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[发明专利]脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置-CN201610019627.0有效
发明人：秦成兵;高岩;乔志星;肖连团;贾锁堂 -专利权人：山西大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01S3/23 文献下载
摘要：本发明涉及二维半导体材料和光学领域，具体为一种通过脉冲激光照射实现对单层二硫化钼光学改性的方法及其装置，包括实现了对单层二硫化钼荧光量子产率的提高和对单层二硫化钼荧光光谱的连续调节，解决了单层二硫化钼荧光量子产率低下，荧光光谱不可调节，不能直接制备二维半导体发光器件的问题。一种实现单层二硫化钼光学改性的方法是通过820nm飞秒脉冲激光照射单层二硫化钼晶体产生硫原子空位缺陷来提交单层二硫化钼的荧光量子产率。本发明是通过飞秒激光产生空位缺陷以束缚单层二硫化钼表面的电子，精确控制光致激子数目，从而实现了对单层二硫化钼荧光量子产率的提高和对荧光光谱的连续调节。
脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性方法装置

[发明专利]一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用-CN202011125570.5有效
发明人：王海新;王立平;蒲吉斌;史彦斌;郭武明 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼掺银的硫化薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层，之后在真空惰性气氛中，对所获复合薄膜进行高温硫化处理，获得所述二硫化钼掺银的硫化薄膜本发明的高温硫气氛退火处理的二硫化钼银复合薄膜在真空和大气环境下均具有良好的摩擦磨损性能，大气环境下薄膜的润滑性能得到进一步改善，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。
一种二硫化钼硫化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二硫化钼柔性离子传感器-CN201810312620.7在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种二硫化钼柔性离子传感器，包括从上到下连接在一起的氮化硼、二硫化钼、氮化硼，金属电极，柔性基底；所述二硫化钼位于氮化硼下方，位于氮化硼上方；所述二硫化钼和氮化硼、氮化硼组成复合梁结构，梁两端分别与金属电极接触氮化硼作为保护层，有效隔绝二硫化钼上下表面与空气，以及空气中的水蒸气接触，防止二硫化钼在空气中退化，悬空结构可以防止二硫化钼与柔性基底直接接触，从而可以避免基底对二硫化钼的散射影响；这种结构可使二硫化钼离子传感器获得更好的检测下限
二硫化钼氮化硼离子传感器柔性基底金属电极复合梁基底悬空长期稳定性水蒸气从上到下上下表面悬空结构形变保护层散射退化检测

[发明专利]一种有机改性二硫化钼纳米片的制备方法-CN201610224150.X有效
发明人：胡伟兆;邢伟义;冯夏明;宋磊;胡源 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片的制备方法，首先通过锂插层法制备出二硫化钼纳米片，然后利用三聚氰胺对二硫化钼纳米片表面进行非共价改性，最后引入三聚氰酸以原位超支化的方式将具有网状结构的三聚氰胺氰尿酸盐修饰在二硫化钼纳米片表面，从而获得有机改性二硫化钼纳米片。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片制备方法简单，成本低，表面改性剂含量高。制得的有机改性二硫化钼纳米片具有多功能性，如可作为新型固体润滑材料或具有协同作用的杂化阻燃剂等。此外，有机改性二硫化钼可改善二硫化钼纳米片在聚合物基体中的分散状态和相容性，有利于提高聚合物材料的综合性能。
一种有机改性二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种纳米二硫化钼的制备方法及其制备的二硫化钼-CN201710865838.0有效
发明人：蒋晓青;刘怀志 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二硫化钼的制备方法及其制备的二硫化钼，该方法包括如下步骤：(1)将二硫化钼粉末、盐加入水溶剂或有机溶剂中混合得到混合溶液A；(2)对混合溶液A进行超声剥离处理；(3)超声剥离处理后离心以除去未剥离的二硫化钼粉末，收集悬浮液即得到含有纳米尺寸二硫化钼悬浮液。本发明的制备方法简单易行，成本低，毒性小后处理简单，同时制备得到的二硫化钼产量高、质量好、结构稳定，纳米二硫化钼产量与纯溶剂体系相比有明显提高；本发明通过加盐辅助剥离可以原位制备不同体系下的二硫化钼分散液，其浓度与纯溶剂体系相比最高可以提高一百倍左右，该方法适用于工业化大批量生产纳米尺寸的二硫化钼。
一种纳米二硫化钼制备方法及其

