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[发明专利]载置台和等离子体处理装置-CN201980004528.7在审
发明人：林大辅;高桥智之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：用于载置基板的载置台具有：基台，其在内部具备吸附电极；聚焦环，其设于所述吸附电极的上方，并被吸附保持在所述基台上；以及沉积物控制环，在所述基台上、且是所述聚焦环的径向内侧设置该沉积物控制环。在所述聚焦环与所述沉积物控制环的沿着径向之间形成有使该聚焦环与沉积物控制环分离开的间隙。
载置台等离子体处理装置

[发明专利]一种可调占空比的激光熔覆装置-CN202210198278.9在审
发明人：李加强;金磊;朱刚贤;石世宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调占空比的激光熔覆装置，包括镜座、抛物聚焦镜、固定锥镜、活动锥镜和粉嘴；固定锥镜和抛物聚焦镜均为环状结构，活动锥镜和固定锥镜二者的反射面均与抛物聚焦镜的反射聚焦面相对设置，以将自抛物聚焦镜的中轴方向的入射光束沿周向反射至反射聚焦面，并由反射聚焦面反射聚焦；镜座包括设于外周的第一环状固定部、设于内周的第二环状固定部以及连接第一环状固定部和第二环状固定部的筋板；抛物聚焦镜固定于第一环状固定部，固定锥镜固定于第二环状固定部，还包括穿设于第二环状固定部并带动活动锥镜沿所述抛物聚焦镜的中轴方向移动的运动调节件
一种可调激光装置

[实用新型]一种可调占空比的激光熔覆装置-CN202220442515.7有效
发明人：李加强;金磊;朱刚贤;石世宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调占空比的激光熔覆装置，包括镜座、抛物聚焦镜、固定锥镜、活动锥镜和粉嘴；固定锥镜和抛物聚焦镜均为环状结构，活动锥镜和固定锥镜二者的反射面均与抛物聚焦镜的反射聚焦面相对设置，以将自抛物聚焦镜的中轴方向的入射光束沿周向反射至反射聚焦面，并由反射聚焦面反射聚焦；镜座包括设于外周的第一环状固定部、设于内周的第二环状固定部以及连接第一环状固定部和第二环状固定部的筋板；抛物聚焦镜固定于第一环状固定部，固定锥镜固定于第二环状固定部，还包括穿设于第二环状固定部并带动活动锥镜沿所述抛物聚焦镜的中轴方向移动的运动调节件
一种可调激光装置

[发明专利]基板载置构造体和等离子体处理装置-CN201910166755.1有效
发明人：南雅人;町山弥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基板载置构造体(130)具备载置台(150)、聚焦环(131)以及支承构件(132)。聚焦环(131)包围供基板(W)载置的载置台(150)的载置面(152a)且配置于比载置面低的位置。支承构件(132)配置于聚焦环(131)的下侧并支承聚焦环。另外，聚焦环(131)具有上部环构件(131a)和下部环构件(131b)。下部环构件(131b)构成聚焦环(131)的下部并覆盖支承构件(132)。上部环构件(131a)构成聚焦环(131)的上部，其载置台(150)侧的侧面(1310)的至少一部分与载置台的侧面之间的距离比下部环构件(131b)的载置台(150)侧的侧面(1311)与载置台的侧面之间的距离长
基板载置构造等离子体处理装置

[实用新型]一种镜框一体化自动聚焦镜头-CN202021894472.3有效
发明人：苏炳坤 -专利权人：厦门力鼎光电股份有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G02B7/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镜框一体化自动聚焦镜头，其包括主筒、镜框、聚焦机构及光阑调节机构；主筒为中空结构；聚焦机构包括前调节组件和前调节环，前调节组件设置于主筒上，通过前调节组件驱动前调节环旋转，以调节镜框相对主筒的远近距离实现快速聚焦；光阑调节机构包括光阑、后调节组件及后调节环，光阑设置于镜框中，后调节环与光阑相连接，通过后调节组件驱动后调节环旋转，以调节光阑通光孔的大小。本实用新型由前调节组件驱动前调节环旋转，通过前调节环调节镜框相对主筒的远近距离实现快速聚焦，由后调节组件驱动后调节环旋转，通过后调节环调节光阑通光孔的大小，使得镜头实现自动调焦，且聚焦调节更方便、聚焦的精度更高
一种镜框一体化自动聚焦镜头

[发明专利]结合型聚焦环-CN202080075253.9在审
发明人：朴珍庆 -专利权人： TEM株式会社
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明涉及将聚焦环分离为多个而组装，由此可以仅更换暴露于等离子体而发生蚀刻消耗的部分的结合型聚焦环，其特征在于，其包括：上部等离子体暴露环，其放置在静电吸盘的上部外侧；下部导热支承环，其紧贴到上述上部等离子体暴露环的下部而被组装；结合环，其组装到上述下部导热支承环的外侧；第一结合部，其将上述上部等离子体暴露环和下部导热支承环结合；及第二结合部，其将上述上部等离子体暴露环和结合环结合。
结合聚焦

