专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单层荧光纳米硫化钼的制备方法-CN201410574973.6有效
  • 张学记;代文浩;孟祥丹;何柄谕;董海峰 - 北京科技大学
  • 2014-10-23 - 2015-03-11 - C01G39/06
  • 本发明涉及的是一种简单“绿色”的方法合成单层荧光纳米硫化钼,属于生物医药领域。其特征是通过溶剂将粒径为微米级别的硫化钼粉末分散,借助于超声的手段,使硫化钼粉末分层断裂,接着离心、真空干燥、纯化从而制得纳米硫化钼,为了增加纳米硫化钼的溶解性,在溶剂中加入氢氧化钠。制得的纳米硫化钼材料单层率好,荧光稳定性好,量子产率高。本方法不产生对环境有害的物质,合成过程简单,制备得到的荧光纳米硫化钼,与其它纳米载体相比,它的优点有:载药量大、毒性小、细胞中示踪,受外界干扰小等。
  • 一种单层荧光纳米二硫化钼制备方法
  • [发明专利]基于MoS2-CN202010284433.X有效
  • 曾祥斌;鲁基昌;王文照;陆晶晶;王士博;胡一说;肖永红;王君豪;周宇飞;袁俊茹;王曦雅 - 华中科技大学
  • 2020-04-13 - 2022-04-15 - H01L29/808
  • 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法,其中的基于MoS2的同质结结型场效应管,包括:硅衬底、N型硫化钼薄膜、P型硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极;所述N型硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧,所述P型硫化钼薄膜嵌入于所述N型硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面;所述栅电极设于所述P型硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面,所述源电极与所述漏电极设于所述N型硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面,且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
  • 基于mosbasesub
  • [发明专利]铝硅合金硫化钼轴瓦-CN201110410977.7无效
  • 鹿正恒 - 河南省恒丰汽车配件制造有限公司
  • 2011-12-03 - 2012-06-13 - F16C33/12
  • 本发明公开了一种铝硅合金硫化钼轴瓦,包括钢背层(1)、铝硅合金层(2)及硫化钼层(3),在钢背层(1)置有铝基合金层(2),在铝硅合金层(2)上置有硫化钼层(3)。由于铝硅合金硫化钼轴瓦的轴瓦内表面采用新材料和硫化钼层概念发明设计,不但降低材料成本费用,而且满足环保、大功率、大扭矩发动机的技术要求。尤其是硫化钼层的使用,更能体现自润滑、高抗磨的轴瓦性能,使得硫化钼层的自润滑能力提高,有效地减少了发动机在启动时因缺少润滑油而产生的轴瓦内表面与轴径之间的摩擦,从而延长使用寿命。
  • 合金二硫化钼轴瓦
  • [发明专利]一种对对偶件磨损小的摩擦材料的制备方法-CN201210305780.1有效
  • 缪卫巍 - 缪卫巍
  • 2012-08-24 - 2012-11-28 - C08J5/14
  • 本发明公开了一种对对偶件磨损小的摩擦材料的制备方法,所述摩擦材料以重量份计由下列组份组成:丁氰改性酚醛树脂16-18份,芳纶纤维2-3份,铝纤维3-5份、蛭石纤维7-9份,碳酸钙晶须5-7份,-200目氧化硅4-6份,-250目电熔莫来石3-5份,胶体硫化钼2-4份,40-60目鳞片石墨2-3份,-120目鳞片石墨5-7份,-200目硫化锑粉3-5份,-200目硫酸钡10-12份;所述的制备方法为:配料,将除鳞片石墨和胶体硫化钼外的其余原料投入到混料机内混合约4-6小时,然后放入胶体硫化钼以及两种鳞片石墨再混合约3-5小时;在压制压力约26-28MPa、温度为约175-185℃下进行热压成型,压制速度为约
  • 一种对偶磨损摩擦材料制备方法
  • [发明专利]一种硫化锡/硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法-CN202210479949.9在审
  • 舒海波;盛创伟;张铭松;张颖;黄杰 - 中国计量大学
  • 2022-05-05 - 2022-08-30 - C23C16/30
  • 本发明公开了一种硫化锡/硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法,其制备方案包括以下步骤:首先以氧化粉末和硫粉作为反应前驱体,氩气作为载气,在双温区管式炉中加热反应生长出单层硫化钼;然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体,氩气作为载气,以生长有硫化钼的衬底作为生长基底,在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和维单层的硫化钼所构成,所述硫化锡纳米线外延生长在所述硫化钼的表面;该异质结材料化学性质稳定,光谱响应范围宽,且具有II型的能带结构便于光生载流子分离,在光电器件领域具有广泛的应用前景本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
  • 一种硫化二硫化钼混合维度范德华异质结制备方法

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