[发明专利]一种二硫化钼催化膜及其制备和应用-CN201910530418.6有效
发明人：张弓;陈瑀;吉庆华;刘会娟;曲久辉 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼催化膜，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；垂直生长的二硫化钼厚度为5～8nm，边缘长度200～800nm，阵列生长密度为32～45个/μm<所述二硫化钼垂直阵列的制备原料包括钼酸盐和硫源，制备方法为水热法使得二硫化钼生长在基底上，真空干燥后即得二硫化钼垂直阵列；水热生长法中钼酸盐与硫源的质量比为1‑5:3‑10。本发明采用的二硫化钼垂直阵列的原材料均为非管制药品，成本低廉，合成材料方便。本发明采用的二硫化钼垂直阵列可用数次，不影响杀菌效果。
一种二硫化钼催化及其制备应用

[发明专利]2H晶型二硫化钼的改性方法、水溶性二硫化钼及其应用-CN202210450683.5有效
发明人：姚二冬;李源;周喻;周福建;余果林;李伯钧;邹路玮;左洁;杨凯 -专利权人：中国石油大学(北京);中南大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种2H晶型二硫化钼的改性方法、水溶性二硫化钼及其应用，该包括如下步骤：将摩尔比为1:(10‑15)的2H晶型二硫化钼和磷改性剂分别置于石英舟的下游和上游，所述石英舟置于反应炉中，通入氩气或抽真空后封闭石英舟；将炉体中心温度升温至240‑400℃并保温进行反应，反应结束后降温，收集产物并清洗表面吸附物，得到水溶性二硫化钼。本发明通过对2H晶型二硫化钼进行磷还原改性，减少二硫化钼纳米片的重复堆积并增加其层间距，同时实现二硫化钼晶型的转变，增加二硫化钼表面缺陷位点数量，从而增强二硫化钼的表面活性和亲水性，提升其作为纳米驱油剂的驱油效果
二硫化钼改性方法水溶性及其应用

[实用新型]一种悬空二硫化钼柔性离子传感器-CN201820495830.X有效
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种悬空二硫化钼柔性离子传感器，包括从上到下连接在一起的氮化硼、二硫化钼、氮化硼，金属电极，柔性基底；所述二硫化钼位于氮化硼下方，位于氮化硼上方；所述二硫化钼和氮化硼、氮化硼组成复合梁结构，梁两端分别与金属电极接触氮化硼作为保护层，有效隔绝二硫化钼上下表面与空气，以及空气中的水蒸气接触，防止二硫化钼在空气中退化，悬空结构可以防止二硫化钼与柔性基底直接接触，从而可以避免基底对二硫化钼的散射影响；这种结构可使二硫化钼离子传感器获得更好的检测下限
二硫化钼氮化硼离子传感器柔性基底悬空金属电极复合梁基底长期稳定性水蒸气从上到下上下表面悬空结构形变保护层散射退化检测

[实用新型]环保铅坠-CN201720457201.3有效
发明人：刘春清 -专利权人：固始融信渔具有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： A01K95/00 文献下载
摘要：本实用新型一种环保铅坠，其技术方案要点是包括铅坠芯，其特征在于所述铅坠芯的轴线处开设有穿线孔，所述铅坠芯的外壁和穿线孔的内壁上均紧覆有阴离子电泳漆层，所述穿线孔内壁处的阴离子电泳漆槽上还涂覆有胶体二硫化钼涂层，本实用新型优点在于阴离子电泳漆通电上漆而后烤制比直接刷漆更加紧固，涂覆胶体二硫化钼涂层则能够防止穿线孔内壁受到鱼线磨损。
环保