[发明专利]镜头聚焦调节环-CN201210011899.8无效
发明人：张盛华 -专利权人：张盛华
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了镜头聚焦调节环，其包括齿条，齿条的一端卡在第一连接块上，另一端卡在第二连接块上，多出的部分可穿过第一连接块的凹槽，两连接块通过螺铨连接。松开螺铨，将齿条另一端不同的部位卡在第二连接块上，拧紧螺铨就可得到不同内径的镜头聚焦调节环，以适合不同摄像机或照相机的组装需求，从而有效降低摄像机或照相机的生产成本。而且，旋转调节环时，可按着连接块，这样就可增大旋转半径，方便调节。
镜头聚焦调节

[实用新型]镜头聚焦调节环-CN201220016709.7有效
发明人：张盛华 -专利权人：张盛华
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了镜头聚焦调节环，其包括齿条，齿条的一端卡在第一连接块上，另一端卡在第二连接块上，多出的部分可穿过第一连接块的凹槽，两连接块通过螺铨连接。松开螺铨，将齿条另一端不同的部位卡在第二连接块上，拧紧螺铨就可得到不同内径的镜头聚焦调节环，以适合不同摄像机或照相机的组装需求，从而有效降低摄像机或照相机的生产成本。而且，旋转调节环时，可按着连接块，这样就可增大旋转半径，方便调节。
镜头聚焦调节

[发明专利]调焦机构与投影装置-CN202010279727.3在审
发明人：陈启晟;李长青 -专利权人：中强光电股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种调焦机构，包括定位座、聚焦环、镜头以及旋钮。镜头具有光轴。定位座具有第一表面、相对于第一表面的第二表面以及贯穿第一表面与第二表面的滑槽。聚焦环可滑动且可转动地配置于定位座的第二表面，并且镜头固设于聚焦环。聚焦环具有定位孔，其中聚焦环位于定位座与镜头之间，且定位孔在垂直于光轴的方向上对位于滑槽。旋钮穿过滑槽并插入定位孔。在本发明的调焦机构与投影装置可防止聚焦环与固设于聚焦环的镜头受外力作用而晃动，从而避免失焦的情况发生。
调焦机构投影装置

[发明专利]用于半导体处理的锥形晶片居中和保持装置-CN201780079265.7在审
发明人：普尔凯特·阿加瓦尔;伊时塔克·卡里姆;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;金宋杰;帕特里克·布莱琳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种半导体系统包括室、设置在所述室中的基座和围绕基座的聚焦环。所述基座具有用于支撑衬底(例如晶片)的中心区域的中央区域。所述聚焦环被构造成围绕所述基座的所述中央区域。所述聚焦环具有环形支撑区域，该环形支撑区域在所述聚焦环的内部部分和所述聚焦环的外部部分之间延伸。以相对于水平线成角度设置的所述环形支撑区域在所述衬底存在于所述基座的所述中央区域和所述聚焦环的所述环形支撑区域上方时，为所述衬底提供刀刃式接触。衬底的边缘和聚焦环的环形支撑区域之间的刀刃式接触使得能够化学品不能进入衬底背面，从而减少不希望有的背面沉积。
聚焦环环形支撑区域中央区域衬底晶片刀刃半导体处理半导体系统成角度设置保持装置衬底背面衬底提供中心区域化学品沉积背面中和外部延伸支撑

[发明专利]提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法-CN202111399235.9在审
发明人：昂开渠;唐在峰;许进 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，包括：步骤一、提供一件式结构的第一聚焦环；步骤二、在刻蚀腔中采用刻蚀膜层的刻蚀工艺对第一聚焦环进行劳损测试并得到第一聚焦环的受损范围；步骤三、根据受损范围设置二件式结构的第二聚焦环，第二聚焦环由第一集中环和第二外侧保护环组成，第一集中环的材料和第一聚焦环的材料相同；第一集中环的外侧边缘位于第二外侧保护环的内外侧边缘之间，第一集中环的外侧边缘的直径延伸到至少将受损范围完全包覆；步骤四、采用设置有第二聚焦环的刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺。本发明能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，还能满足刻蚀速率稳定性的要求。
提高刻蚀速率稳定性方法

[实用新型]下电极组件和等离子体处理装置-CN202022725312.2有效
发明人：裴江涛;连增迪;左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。
电极组件等离子体处理装置

[发明专利]一种聚焦环、包括该聚焦环的半导体设备及其应用-CN200710178287.7无效
发明人：霍秀敏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚焦环，其中，在聚焦环底部设置小孔，优选，小孔设置在聚焦环的内边缘；该聚焦环底部的小孔优选呈对称设置，至少设置两个小孔，小孔的孔径为1～5mm。本发明还公开了一种半导体设备，该半导体设备包括本发明的聚焦环。而且，本发明也提供了一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法，其中，所用聚焦环为本发明的聚焦环，在每个工艺步骤的过程中，通过聚焦环底部的小孔向加工件背面通入惰性气体；通入的惰性气体为氩气或氦气，惰性气体的流量为
一种聚焦包括半导体设备及其应用

[发明专利]静电卡盘装置-CN201080056197.0有效
发明人：佐佐木康晴;增泽健二;真壁晓之;小坂井守;佐藤隆;石村和典;早原龙二;河野仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社;住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
静电卡盘装置

[发明专利]聚焦环、等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN200910165205.4有效
发明人：辻本宏;永岩利文;半田达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。
聚焦等离子体处理装置方法