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[发明专利]一种自体浓缩生长因子膜的制备方法和设备-CN202111220874.4有效
发明人：马斐斐;马玉;孙凤 -专利权人：北京大学口腔医学院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A61L31/00 文献下载
摘要：本申请公开一种自体浓缩生长因子膜的制备方法，包括如下步骤：将待离心处理的血液放入离心机中进行血液离心处理，获得固态自体血小板凝聚物；从所述固态自体血小板凝聚物中提取自体浓缩生长因子凝胶；将所述自体浓缩生长因子凝胶置于压膜器中进行压膜处理，形成第一自体浓缩生长因子膜；将多个所述第一自体浓缩生长因子膜压制成第二自体浓缩生长因子膜。本申请实施例中，通过对自体浓缩生长因子凝胶进行压膜处理形成第一自体浓缩生长因子膜，然后将多个第一自体浓缩生长因子膜压制成第二自体浓缩生长因子膜，使第二自体浓缩生长因子膜成为一张完整的大膜，并且不易分离，增加了膜的面积，更适用于覆盖上颌窦底黏膜。
一种浓缩生长因子制备方法设备

[发明专利]一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法-CN202110674594.4在审
发明人：张义;王成新;王建立;李毓锋 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下：(1)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；(2)在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。本发明在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，可以避免托盘上生长多晶GaN，或者将托盘上已经生长的多晶GaN去除，直接避免和减少厚膜GaN生长过程中托盘上的多晶GaN颗粒落到外延片上，实现了GaN厚膜表面多晶GaN颗粒数量＜5个，成功制备得到表面平滑光亮的GaN厚膜。
一种减少表面颗粒 gan 生长方法

[发明专利]改变根系生长的方法-CN00811410.2无效
发明人： M·C·汤金;M·A·杨;O·N·基尔赫纳;C·W·卡希尔 -专利权人：纳幕尔杜邦公司;设计技术及灌溉有限公司
申请日： 2000-08-03 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： A01G31/02 文献下载
摘要：提供了一种改变植物根系生长的方法,其中,所述根系是在一个膜的附近生长,在根系生长期间水分从所述膜释放,其中,所述膜是疏水性有孔膜或亲水性无孔膜。所述方法还可用于收集从植物根系中渗出的材料,这一目的是这样实现的让所述植物根系在由一种膜包围的生长介质中生长,使得水分能够从所述膜中释放到生长介质中,而从植物根系中渗出的材料由所述膜保留在生长介质中,其中,所述膜是疏水性有孔膜或亲水性无孔膜。
改变根系生长方法

[发明专利]一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法-CN201410697355.0在审
发明人：邱裕明;肖天金;余德钦 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，该方法为：提供一硅衬底；制备一栅氧化膜形成于所述硅衬底的生长区域；在预设时刻停止制备所述栅氧化膜；扫描所述硅衬底，对在所述硅衬底上形成栅氧化膜的区域和未形成栅氧化膜的区域进行定位；对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析，以获取所述栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。本发明采用明场扫描将未生长栅氧化膜的区域与正常生长栅氧化膜的区域利用高度差区分出来，再进行透射电子显微镜的切片分析，从而获取栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。采用本发明所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法可有效缩短生长缺陷发现周期，从而提高器件良率。
一种监测原位水汽生长氧化缺陷方法

[发明专利]助作物生长地膜-CN201210226708.X有效
发明人：谢桂林;王保忠;赵奎军;程波;谢桐音;谢德顺;谢天正 -专利权人：常熟南师大发展研究院有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： A01G13/02 文献下载
摘要：助作物生长地膜，属于商品运输或装卸的包装和容器技术领域，由上膜、膜腔、下膜、膜间支柱、进水孔组成，其特征是助作物生长地膜材料为黑色的聚乙烯塑料，双层结构，上膜和下膜之间的空腔为膜腔，主要用于盛放吸收蓄积太阳能的水，可以蓄积较多的太阳能量，为地表土壤提供较多的热量，延长了植物生长的时间，为植物生长提供了适宜的生长条件，进而促进植物的生长发育。助作物生长地膜制作简单，可操作性强，成本低廉，效果明显。
作物生长地膜

