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- [发明专利]半导体器件-CN201710129271.0有效
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高柳浩二
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瑞萨电子株式会社
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2017-03-06
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2023-06-27
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H03K19/0185
- 本公开涉及一种半导体器件,其中,当输出高幅度的信号时,可以施加超过耐受电压的漏极‑源极电压。根据本发明的半导体器件包括电平位移电路,其根据低幅度逻辑信号的输入来输出高幅度。电平位移电路包括串联耦合电路、耦合至第一电源的第一栅极控制电路、耦合至电位高于第一电源的电位的第二电源的第二栅极控制电路以及布置在第一栅极控制电路与串联耦合电路之间的电位转换电路。电位转换电路向串联耦合电路的N沟道MOS晶体管的栅极提供第一电平电位,其低于第一电源的电位且高于参考电源的电位。
- 半导体器件
- [实用新型]低本底αβ测量仪-CN202021663617.9有效
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郑永男;李连防;张小彬
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北京海阳博创科技股份有限公司
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2020-08-11
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2021-04-06
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G01T1/167
- 本申请涉及一种低本底αβ测量仪,包括测试室、主探测器、多道脉冲幅度分析电路、数据采集控制电路、反符合探测器、反符合电路和供电单元;主探测器和反符合探测器安装在测试室内;主探测器与多道脉冲幅度分析电路的信号输入端电连接;反符合探测器与反符合电路的第一输入端电连接,主探测器与反符合电路的第二输入端电连接,反符合电路的输出端与多道脉冲幅度分析电路的门控输入端电连接;多道脉冲幅度分析电路的输出端与数据采集控制电路电连接;供电单元与多道脉冲幅度分析电路、数据采集控制电路和反符合电路均电连接。
- 本底测量仪
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