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- [发明专利]晶圆正面蒸金方法-CN201410667912.4在审
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刘宇;王鹏;李秀然
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2014-11-20
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2015-03-11
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H01L21/285
- 本发明提供了一种晶圆正面蒸金方法，包括依次执行的下述步骤：第一步骤，用于在待正面蒸金的晶圆的待正面蒸金表面上形成TiN层；第二步骤，用于将待正面蒸金的晶圆布置在晶圆承载环上，从而从下方露出待正面蒸金表面上的TiN层，并且在待正面蒸金的晶圆顶部盖上防污染盖；第三步骤，用于在待正面蒸金表面上的TiN层上通过蒸发工艺形成正面金属。在本发明的晶圆正面蒸金方法中，在正面金属层形成之前在晶圆上布置一个TiN层，并且利用接地环导出在蒸镀过程中产生的二次电子，防止栅极氧化层中累积电子，从而能够防止晶圆中形成的器件的阈值电压偏移。
- 正面方法
- [实用新型]蒸镀锅和蒸镀设备-CN202122005244.7有效
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赵利;孙军旗;刘芳军;孙玉群;鲁艳春
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北海惠科半导体科技有限公司
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2021-08-24
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2022-04-15
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C23C14/50
- 本申请公开了一种蒸镀锅和蒸镀设备，用于对晶圆进行蒸镀，蒸镀锅包括：锅体、背面固定机构和正面固定机构；所述锅体包括锅体正面和锅体背面；所述背面固定机构包括开孔和第一固定件，所述开孔设于所述锅体，所述开孔用于放置第一晶圆，所述锅体上除所述开孔之外的区域为壳体区域，所述第一固定件设于所述壳体区域且位于所述锅体背面，所述第一固定件用于固定所述第一晶圆，并使所述第一晶圆的镀膜面的朝向与所述锅体正面的朝向相同；所述正面固定机构包括第二固定件，所述第二固定件设于所述壳体区域且位于所述锅体正面，所述第二固定件用于固定第二晶圆，并使所述第二晶圆的镀膜面的朝向与所述锅体正面的朝向相同；以提升蒸镀锅的利用率。
- 蒸镀锅设备
- [发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法-CN201910622606.1在审
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徐建卫;徐艳;汪鹏
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上海矽安光电科技有限公司
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2019-07-11
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2021-01-12
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H01L29/06
- 本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。制造方法，包括：采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；在硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；在硅晶圆主体的背面以及第一槽的表面蒸镀薄膜；在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护，使正面腐蚀时可以停止在薄膜上，夹角处被保护，可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。
- 一种硅晶圆结构及其制造方法
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