“背照式图像传感器 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11943691个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头-CN201910368284.2在审
发明人：林峰;叶果 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头。背照式图像传感器芯片上设置有透光孔，透光孔贯穿衬底和位于衬底上的器件层，使光线能直接通过背照式图像传感器芯片。内窥镜探测头，包括背照式图像传感器芯片，以及与背照式图像传感器芯片堆叠设置的光源模块；光源模块设置于远离背照式图像传感器芯片的像素的一侧，内窥镜探测头在垂直于探测头轴线的横截面内可有充分面积制作背照式图像传感器芯片，相应的背照式图像传感器芯片可制作较多的像素，像素面积增大，提升了成像质量，同时光源模块堆叠设置在背照式图像传感器芯片上，光源模块也有充分的面积，可提供成像需要的足够的光亮度，提升成像质量。
背照式图像传感器芯片探测头内窥镜光源模块像素成像透光孔制作衬底堆叠设置面积增大芯片堆叠器件层垂直贯穿

[发明专利]一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法-CN202010340344.2有效
发明人：蔡小虎;温建新 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器芯片的封装结构，包括背照式图像传感器芯片、基板、键合板、封装层和玻璃盖板，其中，背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元，基板外圈包括凹槽；所述背照式图像传感器芯片背面通过粘贴层与所述基板内圈粘合；所述背照式图像传感器芯片正面与所述键合板键合，所述封装层覆盖在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面，且所述封装层填充所述凹槽；所述玻璃盖板位于所述封装层上表面。本发明提供的一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法，可以有效保护引线、减小空腔体积、增大封装结构整体结合力，延长背照式图像传感器芯片的使用寿命。
一种背照式图像传感器芯片封装结构方法

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510390379.6在审
发明人：林峰;肖海波 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，所述背照式图像传感器晶圆包括一片载体晶圆以及两片器件晶圆，所述两片器件晶圆分别位于所述载体晶圆的正面和背面。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆切割、封装得到。通过两片器件晶圆进行感光，所述背照式图像传感器晶圆和芯片便可双面感光。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器-CN201711084283.2有效
发明人：万贺;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器，背照式图像传感器包括：感光器件层、金属互连层、微透镜阵列、信号处理与电压转换电路阵列及电致发光薄膜阵列。本发明的背照式图像传感器通过在微透镜上设置电致发光薄膜，且电致发光薄膜外接可以放大光信号的信号处理与电压转换电路，可以在光线很微弱的条件下输出得到非常清晰的图像，使得所述图像传感器在光线较弱的暗环境下也可以正常使用，大大拓展了背照式图像传感器的使用范围；同时，本发明的背照式图像传感器不需要滤光片。
背照式图像传感器

[发明专利]背照式图像传感器的切割方法及切割装置-CN202111282351.2在审
发明人：赵立新;夏欢 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种背照式图像传感器的切割方法及其切割装置，该方法包括:通过至少一次激光从背照式图像传感器的入射光面进行切割，并控制切割的深度使背照式图像传感器的感光单元下方的第一金属互连层不被切割，避免因激光切割产生的铜花以及减少后续机械切割产生的崩缺；通过至少一次机械切割对背照式图像传感器进行切割，获得相互分离的背照式图像传感器，从而提高背照式图像传感器的强度。本发明实施例通过机械切割第一金属互联层的低介电常数材料和铜质材料，可以避免因激光切割产生的铜花以及减少机械切割产生的图像传感器的崩缺。
背照式图像传感器切割方法装置

[发明专利]减少图像传感器中的串扰的设备和方法-CN201310020044.6有效
发明人：林政贤;杨敦年;刘人诚;许慈轩;蔡双吉;高敏峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于减小图像传感器中的串扰的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆中形成隔离区域，其中，该隔离区域包围着光电有源区域，在该光电有源区域中从背照式图像传感器晶圆的背面形成开口，并且利用介电材料覆盖该开口的上端，从而形成了嵌在背照式图像传感器晶圆的隔离区域中的气隙。本发明还提供了一种减少图像传感器中的串扰的设备和方法。
减少图像传感器中的设备方法

[发明专利]背照式图像传感器封装结构及其制备方法-CN201711123342.2在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器封装结构及其制备方法，背照式图像传感器封装结构包括支撑衬底；背照式图像传感器，位于支撑衬底上；激光通孔，位于支撑衬底内，且上下贯穿支撑衬底；介质层，位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面；导电栓塞，位于激光通孔内，且与背照式图像传感器电连接；重新布线层，位于介质层的表面，且与导电栓塞电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离介质层的表面，且与重新布线层电连接。本发明通过在支撑衬底内形成激光通孔作为将背照式图像传感器电学引出的引出通孔，不涉及硅通孔工艺，可以有效节省工艺步骤，大大缩短工艺时间，节省光阻及掩膜的使用，大大节约成本。
背照式图像传感器封装结构及其制备方法

