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[发明专利]一种三氧化钨-二硫化钼型复合光催化剂及其制备方法和应用-CN201910899243.6在审
发明人：白慧;白斌;白冰;马蒙蒙;黄伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种三氧化钨‑二硫化钼型复合光催化剂及其制备方法和应用。本发明提供的三氧化钨‑二硫化钼型复合光催化剂，包括二硫化钼基体和负载在所述二硫化钼基体表面的三氧化钨量子点。在本发明中，二硫化钼和三氧化钨均为窄带隙半导体，使得光催化剂能在可见光激发下产生光生电子空穴对；三氧化钨量子点能够吸收可见光并产生光生电子，通过将其负载到二硫化钼基体表面，使其与二硫化钼形成异质结构，提高了载流子的分离效率，延长了二硫化钼价带上光生电子的寿命，进而提高可见光下分解水产氢速率。
一种氧化钨二硫化钼复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种催化剂用二硫化钼及其制备方法和应用-CN201810301761.9有效
发明人：董明东;李强;王泽高 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种催化剂用二硫化钼及其制备方法和应用。所述制备方法具体为采用将二硫化钼原料置于含水蒸气气氛下加热反应，得到具有高效催化活性的催化剂用二硫化钼。本发明通过水蒸气的刻蚀作用，在二硫化钼平面上产生硫缺陷，大幅度提高二硫化钼的催化活性。本发明方法制备的二硫化钼催化剂具有高的催化活性，操作简单，而且成低廉，效率高，能真正实现公斤级二硫化钼催化剂的制备。不采用对环境危害较大或者毒性较强的化学试剂，对环境无污染，使生产流程大大简化，适合进行工业化生产，在基于二硫化钼的领域具有潜在的实际应用价值。
二硫化钼催化活性制备催化剂二硫化钼催化剂制备方法和应用环境无污染水蒸气气氛水蒸气化学试剂环境危害加热反应刻蚀作用生产流程潜在的应用

[发明专利]一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法-CN201710934027.1有效
发明人：杨森;张垠;姚康康;周超 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括：1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2、制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时；4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性，可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂，跟已有的理论计算结果一致，使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。
一种基于液态浸泡增强单层二硫化钼薄膜铁磁性方法

[发明专利]一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼-石墨烯复合材料的方法-CN201610962902.2有效
发明人：胡平;王快社;陈震宇;常恬;邓洁;杨帆;胡卜亮;李秦伟;周宇航;高原 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明提供了一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼‑石墨烯复合材料的方法，将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应，反应完成后过滤、烘干，得到插层二硫化钼粉末；将步骤一制得的插层二硫化钼粉末与蛋白类物质和水混合并搅拌均匀，干燥、研磨，得到前驱体粉末；前驱体粉末在保护气体下进行还原反应，反应完全后冷却，取出反应产物，研磨后即得到类石墨烯二硫化钼‑石墨烯复合材料。本发明将插层还原合成类石墨烯二硫化钼和石墨烯合成结合，仅用一步即完成了插层二硫化钼的剥离及石墨烯的产生，成功制备了类石墨烯二硫化钼‑石墨烯复合材料。
一种蛋白物质还原制备石墨二硫化钼复合材料方法

[发明专利]一种二硫化钼/银纳米免疫基底材料的制备方法及其可重复免疫检测应用-CN201910625108.2有效
发明人：牛志强;姜涛;庄文婷;陈颖;顾辰杰;姜勇;王福艳 -专利权人：宁波大学;吉林交通职业技术学院
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/银纳米免疫基底材料的制备方法及其可重复免疫检测应用，特点是包括以下步骤：1）二硫化钼纳米材料的制备；2）将二硫化钼纳米材料溶液旋涂在干净硅片上真空干燥后，采用磁控溅射的方法于硅片表面溅射一层Ag纳米颗粒得到二硫化钼/银纳米材料，3）将抗体连接到二硫化钼/银纳米材料上后得到二硫化钼/银纳米免疫基底材料；其免疫检测方法如下：将待测抗原滴加到二硫化钼/银纳米免疫基底材料上孵育后，滴加金纳米棒免疫探针溶液后进行光谱测量，经催化降解后二硫化钼/银纳米材料可实现对癌症标志物的可重复免疫检测，优点是检测限低且可重复循环利用。
一种二硫化钼纳米免疫基底材料制备方法及其重复检测应用

