专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]缺陷标准-CN201320804370.1有效
  • 吴浩;李鹤鸣;杨瑞海 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2013-12-09 - 2014-06-04 - H01L21/66
  • 本实用新型提出了一种缺陷标准片,用于监测缺陷扫描机台的稳定性和精度,包括:设有M个缺陷区域的半导体衬底,形成于缺陷区域上的N层隔离层以及分别形成在第一层隔离层的第一个缺陷区域、第二层隔离层的第二个缺陷区域、第N层隔离层的第M个缺陷区域的多个缺陷。将缺陷分布在不同隔离层的不同缺陷区域上,由于缺陷的分布呈阶梯型,在对缺陷扫描机台进行稳定性以及精度检测时,本实用新型提出的缺陷标准片较之现有技术中单一平面分布对缺陷扫描机台的精度要求更高,因此能够十分灵敏的监测缺陷扫描机台的稳定性以及精度
  • 缺陷标准
  • [发明专利]一种显示面板的缺陷的灰阶补偿方法及灰阶补偿系统-CN201410834528.9有效
  • 胡厚亮;郭平昇;朱立伟 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2014-12-29 - 2015-03-25 - G09G3/32
  • 本发明公开一种显示面板的缺陷的灰阶补偿方法,包括步骤:A)获取显示面板的缺陷的位置坐标,并基于缺陷的位置坐标确定缺陷所在的缺陷区域;B)获取缺陷的伽马曲线、缺陷区域的背景的伽马曲线以及显示面板的背景的标准伽马曲线;C)基于缺陷的伽马曲线、缺陷区域的背景的伽马曲线以及显示面板的背景的标准伽马曲线获取缺陷标准伽马曲线以及缺陷区域的背景的标准伽马曲线;D)基于缺陷标准伽马曲线以及缺陷区域的背景的标准伽马曲线计算缺陷的各灰阶的灰阶补偿值本发明还公开一种显示面板的缺陷的灰阶补偿系统。本发明的显示面板的缺陷的灰阶补偿方法及灰阶补偿系统,其能够大幅度减小计算量,并且能够对缺陷的补偿达到最好的效果。
  • 一种显示面板缺陷补偿方法系统
  • [发明专利]精密零件表面缺陷修复系统及修复方法-CN201610574641.7在审
  • 魏永超;傅强;黎新;敖良忠;邓伟;赖安卿;王瀚艺;赵伟 - 中国民用航空飞行学院
  • 2016-07-21 - 2016-12-07 - G06Q10/04
  • 本发明公开了一种精密零件表面缺陷修复系统及修复方法。修复系统包括三维扫描系统、标准零件模块、喷涂模块、缺陷零件模块、比较模块和喷枪;三维扫描系统用于扫描采集标准零件和缺陷零件的型面数据;标准零件模块用于建立标准零件模型;喷涂模块根据标准零件的表面喷涂参数建立喷涂作业数据库;缺陷零件模块用于建立缺陷零件模型;比较模块将缺陷零件的表面数据与对应标准零件的表面数据进行对比,建立表面缺陷区域的型面数据和模型,并反演建立缺陷零件表面缺陷区域的喷涂修复路径,将建立的喷涂修复路径与标准零件表面喷涂参数进行对比优化,向喷枪输出表面缺陷区域修复的表面喷涂参数;喷枪对缺陷零件的表面缺陷区域进行针对性的喷涂修复。
  • 精密零件表面缺陷修复系统方法
  • [实用新型]槽型轨的标准缺陷样轨-CN201620632521.3有效
  • -
  • 2016-06-22 - 2017-01-04 - G01N29/30
  • 本实用新型公开了一种槽型轨的标准缺陷样轨。该标准缺陷样轨由顶端至底端依次包括轨头、轨腰和轨底;轨头和轨腰之间,以及轨腰和轨底之间圆弧过渡;轨腰上由上至下依次设置有六个第一标准缺陷平底孔;并且相邻的第一标准缺陷平底孔之间的间距相等;轨头上设置有导向槽;轨头的右侧端面上设置有一个第二标准缺陷平底孔;第二标准缺陷平底孔位于导向槽的下方;轨底和轨腰的连接处设置有第一横通孔;第一标准缺陷平底孔的直径为2mm,深度为6mm;第二标准缺陷平底孔的直径为2mm,采用本实用新型提供的标准缺陷样轨可以保证槽型轨各个部位的缺陷检测,保证槽型轨的探伤质量的稳定性。
  • 槽型轨标准缺陷
  • [发明专利]一种缺陷检测用标准-CN201810161947.9有效