[发明专利]薄膜谐振器装置及其制作方法-CN00121944.8无效
发明人：迈克尔·詹姆斯·曼弗拉;劳伦·内尔·普雷弗尔;肯尼斯·威廉·韦斯特;黄耀萱 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2000-07-26 - 公布日： 2001-02-14 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：用改进的压电膜制成一薄膜谐振器(TFR),改进的压电膜是在生长表面上外延生长的,得到的压电膜有很少晶粒边界。外延生长是指,压电膜有一结晶学取向,它取自或仿照一单晶衬底或生长表面的结晶学取向。例如,在以单晶硅衬底为生长表面上外延生长的压电膜,可以制作有很少或没有晶粒边界的改进的压电膜。按照本发明的另一个方面,披露了制作TFR的一种方法,其中,压电膜是在一衬底上生长的。随后,除去衬底的一部分,最后在压电膜的两侧淀积电极。
薄膜谐振器装置及其制作方法

[其他]用于气相淀积的方法和装置-CN87102726无效
发明人：河合弘治;今永俊治;长谷伊知郎;金子邦雄;渡部尚三 -专利权人：索尼公司
申请日： 1987-02-15 - 公布日： 1987-12-16 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种气相淀积的方法，包括以现场监测的方法测试半导体薄膜的生长。根据本发明，入射光束在几乎垂直于生长膜表面的方向上，照射到生长膜的表面。膜的生长参数能够由膜表面反射光变化测试出来。根据测出的生长参数，可以反馈控制气相淀积室中的生长条件。
用于气相淀积方法装置

[发明专利]一种负载生长因子的微纳米复合膜-CN201910815649.1有效
发明人：张正男;段书霞;韩涵;付迎坤;林建香;石沛龙;崔彬彬;王红磊;韩修恒;田崇;于肇锦;郝明;严子跃;佘开江 -专利权人：河南亚都实业有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： D01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载生长因子的微纳米复合膜，该微纳米复合膜是由载生长因子的蛋壳膜、蛋白膜、亲水微纳米纤维层和疏水微纳米纤维层组成，其是以蛋壳膜作为生长因子的直接载体，同时以盐析的方式将蛋白质作为包覆层沉积于负载生长因子的蛋壳膜表面形成蛋白膜，而后采用静电纺丝技术依次将亲水性微纳米纤维膜、疏水性微纳米纤维膜包裹于蛋白膜表面获得；其中的蛋白膜采用禽类蛋清经盐析沉积获得；该微纳米复合膜结构设计合理，使负载的生长因子具有缓释性，且构成膜层的材料具有保持生长因子活性的作用
一种负载生长因子纳米复合

[发明专利]定向释放负载生长因子的胶原基双层膜材料及其制造方法-CN201710228443.X有效
发明人：李学敏;张其清;杨文裕;曹一汀 -专利权人：中国医学科学院生物医学工程研究所
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： A61L27/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种定向释放生长因子的胶原基双层膜材料及其制造方法，它以胶原，生长因子，纤维蛋白原和凝血酶为原料制备，分别制备致密层和疏松层胶原膜，并由纤维蛋白粘合致密层胶原膜和疏松层胶原膜构成的双层膜结构。膜表面可负载生长因子，每平方厘米生长因子用量为1‑10000ng；双层膜的负载生长因子的量优选每平方厘米30ng；双层膜的平均厚度优选为1‑5 mm。该材料对其负载的生长因子有定向控制释放作用，定向释放生长因子并作用于靶组织，可用于病缺损组织的修复治疗。本发明制备的双层胶原膜所负载的生长因子具有靶向释放作用，可定向释放生长因子到靶组织并保持生长因子活性，可应用于引导诱导组织的再生修复。
定向释放负载生长因子胶原双层材料及其制造方法

