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[实用新型]一种厚膜发热盘-CN201921169397.1有效
发明人：朱青华 -专利权人：安徽苏立科技股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种厚膜发热盘，包括不锈钢基体，不锈钢基体上经高温烧结固化有绝缘层,绝缘层上涂覆有发热层，发热层上涂覆有包封层；绝缘层上设有沿不锈钢基体半径方向分布的若干条条形间隔带，条形间隔带将绝缘层分隔成若干个一号绝缘区，绝缘层中心设有一端与一号绝缘区相连的二号绝缘区，一号绝缘区和二号绝缘区之间设有间隔区，一号绝缘区内设有若干段沿绝缘层内圈向外圈分布的弧形间隔带。本实用新型通过条形间隔带、弧形间隔带和间隔区保证绝缘层不会在长时间高温工作环境下发生膨胀，导致绝缘层的损坏脱离；通过一号电阻部和二号电阻部均匀分布在一号绝缘区和二号绝缘区内，保证发热盘的均匀，防止局部过热
一种发热

[发明专利]一种厚膜发热盘-CN201910667392.X在审
发明人：朱青华 -专利权人：安徽苏立科技股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚膜发热盘，包括不锈钢基体，所述不锈钢基体上经高温烧结固化有绝缘层,所述绝缘层上涂覆有发热层，所述发热层上涂覆有包封层；所述绝缘层上设有沿不锈钢基体半径方向分布的若干条条形间隔带，所述条形间隔带将绝缘层分隔成若干个一号绝缘区，所述绝缘层中心设有一端与一号绝缘区相连的二号绝缘区，所述一号绝缘区和二号绝缘区之间设有间隔区，所述一号绝缘区内设有若干段沿绝缘层内圈向外圈分布的弧形间隔带。本发明通过条形间隔带、弧形间隔带和间隔区保证绝缘层不会在长时间高温工作环境下发生膨胀，导致绝缘层的损坏脱离；通过一号电阻部和二号电阻部均匀分布在一号绝缘区和二号绝缘区内，保证发热盘的均匀，防止局部过热。
绝缘层绝缘区不锈钢基体厚膜发热盘弧形间隔条形间隔发热层间隔区电阻绝缘涂覆高温工作环境绝缘层中心高温烧结局部过热包封层发热盘间隔带内圈上经分隔固化保证膨胀脱离

[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置-CN202110202458.5在审
发明人：杨宇桐;黄中浩;吴旭;王兆君;田茂坤;谌伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括显示区和围绕显示区的外围区，所述外围区包括设置在基底上的第一绝缘层和第二绝缘层，以及设置在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间的间隔层，所述间隔层设置在所述第一绝缘层远离所述显示区一侧本公开实施例提供的方案，通过在第一绝缘层和第二绝缘层之间设置间隔层，可以改善第二绝缘层的剥离问题，有效提升产品制程良率和信赖性评价。
一种显示及其制备方法显示装置

[发明专利]自会聚底部电极环-CN200910167554.X有效
发明人：马修·J·布雷杜斯克;林仲汉;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商务机器公司
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该方法包括在基底上形成阶梯间隔件、顶部绝缘层、中介绝缘层以及底部绝缘层。该方法包括在该顶部绝缘层和该中介绝缘层内形成阶梯间隔件。该阶梯间隔件的尺寸容易控制。该方法也包括在具有阶梯间隔件的底部绝缘层中形成通道以做为屏蔽。该方法包括在通道内形成包括该通道内的杯型外部导电层的底部电极环以及在该杯型外部导电层内形成内部绝缘层。该方法包括在该底部电极环上形成相变层以及在该底部电极环上形成顶部电极。
会聚底部电极

[发明专利]形成半导体器件中的自对准接触的方法-CN99109049.7有效
发明人：赵昶贤;李圭现;李宰求;郑相燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-15 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后，淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口，并同时形成栅间隔层。
形成半导体器件中的对准接触方法

[发明专利]显示装置-CN201910176154.9在审
发明人：丁有光;裴水斌;李俊杰;金湘甲;崔新逸 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：半导体层，所述半导体层在基底上；栅极绝缘层和层间绝缘层，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层与所述半导体层重叠；接触孔，所述接触孔穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔与所述半导体层电连接；发光二极管，所述发光二极管与所述漏电极连接；以及第一间隔件和第二间隔件，所述第一间隔件和所述第二间隔件在所述接触孔中在所述源电极和所述层间绝缘层之间并且在所述漏电极和所述层间绝缘层之间
层间绝缘层间隔件接触孔漏电极栅极绝缘层半导体层显示装置源电极发光二极管半导体层电基底穿过