[发明专利]一种构筑界面液滴调节二硫化钼摩擦力的方法-CN202111628833.9有效
发明人：李强;许铭源;张德良 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C10M103/06 文献下载
摘要：本发明提供一种构筑界面液滴调节二硫化钼摩擦力的方法。本发明方法包括步骤：将聚甲基丙烯酸甲酯溶液均匀的涂覆在生长有单层二硫化钼硅基底的二硫化钼面上，然后进行退火得到PMMA/二硫化钼/硅基底；经刻蚀液、洗涤得到PMMA/二硫化钼复合膜，并保存于去离子水中；将复合膜转移至基底上，进行退火处理；然后去除PMMA膜，经退火处理得到二硫化钼/基底。本发明方法通过构筑不同大小的界面液滴，可以实现调节单层二硫化钼原子级厚度的形变性能以及面内应力，从而有效控制它的摩擦性能，并且可以降低单层二硫化钼的摩擦力，增强润滑性能。
一种构筑界面调节二硫化钼摩擦力方法

[发明专利]一种高体积容量的金属相二硫化钼电极及其制备方法和超级电容应用-CN202210022729.3有效
发明人：薄拯;杨化超;程向南;严建华;岑可法 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极，该高体积容量的金属相二硫化钼电极包括了金属相二硫化钼纳米片和嵌入纳米片层间的溶剂化离子。本发明还公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极的制备方法。本发明还公开了一种金属相二硫化钼薄膜电极及其制备方法。本发明还公开了一种非对称二硫化钼||活性炭超级电容。该发明通过在纳米片层间嵌入溶剂化离子的方式，提高了二硫化钼金属相的纯度和纳米片的层间距，克服了因电极厚度增加导致的电化学性能严重衰减的问题，实现了金属相二硫化钼薄膜电极在亚毫米厚度下的高比体积性能。
一种体积容量金属二硫化钼电极及其制备方法超级电容应用

[发明专利]二硫化钼-硫化锑复合材料及其制备方法和应用-CN201710174919.6有效
发明人：袁兴中;王惠;曾光明;王侯;陈晓红;吴志斌;蒋龙波;熊婷;张进 -专利权人：湖南大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼‑硫化锑复合材料及其制备方法和应用，该二硫化钼‑硫化锑复合材料包括二硫化钼和硫化锑，二硫化钼掺杂在硫化锑中。制备方法包括先用钼酸钠和硫代乙酰胺经水热法合成二硫化钼，将二硫化钼超声分散在氢氧化钠溶液后紧接着加入九水硫化钠，再将含氯化锑的盐酸溶液逐滴加入含二硫化钼和硫化钠的氢氧化钠溶液中形成前驱体，最后经加热得到二硫化钼‑硫化锑复合材料。
二硫化钼硫化锑复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二硫化钼复合材料及其制备方法和用途-CN201811130165.5有效
发明人：刘碧录;罗雨婷;邹小龙;唐磊 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼复合材料及其制备方法和用途。所述二硫化钼复合材料包括由二硫化钼和碳化钼构成的异质结结构；通过在导电基底上利用水热法制备二硫化钼，再通过高温气相法将其表面部分碳化，从而形成二硫化钼/碳化钼异质结结构；利用上述制备方法能实现一系列二硫化钼/碳化钼异质结结构的可控制备。本发明所提供的二硫化钼/碳化钼异质结结构可作为析氢电催化剂，其在酸性和碱性电解液中都具有电催化活性高、稳定性好的优点，并且适用于工业水平的大电流密度电解水产氢，在电解水产氢工业领域具有良好的应用前景。
一种二硫化钼复合材料及其制备方法用途

[发明专利]一种铁掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法和应用-CN201710801352.0有效
发明人：曹辉亮;唐楷为;刘宣勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法和应用，所述铁掺杂二硫化钼涂层材料包括原位生长于金属基底表面的掺杂有铁元素的二硫化钼纳米片，所述铁掺杂二硫化钼涂层材料中铁元素的掺杂量为1～4wt%。本发明在医用钛钛合金表面构建铁掺杂二硫化钼层，使其抗菌效果明显提高。
一种掺杂二硫化钼涂层材料及其制备方法应用