[发明专利]一种石墨烯-二硫化钼复合海绵压力传感器的制备方法-CN202210997076.0在审
发明人：拜永孝;毛哲 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯‑二硫化钼复合海绵压力传感器的制备方法，属于柔性可穿戴技术领域。一种石墨烯‑二硫化钼复合海绵压力传感器的制备方法，包括以下步骤：S1、制备PDMS海绵；S2、制备石墨烯‑二硫化钼复合海绵；S3、将石墨烯‑二硫化钼复合海绵与电极粘附，使电极粘贴在石墨烯‑二硫化钼复合海绵的两侧后，烘干，制得石墨烯‑二硫化钼复合海绵压力传感器；本发明提供的石墨烯‑二硫化钼导电海绵，提高了柔性传感器的灵敏度和探测范围。
一种石墨二硫化钼复合海绵压力传感器制备方法

[发明专利]一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法-CN201910308935.9有效
发明人：江斌;渠开放;吉娜;李桂华;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
一种单层二硫化钼结构半导体器件仿真方法

[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法-CN201710109849.6有效
发明人：徐红燕;李文儒;于焕芹;翟婷 -专利权人：济南大学
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。
一种陶瓷原位生长分级结构二硫化钼纳米方法

[发明专利]聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料的制备方法-CN201610056360.2有效
发明人：尚岩;郑搏英;张桂玲 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料的制备方法，它涉及一种二硫化钼夹层复合材料的制备方法。本发明的目的要解决提高聚硅烷‑二硫化钼复合材料相容性差的问题。方法一、可溶性聚硅烷的制备；二、聚硅烷‑四氢呋喃溶液的制备；三、烷基锂‑二硫化钼夹层物的制备；四、单层二硫化钼分散液的制备；五、夹层反应，即得到聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料。优点具备两者优异性能的同时，非常好地解决了聚硅烷‑二硫化钼复合材料制备过程中的分散性和相容性难题，且制备方法简单，在导电材料、耐磨材料等方面有着潜在的应用价值。本发明主要用制备聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料。
硅烷二硫化钼夹层复合材料制备方法

[发明专利]一种纳米二硫化钼改性海藻酸钠复合材料的制备方法-CN201610223895.4有效
发明人：周艺峰;聂王焰;陈鹏鹏;宣丹丹 -专利权人：安徽大学
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C08L5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二硫化钼改性海藻酸钠复合材料的制备方法，是将海藻酸钠和二硫化钼混合，使用液相剥离法制备功能化的二硫化钼纳米片；使用溶液共混法制备纳米二硫化钼/海藻酸钠复合材料。本发明能显著提高二硫化钼与聚合物基体的相容性，进而为其在高分子聚合物基体中均匀分散，制备高性能功能化纳米二硫化钼/海藻酸钠复合材料提供可能。
一种纳米二硫化钼改性海藻复合材料制备方法

[发明专利]一种镍掺杂二硫化钼/石墨烯三维复合材料的制备方法及应用-CN202010912772.8有效
发明人：董玉涛;张冉;姚虹;张建民 -专利权人：郑州工程技术学院;郑州大学
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂二硫化钼/石墨烯三维复合材料的制备方法及其作为硫宿主材料在锂硫电池正极上的应用，具体步骤如下：（1）利用改进的Hummer's法制备氧化石墨烯胶体溶液；（2）一步水热分子原位生长法制得镍掺杂二硫化钼/石墨烯复合材料水凝胶柱；（3）通过纯水浸洗和冷冻干燥技术得到镍掺杂二硫化钼/石墨烯三维复合材料复合材料。与现有报报道相比，这种具有超薄三明治型结构镍掺杂二硫化钼/石墨烯三维复合材料作为新型锂硫电池硫宿主正极材料及催化剂等领域具有极大的应用前景。
一种掺杂二硫化钼石墨三维复合材料制备方法应用