  • 任书铭 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2018-02-27 - 2021-07-02 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种缺陷检测用标准片,该缺陷检测用标准片,包括:基底;设置于基底上的薄膜层,薄膜层包括多个曝光场,曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元,比对单元包括标准比对单元和缺陷比对单元,标准比对单元和缺陷比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域本发明提供的技术方案,只在基底上设置单层薄膜层,工艺结构层简单,制作方便,每个比对单元中包括至少两个不同检测类型的检测区域,可以验证设备的多种类型缺陷的检出性能,解决了现有技术中缺陷检测用标准片结构复杂且只能验证单一缺陷检出性能的问题,实现了可以通过简单结构的缺陷检测用标准片对设备多种缺陷的检出性能进行全面验证的目的。
  • 一种缺陷检测标准
  • [发明专利]一种TOFD探伤对比试块-CN202010415713.X在审
  • 王广星;边永丰;张微微;鹿曼曼;张习习;段元伟 - 山东瑞祥模具有限公司
  • 2020-05-16 - 2020-07-17 - G01N29/30
  • 一种TOFD探伤对比试块,包括标准块A、标准块B、标准块C、标准块D、延迟块、固定卡箍、翼板;所述标准块A、标准块B、标准块C、标准块D与延迟块的外形尺寸相同,材料均采用碳钢;所述标准块A、标准块B、标准块C、标准块D依次排列,两端分别设置延迟块;所述延迟块通过固定卡箍与标准块A、标准块B、标准块C和标准块D固定连接;本发明的有益效果是试块中的缺陷设计符合焊缝危险缺陷的真实形态,检测时更能符合惠更斯原理,通过在一发一收模式下接收缺陷端点衍射波,根据尖端衍射球面波的传播时间与声速来测定缺陷尖端在被检工件中的埋藏深度,相对于长横孔缺陷,检测效果更准确,提高了TOFD检测技术的可靠性。
  • 一种tofd探伤比试
  • [实用新型]一种TOFD探伤对比试块-CN202020815251.6有效
  • 王广星;边永丰;张微微;鹿曼曼;张习习;段元伟 - 山东瑞祥模具有限公司
  • 2020-05-16 - 2020-12-25 - G01N29/30
  • 一种TOFD探伤对比试块,包括标准块A、标准块B、标准块C、标准块D、延迟块、固定卡箍、翼板;所述标准块A、标准块B、标准块C、标准块D与延迟块的外形尺寸相同,材料均采用碳钢;所述标准块A、标准块B、标准块C、标准块D依次排列,两端分别设置延迟块;所述延迟块通过固定卡箍与标准块A、标准块B、标准块C和标准块D固定连接;本发明的有益效果是试块中的缺陷设计符合焊缝危险缺陷的真实形态,检测时更能符合惠更斯原理,通过在一发一收模式下接收缺陷端点衍射波,根据尖端衍射球面波的传播时间与声速来测定缺陷尖端在被检工件中的埋藏深度,相对于长横孔缺陷,检测效果更准确,提高了TOFD检测技术的可靠性。
  • 一种tofd探伤比试
  • [发明专利]一种多台光刻设备校正方法-CN201210047391.3有效
  • 戴韫青;王剑;毛智彪 - 上海华力微电子有限公司
  • 2012-02-28 - 2012-07-11 - G03F7/20
  • 本发明提供一种多台光刻设备校正方法,包括以下步骤:步骤1:将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片,所述标准掩模板上集成检测图形;步骤2:测量标准掩模板上检测图形的尺寸,并得出标准光刻机的尺寸基准数据;测量标准硅片上缺陷的种类和数量,并得出标准光刻机的缺陷基准数据;步骤3:用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片;步骤4:测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据,并得出待校正光刻机的尺寸数据,测量待校正硅片上缺陷的种类和数量,并得出待校正光刻机的缺陷数据;步骤5:比较标准光刻机和待校正光刻的尺寸基本数据和尺寸数据、缺陷基准数据和缺陷数据,根据数据比较结果调整待校正光刻机。
  • 一种光刻设备校正方法

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