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[发明专利]半导体器件-CN202210926727.7在审
发明人： I·纽曼;A·芬尼;C·A·布拉兹 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在实施例中，提供一种半导体器件，包括包括有源区域的半导体本体，其中有源区域包括多个有源晶体管单元，每个有源晶体管单元包括包括场板的柱状沟槽和台面以及侧向围绕有源区域的边缘终止区。边缘终止区包括侧向围绕有源区的过渡区和侧向围绕过渡区的外部终止区。边缘终止区还包括布置在过渡区中和外部终止区中的多个无源单元，每个无源单元包括包括场板的柱状终止沟槽和包括第一导电类型的漂移区终止台面。在过渡区中，终止台面包括布置在漂移区上的第二导电类型的本体区并在外部终止区中，终止台面的漂移区延伸到第一表面。边缘终止区还包括至少一个连续沟槽，其位于外部终止区中并侧向围绕柱状终止沟槽以及填充有至少一种介电材料。
半导体器件

[发明专利]半导体元件及制造方法-CN200910206805.0有效
发明人： P·温卡特拉曼;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种包括边缘终止结构的半导体元件和制造该半导体元件的方法。一种半导体材料具有半导体器件区和边缘终止区。可以在所述半导体器件区中形成一个或多个器件沟槽并在所述边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近于终止沟槽的底面的一部分终止沟槽中形成源电极并在邻近于终止沟槽的嘴的那部分终止沟槽中形成浮动电极终止结构。可以在所述边缘终止区中形成第二终止沟槽且可以在所述第二终止沟槽中形成非浮动电极。或者，可以省略第二终止沟槽且可以在所述边缘终止区中形成无沟槽的非浮动电极。
半导体元件制造方法

[发明专利]制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法-CN201811443364.1在审
发明人： H-J.舒尔策;F-J.尼德诺斯泰德;O.J.施普尔伯;S.福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。
终止区第一导电类型半导体主体漂移区半导体器件第二表面第一表面衬底质子半导体掺杂热处理退火范围边界距离设置过渡部薄化竖向移除制造

[发明专利]用于半导体器件的边缘终止和对应的制造方法-CN201480068737.5有效
发明人： M.安托尼奧;F.尤德里;I.尼斯托;M.拉希莫;C.科瓦斯塞 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：描述垂直DMOSFET或IGBT的终止区（4），其中表面p环（10）与氧化物/多晶硅填充的沟槽（40）、掩埋p环（41）和可选的表面场板（11）组合，以便在终止区（4）中获得电势场线（7）的改进分布。表面环终止（10，11）和深环终止（41）的组合提供终止区（4）面积的明显减少。
用于半导体器件边缘终止对应制造方法

[发明专利]用三个或四个掩膜制备的氧化物终止沟槽MOSFET-CN201110080270.4有效
发明人：雷燮光;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种氧化物终止半导体器件可以由多个栅极沟槽、一个栅极滑道以及一个绝缘终止沟槽构成。这些栅极沟槽位于有源区中。每个栅极沟槽都含有一个导电栅极电极。绝缘终止沟槽位于包围着有源区的终止区中。用绝缘材料填充绝缘终止沟槽，以制备半导体器件的绝缘终止。该器件可以利用三掩膜或四掩膜工艺制备。
三个四个制备氧化物终止沟槽 mosfet

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201780031924.X有效
发明人： P·A·洛西;Y·隋;A·V·波洛尼科夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一些实施例中，功率半导体器件可包括：具有第一导电类型的第一层；设置在所述第一层顶上的第二层，所述第二层具有所述第一导电类型；形成于所述第二层中的终止区，所述终止区具有与所述第一类型相反的第二导电类型；以及至少部分地形成于所述第二层中的有源区，其中，所述有源区邻近所述终止区在接近所述终止区的第一侧处设置，并且其中，所述第二层至少部分地邻近所述终止区在接近与所述第一侧相对的所述终止区的第二侧处设置。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]用于电池下料安全的防护装置-CN202320349927.0有效
发明人：傅有平;袁益亮;宋志彬;赵文磊;刘世雄 -专利权人：广东诺达智慧能源科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65G13/06 文献下载
摘要：上述的用于电池下料安全的防护装置包括输送结构及下料结构，输送结构包括两个挡板，两个挡板之间形成有输送区，输送区设有起始端与终止端，输送结构用于将电池由起始端输送至终止端，下料结构与输送结构连接，下料结构形成有下料区，下料区与输送区连通，且终止端相对设置于下料区的正上方；用于电池下料安全的防护装置还包括防护板，防护板位于终止端的正上方，且防护板的两端分别与两个挡板连接，防护板邻近输送结构的一侧形成有避让通道，避让通道与终止端连通通过设置防护板，使得终止端被遮蔽，从而能较好地避免人手与终止端的内壁触碰，进而防止产生夹手或者挤压手的风险。
用于电池安全防护装置