[发明专利]一种功能化改性二硫化钼纳米片的制备方法-CN202010503056.4有效
发明人：邢伟义;邱水来;王鑫;胡源;宋磊;邹斌 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功能化改性二硫化钼纳米片的制备方法，首先通过球磨法将六氯环三磷腈和盐酸胍与给定量的二硫化钼粉末均匀混合制备出二硫化钼纳米片前驱体，然后将前驱物放入石英炉中，通过退火程序制备元素掺杂纳米片，最后以原位生长方式将硼化钴纳米片修饰在二硫化钼纳米片表面，从而获得功能化改性二硫化钼纳米片。本发明提供的功能化改性二硫化钼纳米片制备方法简单，成本低，表面改性剂含量高。制得的改性二硫化钼纳米片具有多功能性，如可作为新型固体润滑材料或具有协同作用的杂化阻燃剂等。此外，功能化改性二硫化钼可改善二硫化钼纳米片在聚合物基体中的分散状态和相容性，有利于提高聚合物材料的综合性能。
一种功能改性二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种能稳定存在的二硫化钼纳米润滑油及其制备方法-CN202210113765.0有效
发明人：胡成志;易昌利;白敏丽;李晓杰;唐大伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明公开一种能稳定存在的二硫化钼纳米润滑油及其制备方法，其中，二硫化钼纳米润滑油由二硫化钼粉末、分散剂混合液和基础油组成；二硫化钼纳米润滑油中，分散剂混合液的质量分数为8～15wt％，二硫化钼粉末的质量分数为0.1～1.0wt％；其制备方法包括：将二硫化钼粉末加入到分散剂混合液中，得到混合反应体系；对混合反应体系加热并进行磁力搅拌，反应结束后自然冷却，得到分散剂修饰改性二硫化钼混合液；将所述分散剂修饰改性二硫化钼混合液与所述基础油混合，并进行超声分散处理，得到二硫化钼纳米润滑油。
一种稳定存在二硫化钼纳米润滑油及其制备方法

[发明专利]一种单层二硫化钼薄膜的制备方法-CN202011299451.1在审
发明人：王欣然;王子玄;李涛涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备，制备过程包括如下步骤：将硫源、衬底置于管式炉的外管中，分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度；将二硫化钼源置于管式炉的内管中，加热二硫化钼源至第二温度，第二温度为500℃～550℃；通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底；通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底，在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜；第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解，与现有方法中需将钼源加热并维持在生长温度(1000℃以上)相比，大大降低了钼源温度，可快速低成本地制备出单层二硫化钼薄膜。
一种单层二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种二硫化钼的基底转移方法-CN201610178692.8在审
发明人：张艳锋;马冬林;史建平 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼的基底转移方法。它包括如下步骤1)将生长有二硫化钼的生长基底放在匀胶机上，在生长基底有二硫化钼的一面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液，启动匀胶机匀胶，使聚甲基丙烯酸甲酯溶液在二硫化钼上成膜，得到涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底；2)将步骤1)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底放入去离子水中超声，使涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼一面与生长基底脱离；3)使用目标衬底与步骤2)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼贴合；4)将步骤3)中二硫化钼浸入有机溶剂中除去聚甲基丙烯酸甲酯，得到目标衬底上的二硫化钼。
一种二硫化钼基底转移方法

[发明专利]一种少层二硫化钼纳米片的制备方法-CN202310323935.2在审
发明人：梅青松;廖凌祎;陈子豪;彭宇琦;谭媛媛;张国栋;杨兵;李成林;万亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种少层二硫化钼纳米片的制备方法，属于纳米结构的制造或处理技术领域。本发明方法首先将二硫化钼颗粒放置于金属材质的容置件内，在室温无润滑条件下对其进行连续多次累积轧制；在轧制力作用下容置件发生塑性变形，使二硫化钼内部层与层之间受到平行于轧制方向的剪切应力，并随之发生变形。由于变形的原因，产生应力集中，使得硫‑钼键发生断裂，同时该剪切应力大于二硫化钼内部层间的范德瓦耳斯力，导致二硫化钼沿平行于轧制方向剥离。随着轧制总道次增加，二硫化钼逐渐剥离形成层状二硫化钼纳米片，且层数逐渐减少。该方法使用原料为二硫化钼，所需设备为工业化的生产设备，操作简单、成本低廉、无化学污染。
一种二硫化钼纳米制备方法