[发明专利]一种单晶硅片掩膜制备方法-CN202211524992.9在审
发明人：张大荣;赵福祥;李宝磊;钱小波;王红娟 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅片掩膜制备方法，包括：先对制绒后的单晶硅片的一面生长第一掩膜层，再在第一掩膜层上生长第二掩膜层，其中，第一掩膜层通过热氧方式生长，第二掩膜层通过PECVD方式生长，第一掩膜层和第二掩膜层的材质均为本发明提供的单晶硅片掩膜制备方法，先通过热氧方式对制绒后的单晶硅片的一面生长第一掩膜层，再在第一掩膜层上生长第二掩膜层，得到的掩膜层质量高，致密性与均匀性均好；用HF去掉掩膜层后硅片表面外观没有出现小黑点
一种单晶硅片掩膜制备方法

[发明专利]生长氮化物膜的方法-CN202210011192.0在审
发明人：李惠龙;崔泳畯;吴海坤 -专利权人：卢密基恩科技股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：根据示例性实施例的生长氮化物膜的方法包括：将衬底装入到生长空间中；以及在衬底上生长氮化物膜，其中生长氮化物膜可包括：使第一反应气体与源原料反应，以向生长空间供应所产生的气体；向生长空间供应第二反应气体；及向生长空间供应含氧气体及含氢气体。因此，根据示例性实施例，即使当氮化物膜形成得薄时，也可对氮化物膜的上表面进行平坦化。因此，可减少生长或形成氮化物膜直到其上表面被平坦化所需的工艺时间，且因此，具有提高生产率的效果。
生长氮化物方法

[发明专利]制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法和模板衬底-CN200910265539.9有效
发明人：中田尚幸;奥野浩司;牛田泰久 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
制造氮化物半导体方法模板衬底

[发明专利]一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法-CN202111592538.2在审
发明人：李毓锋;王成新;刘振兴 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法。包括步骤如下：(1)在金属基板上制备腐蚀剥离层，然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层；(2)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度，在过渡界面层上生长GaN厚膜；(3)放入氢氟酸中，腐蚀10‑30分钟，剥离后得到GaN厚膜。本发明提供的在金属基板生长GaN厚膜的方法，在和GaN热膨胀系数相同或相近的金属基板上生长GaN厚膜，生长的GaN厚膜无龟裂，提高了GaN厚膜的合格率，降低了生产成本，并且腐蚀剥离层易被氢氟酸腐蚀，剥离GaN厚膜的过程简单快速，还不会对GaN厚膜造成损伤。
一种金属衬底生长 gan 方法

[发明专利]防止衬底杂质外扩散的方法-CN201610874748.3在审
发明人：丛茂杰;康志潇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止衬底杂质外扩散的方法，是在外延生长之前，先在衬底侧面形成氧化膜及氮化膜，然后再进行外延生长。具体包含第1步，将背面具有背封氧化层的衬底进行氧化膜生长；第2步，继续进行一层氮化膜生长；第3步，对衬底表面氮化膜进行刻蚀，第4步，对衬底表面氧化膜进行刻蚀。本发明通过在衬底侧面形成氧化膜加氮化膜的包裹，在外延生长时能避免衬底中的杂质从侧壁向外扩散而导致硅片边缘管芯电特性不稳定的问题。
防止衬底杂质扩散方法

[发明专利]组装中空纤维生物反应器的方法-CN201080045888.0有效
发明人： F·戴尔伯格 -专利权人：泰尔茂比司特公司
申请日： 2010-10-04 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C12M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种组装细胞生长模块，并且防止在细胞生长模块中形成可能影响细胞生长模块中细胞生长的细胞毒素化学物质的方法。在膜插入外壳前可以使用电磁辐射例如γ照射处理膜表面。所述细胞生长模块至少包括膜和外壳。
组装中空纤维生物反应器方法

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