[发明专利]一种超结MOSFET器件-CN202111466727.5在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET器件，其包括多个元胞结构，该元胞结构包括漏端电极、N型漏极层、N型缓冲层、N型场终止区、第一P型体区、第二P型体区、第一P柱、第二P柱、N柱、第一N型源区、第二N型源区、第一P型体接触区、第二P型体接触区、栅极结构及源端电极，其中，N型场终止区位于N型缓冲层中，且N型场终止区在N型漏极层上的垂直投影具有间隔区域，N型场终止区的掺杂浓度高于N型缓冲层的掺杂浓度。本发明在N型缓冲层中引入N型场终止区，且所述N型场终止区在N型漏极层上的垂直投影具有间隔区域，不仅可以降低反向恢复电荷、提升反向恢复软度因子，还能够在不增加器件漏电流的条件下降低器件的导通电阻。
一种 mosfet 器件

[发明专利]超结半导体元件-CN201510995559.7有效
发明人：郭家展;许志维;庄如旭;于世珩 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。
半导体元件

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201110396517.3有效
发明人：苏家怡 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：形成一蚀刻终止材料层于栅极上方的半导体材料层上，其中蚀刻终止材料层具有一第一区块与位于第一区块两侧的一第二区块，第一区块的厚度大于第二区块的厚度，且蚀刻终止材料层包括一有机无机混合材料。以蚀刻终止材料层为掩模，移除部分半导体材料层，以形成一沟道层。移除蚀刻终止材料层的第二区块，以形成一蚀刻终止层，蚀刻终止层覆盖部分沟道层。于覆盖有蚀刻终止层的沟道层上形成一源极与一漏极。
薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]半导体元件沟槽式结构-CN201220690921.1有效
发明人：庄智强;黄朝新 -专利权人：台湾半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元件沟槽式结构，其包含一半导体基板、一外延层、一离子注入层、一终止区介电薄膜层、一有源区介电层及一第一多晶硅层。外延层形成于半导体基板上，以第二掺杂浓度掺杂第一型半导体杂质，并开设多个有源区沟槽及至少一终止区沟槽。离子注入层形成于所述多个有源区沟槽内，有源区介电层覆设于离子注入层，第一多晶硅层覆设于有源区介电层并填满所述多个有源区沟槽，终止区介电薄膜层则包覆终止区沟槽。其中第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，且终止区沟槽的深度大于所述多个有源区沟槽的深度，且趋近于逆向击穿时耗尽区的深度。本实用新型可达到降低反向漏电流并且增加反向击穿电压的功效。
半导体元件沟槽结构

[发明专利]超级结半导体器件-CN201510412322.1有效
发明人：禹赫;金大柄;崔彰容;姜棋太;全珖延;赵文秀;权纯琢 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述超级结半导体器件包括：垂直柱区域，位于有源区上；水平柱区域，位于终止区上，其中，垂直柱区域和水平柱区域彼此连接，并且同时在终止区中整个柱区域不浮置。因此，虽然终止区的长度相对短，但是柱区域之间产生的电荷补偿差异被抵消。
超级半导体器件

[发明专利]形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺-CN201510162970.6有效
发明人： P·莫恩斯;Z·侯赛因;J·R·吉塔特;G·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺。一种电子装置可包括电子组件和邻近于电子组件区的终止区。在实施方案中，所述终止区可包括延伸到半导体层中一定深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％。在另一实施方案中，所述终止区可包括延伸到所述半导体层中第一深度的第一绝缘区，以及延伸到所述半导体层中第二深度的第二绝缘区，其中所述第二深度小于所述第一深度。在另一方面，一种形成电子装置的工艺可包括图案化半导体层以在终止区内界定沟槽，同时为电子组件区内的电子组件形成另一沟槽。
形成具有包括绝缘终止电子装置工艺

[实用新型]栅极边缘化IGBT芯片-CN202320289993.3有效
发明人：翟露青;马青翠 -专利权人：淄博美林电子有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件制造领域；具体涉及一种栅极边缘化IGBT芯片，包括衬底，衬底上具有有源区和包围该有源区的终止区，IGBT芯片发射极自有源区引出，IGBT芯片栅极自终止区引出。本实用新型通过将栅极转移到终止区，在有源区的外侧形成栅极，与常规IGBT芯片相比，相同的芯片面积，增加了IGBT芯片发射极有源区的面积，提高了IGBT芯片所承载的元胞数量，增强了电流的导通能力。与此同时，将栅极转移到终止区，使得栅极的面积有所增大，极大提高了铝线键合良率，降低了生产成本。
栅极边缘化 igbt 芯片

[实用新型]功率半导体器件-CN201820822458.9有效
发明人：吴小利;约瑟夫·叶季纳科 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一般性方面，功率半导体器件可包括具有有源区和终止区的半导体区。所述器件还可包括多个沟槽屏蔽电极，所述多个沟槽屏蔽电极各自具有设置在所述有源区中的第一部分以及设置在所述终止区中的第二部分。所述沟槽屏蔽电极中的一个或多个可具有延伸第一距离进入所述终止区的第二部分，而一个或多个其他沟槽屏蔽电极可具有延伸第二距离进入所述终止区的第二部分，所述第二距离小于所述第一距离。具有延伸所述第二距离进入所述终止区的所述第二部分的所述沟槽屏蔽电极可与具有延伸所述第一距离进入所述终止区的所述第二部分的所述沟槽屏蔽电极交错。
沟槽屏蔽电极终止区功率半导体器件延伸源区本实用新型半导体区交错

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