[实用新型]一种氟塑料绝缘印字电线-CN201320668162.3有效
发明人：齐翔 -专利权人：淮南新光神光纤线缆有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氟塑料绝缘印字电线，包括导体所述的导体外包裹着绝缘层，所述的绝缘层包括内绝缘层、外绝缘层，所述的内绝缘层、外绝缘层之间设有至少两个间隔一定距离的双胶纸，所述的外绝缘层为纯净氟塑料绝缘层，所述的外绝缘层厚度为0.1mm，两个双胶纸之间间隔一定距离范围为50-120cm；本实用新型结构简单，使用方便，既不损伤电线绝缘层，又提高了电线印字的持久性。
一种氟塑料绝缘电线

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110859760.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：位于半导体衬底层上的漂移层，栅引出线路区和过渡区的交界处附近的部分漂移层为间隔区；位于栅引出线路区和过渡区的漂移层中的顶部区域的第一阱区，且所述第一阱区位于所述间隔区的侧部；绝缘层，绝缘层包括：第一绝缘层，位于栅引出线路区的漂移层表面；第二绝缘层，位于过渡区的漂移层表面，第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；位于第一绝缘层上的场板电极层，场板电极层还延伸至部分第二绝缘层的表面；引流导电结构，贯穿间隔区上方的绝缘层和场板电极层，引流导电结构还延伸至间隔区周围的部分第一阱区上。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201710400074.8有效
发明人：崔正宪;金永倬;严大耳;李宣姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。
半导体器件

[实用新型]一种信号传输线-CN202122153972.2有效
发明人：高洪滨;李俊;涂迁声 -专利权人：中山市艾斯贝尔电线有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种信号传输线，包括传输本体以及第一绝缘层，第一绝缘层包覆在传输本体上，传输本体包括多个传输单元，传输单元包括导线本体以及第二绝缘层，第二绝缘层包覆在导线本体上，导线本体与外界物件之间间隔有第一绝缘层和第二绝缘层，而两两导线本体之间间隔则是两个第二绝缘层，通过调整第一绝缘层和第二绝缘层的厚度，可以在满足导线本体与外界物件的绝缘等级的基础上，可以使得各个导线本体之间的间隔距离相对减少，使得各个导线本体之间耦合度提高
一种信号传输线

[发明专利]热电元件-CN202080092411.1在审
发明人：元富云 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：根据本公开一实施例的热电元件包括下金属基板、设置在下金属基板上的下绝缘层、设置在下绝缘层上以彼此间隔的多个下电极、设置在多个下电极上的多个P型热电腿和多个N型热电腿、设置在多个P型热电腿和多个N型热电腿上以彼此间隔的多个上电极、设置在多个上电极上的上绝缘层、以及设置在上绝缘层上的上金属基板，其中下绝缘层包括设置在下金属基板上的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上以彼此间隔的多个第二绝缘层。
热电元件

[实用新型]一种XLPE绝缘层及其电缆-CN201920387818.1有效
发明人：徐长玉;吕自习;陈虎;董文军 -专利权人：南阳市华意电力设备有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于油田钻井的电缆的技术领域，具体涉及一种XLPE绝缘层及其电缆。所述绝缘层包括第一绝缘层和包覆于所述第一绝缘层外侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层的内部周向间隔设有轴向延伸的空腔，所述第二绝缘层靠近所述第一绝缘层的一侧周向间隔设有轴向延伸的通槽。本实用新型的绝缘层中通槽的设置减小了两个绝缘层之间的接触面积，因此能够进一步加强该绝缘层的整体绝缘效果；由于空腔和通槽能够吸收部分外力，因此也进一步加强了绝缘层的柔性。
绝缘层本实用新型电缆周向间隔轴向延伸空腔通槽油田钻井整体绝缘中通槽包覆减小吸收

[发明专利]一种半导体器件制备方法-CN202110587368.2有效
发明人：郑俊义 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过在基底上形成遮蔽结构以及随形覆盖遮蔽结构的第一绝缘层，先沉积至少部分覆盖第一绝缘层的第二绝缘层，再去除部分第二绝缘层和第一绝缘层，显露出遮蔽结构的上表面并在遮蔽结构侧壁处形成具有水平上表面的第一绝缘层，最后去除第二绝缘层、遮蔽结构以及部分第一绝缘层，保留位于遮蔽结构侧壁具有水平上表面的第一绝缘层，以保留的第一绝缘层作为间隔结构，该方法形成了上表面基本平行的间隔结构，有效改善间隔结构的形貌，基于该方法形成的间隔结构进一步在目标层上刻蚀形成鳍形结构
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202111588402.4在审
发明人：韩在贤;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：沟道层；栅电极，其与沟道层间隔开；阻挡绝缘层，其位于栅电极与沟道层之间；隧道绝缘层，其位于沟道层与阻挡绝缘层之间；以及纳米颗粒，其在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间彼此间隔开。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610900212.4有效
发明人：金成洙;朴起宽;姜尚求;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
半导体器件

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