒸镀锅上，活动片位板的一端铰接在固定片位板的一端上，活动插销铰接在固定片位板的另一端上；活动片位板的正面上设置晶圆片安装槽位，活动片位板的背面上设置有若干个卡位，活动插销的另一端插接在卡位上。该蒸镀设备设置有所述蒸镀锅机构和可移动的镀源装置，通过活动插销调整固定片位板和活动片位板之间的角度，从而调整各个晶圆片的蒸镀角度，配合可以来回移动的镀源装置，提高各个晶圆片的蒸镀均匀性，提高蒸镀效果。
一种蒸镀锅机构设备

[发明专利]蒸镀机用晶圆固定装置-CN201510387415.3在审
发明人：李文涛;王剑;杨亮;时文礼 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种蒸镀机用晶圆固定装置，其通过晶圆环将晶圆固定在支架上，晶圆环的内圈形成供放置晶圆的环形凹台，晶圆环外圈上间隔定位设有若干个能够绕其固定点转动的弹性固定部件，该弹性固定部件上的压件弹性抵压式作用于晶圆表面的圆周边缘以使晶圆相对环形凹台固定；该固定装置以晶圆边缘固定方式代替中间固定方式，可省去晶圆后方的金属盖板，使整个固定装置简洁轻便，安装无需锁紧螺母，不仅省时省力且减少了清洗的配件；其采用多点固定方式，增加了晶圆的稳定性，该装置不仅能满足晶面晶背蒸镀时晶圆固定的要求，且大大简化了晶圆安装流程，提高了工作效率。
蒸镀机用晶圆固定装置

[实用新型]蒸镀装置以及蒸镀设备-CN202122005329.5有效
发明人：赵利;孙玉群;孙军旗;刘芳军;徐赛赛;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种蒸镀装置和蒸镀设备。其中，蒸镀装置用于对晶圆进行蒸镀，蒸镀装置包括：蒸镀腔体、蒸镀源、行星锅和中心锅。蒸镀源设置在所述蒸镀腔体的底部；行星锅，用于放置第一晶圆，所述行星锅设置有多个，多个所述行星锅设置在所述蒸镀源的上方；其中，多个所述行星锅绕一竖直线公转，所述竖直线穿过所述蒸镀源；中心锅，用于放置第二晶圆，所述中心锅设置在所述蒸镀源的上方，所述竖直线穿过所述中心锅。本申请实施例提供的蒸镀装置，通过在蒸镀腔体上部设置中心锅，能够有效提高蒸镀材料的利用率。
装置以及设备

[发明专利]一种于晶圆上蒸镀金金属层的方法及电子设备-CN202311166912.1在审
发明人：茆同海;侯汉成;刘坤明;宋嘉铭 -专利权人：华通芯电（南昌）电子科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种于晶圆上蒸镀金金属层的方法及电子设备，方法包括：于衬套内添加金料，并将添加金料后的衬套置于蒸镀机的坩埚内；对蒸镀机进行抽真空处理，以使蒸镀机内处于预设真空度的真空状态；通过预设功率对金料进行加热预融，金料形成金溶液，以使金料内的杂质悬浮于金溶液的表面；于静置时间后对蒸镀机进行破真空处理，将金溶液冷却为金块，以使杂质冷却为颗粒；于蒸镀机内取出衬套，对衬套进行清洗，以去除金块的表面的颗粒。通过上述方法，在后续的蒸镀过程中，极大的减少了晶圆表面的颗粒产生，有效的提高了成型产品的良率。
一种晶圆上蒸镀金金属方法电子设备

[发明专利]蒸镀设备及蒸镀方法-CN202011216077.4在审
发明人：翁志坤;冉忠堂;沈旭铭 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种蒸镀设备，包括：蒸镀室，在该蒸镀室中放置待蒸镀晶圆；以及蒸发源，利用该蒸发源，在待蒸镀晶圆表面蒸镀金属膜，该金属膜是由合金金属和稀土元素形成薄膜，利用该蒸发源，通过蒸发镀膜方式来添加稀土元素
设备方法

[实用新型]蒸镀机用晶圆固定装置-CN201520476224.X有效
发明人：李文涛;王剑;杨亮;时文礼 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸镀机用晶圆固定装置，其通过晶圆环将晶圆固定在支架上，晶圆环的内圈形成供放置晶圆的环形凹台，晶圆环外圈上间隔定位设有若干个能够绕其固定点转动的弹性固定部件，该弹性固定部件上的压件弹性抵压式作用于晶圆表面的圆周边缘以使晶圆相对环形凹台固定；该固定装置以晶圆边缘固定方式代替中间固定方式，可省去晶圆后方的金属盖板，使整个固定装置简洁轻便，安装无需锁紧螺母，不仅省时省力且减少了清洗的配件；其采用多点固定方式，增加了晶圆的稳定性，该装置不仅能满足晶面晶背蒸镀时晶圆固定的要求，且大大简化了晶圆安装流程，提高了工作效率。
蒸镀机用晶圆固定装置

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