[发明专利]背照式图像传感器结构及其制备方法-CN202211446499.X有效
发明人：刘哲儒;郑志成;林豫立;郭哲劭;陈冠中 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种背照式图像传感器结构及其制备方法。背照式图像传感器结构包括：背照式图像传感器和金属电容接地结构；背照式图像传感器包括衬底，衬底包括相对的正面及背面；衬底的背面具有感光区及位于感光区外围的外围电路区；金属电容接地结构至少位于衬底的背面，且位于感光区与外围电路区之间本申请通过在衬底的背面增加金属电容接地结构，一方面，金属电容接地结构通过连接衬底可以实现接地，使得在衬底表面因其他制程而累积的电荷可以通过金属电容接地结构导入到衬底的效果，从而降低甚至消除暗电流，提供背照式图像传感器结构的成像品质，使得背照式图像传感器结构的成像可靠性更加稳定。
背照式图像传感器结构及其制备方法

[实用新型]背照式图像传感器封装结构-CN201721512629.X有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背照式图像传感器封装结构，背照式图像传感器封装结构包括：支撑衬底；背照式图像传感器，位于支撑衬底上；激光通孔，位于支撑衬底内，且上下贯穿支撑衬底；介质层，位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面；导电栓塞，位于激光通孔内，且与背照式图像传感器电连接；重新布线层，位于介质层的表面，且与导电栓塞电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离介质层的表面，且与重新布线层电连接。本实用新型通过在支撑衬底内形成激光通孔作为将背照式图像传感器电学引出的引出通孔，不涉及硅通孔工艺，可以有效节省工艺步骤，大大缩短工艺时间，节省光阻及掩膜的使用，大大节约成本。
背照式图像传感器衬底激光通孔支撑重新布线层封装结构电连接介质层本实用新型导电栓塞工艺步骤焊料凸块上下贯穿硅通孔电学侧壁光阻通孔掩膜节约

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510662076.5在审
发明人：林峰;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，其中，所述背照式图像传感器晶圆包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆制得。由此即使在暗光条件下，所述背照式图像传感器晶圆及芯片也能获得较佳的图像采集性能。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法-CN201911194938.0有效
发明人：张磊;姬峰;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述背照式图像传感器中，像素与逻辑器件衬底正面设置有互连金属层，背面设置有高K材料钝化层，并且在背面一侧设置有位于像素阵列区和外围逻辑区之间的隔离沟槽，隔离沟槽隔断高K材料钝化层且深度未超过互连金属层。高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而隔离沟槽可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提高所述背照式图像传感器的性能。本发明提供的背照式图像传感器的制作方法可用于制作上述背照式图像传感器。
背照式图像传感器及其制作方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202111555383.5在审
发明人：尹鹏;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，该背照式图像传感器及背照式图像传感器的制造方法中，在半导体衬底的外围区域设置或形成了隔离墙，利用隔离墙将光敏区域与外围区域的电路元件和参考像素隔开，隔离墙的隔离方式为物理隔离，可以将电路元件以及参考像素产生的漏电流有效隔离在光敏区域外，从而解决了背照式图像传感器的光敏区域边缘发光问题。
背照式图像传感器及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器-CN201711282559.8在审
发明人：高俊九;李志伟;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器。所述背照式图像传感器的制造方法，包括如下步骤提供一衬底，并采用光刻工艺在衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域；在所述衬底表面沉积金属材料，以在所述像素区域形成金属层、并在所述周边区域形成焊垫本发明减少了背照式图像传感器的光刻次数，降低了背照式图像传感器制造成及工艺复杂度。
背照式图像传感器制造方法

[发明专利]提高背照式红外图像传感器性能的方法-CN201510901227.8有效
发明人：赵立新 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种提高背照式红外图像传感器性能的方法，包括：光线照射至背照式红外图像传感器；背照式红外图像传感器具有深度大于等于10微米的半导体层适于吸收光线中的近红外光线。
提高背照式红外图像传感器性能方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202211212275.2在审
发明人：高得妍;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，应用于半导体技术领域中。具体的，在本发明提供的背照式图像传感器的制造方法中，通过调整形成在背照式图像传感器堆叠结构的顶面上的BSGND结构与背照式图像传感器堆叠结构中的像素晶圆内的像素区域(pixel)的距离来实现减小像素区域(pixel)周围的硅衬底的损伤，从而减少器件暗电流的产生，进而减少漏电现象的问题，最终实现提高暗光下的图像质量的目的。
背照式图像传感器及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条