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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置及其形成方法-CN202210222572.9在审
发明人：宗高由木;藤本稔泰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置及其形成方法。一种设备包含：半导体衬底；线形沟槽，其在所述半导体衬底中，所述线形沟槽的内壁由绝缘膜覆盖；第一导电部件，其包含第一线形部分和第二线形部分，所述第一线形部分填充所述线形沟槽的下部部分；以及线形第二导电部件和线形第三导电部件，其沿着所述线形沟槽的所述内壁延伸且面向彼此，所述线形第二导电部件和所述线形第三导电部件在其间具有空隙；其中所述第一导电部件的所述第二线形部分从所述第一线形部分的中心部分突出以填充所述空隙。
半导体存储器装置及其形成方法

[实用新型]具有直线形金属焊线的半导体封装结构-CN201921040876.3有效
发明人：蔡汉龙;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构，半导体封装结构包括芯片、直线形金属焊线及封装层。芯片表面包括焊盘；直线形金属焊线与焊盘相接触形成焊点，直线形金属焊线包括直立线形金属焊线及倾斜线形金属焊线中的一种或组合；封装层覆盖芯片表面及直线形金属焊线，且封装层显露直线形金属焊线。本实用新型在封装层中形成具有直线形金属焊线的半导体封装结构，可满足制程需求，且可提高产品质量。
具有线形金属半导体封装结构

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010575383.0在审
发明人：金镇泳;周娜;李俊杰;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能部的侧壁外。半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外具有空气隙，能够有效降低寄生电容，同时空气隙的制备步骤少，工艺简单，能够很好地降低成本、提高产率。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]太阳能电池-CN201310367414.3有效
发明人：李汉诚;冯诗翰;许子衿;戴煜暐;陈伟铭 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明为一种太阳能电池，包含：半导体基板、抗反射层、钝化层、背面电极与背面总线电极。半导体基板具有一第一表面与一第二表面。抗反射层设置于第一表面。该背面电极为连续弯折线形电极或为覆盖于太阳能电池背面的整面电极，其中连续弯折线形电极或整面电极可透过一连续弯折线形窗口与该半导体基板连接，或者该连续弯折线形电极亦可直接穿过该钝化层与半导体基板连接。即，该太阳能电池至少包含一连续弯折线形窗口或一连续弯折线形电极。
太阳能电池

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN201210477612.0有效
发明人：山口佳孝;岩井大介;作山诚树;水野义博;乘松正明;崎田幸惠;浅野高治;广瀬真一;八木下洋平 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部
电子器件及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管显示板及其制造方法-CN200610067610.9有效
发明人：卢水贵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括在基板上形成的具有多个沟槽的框架，布置在所述沟槽的至少一个当中的线形半导体，与所述线形半导体重叠的第一电极，以及连接至所述线形半导体的末端的第二和第三电极。
薄膜晶体管显示及其制造方法

[发明专利]电力半导体器件用电极-CN201210297155.7无效
发明人：于凯 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：发明提供一种电力半导体器件用电极，所述电极位于电力半导体器件焊接层和外壳上的电极引出孔之间部分的竖向截面形状具有至少一处折线形或曲线形。本发明通过在电极中增设至少一处折线形或曲线形，从而改善电极的结构应力分布和电气性能。
电力半导体器件用电

[发明专利]具有直线形金属焊线的半导体封装结构及其制备方法-CN201910599541.3在审
发明人：蔡汉龙;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括芯片、直线形金属焊线及封装层。芯片表面包括焊盘；直线形金属焊线与焊盘相接触形成焊点，直线形金属焊线包括直立线形金属焊线及倾斜线形金属焊线中的一种或组合；封装层覆盖芯片表面及直线形金属焊线，且封装层显露直线形金属焊线。本发明将直线形金属焊线形成于封装层的第一封装区，曲线形金属焊线形成于封装层的第二封装区，并通过减薄封装层及晶圆切割，在不增加工艺步骤的情况下，形成具有直线形金属焊线的半导体封装结构，对焊线机型无特殊限制
具有线形金属半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]用于检测能量在150eV至300keV范围内的粒子辐射的检测器以及具有这种检测器的材料映像装置-CN200780100954.8有效
发明人：乌尔丽克·伦德·奥尔森;亨宁·弗里斯·波尔森;瑟伦·施密特 -专利权人：丹麦技术大学
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供用于检测粒子辐射，特别是具有在150eV至300keV范围内的能量的粒子辐射的检测器，所述检测器包括至少一个检测器元件，所述检测器元件包括：半导体检测器材料；至少一组线形电极，所述线形电极导电连接到所述半导体检测器材料的至少一个表面，每一组包括平行延伸的多个线形电极；和信号处理器，所述信号处理器与所述线形电极通信，其中，在每一组中，所述线形电极以小于3μm的带间距布置，并且所述半导体检测器材料的厚度小于所述线形电极的带间距的三倍。
用于检测能量 150 ev 300 kev 范围内粒子辐射检测器以及具有这种材料

[发明专利]线形光源生成装置和有价票据检测系统-CN201310239695.4有效
发明人：邬立勇;张晓明;张健;卢继兵;冯治国;王真;张渠;韩英魁;王川;吴硕夫;申孝丹;付连秋;田翀 -专利权人：中国人民银行印制科学技术研究所;中国印钞造币总公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供了一种线形光源生成装置，包括：激光器组，包括多个半导体激光器，其中，多个半导体激光器并列固定在一个金属框架上；圆透镜组，包括多个圆透镜，位于多个半导体激光器的出射方向，以用于将每个半导体激光器射出的椭圆形光斑转换为线形光斑；柱面镜，位于圆透镜组的光斑的出射方向，用于将经圆透镜转换后的所述线形光斑转换为连续均匀的长线形光源，以使用长线形光源对有价票据的光致发光特征进行检测。
线形光源生成装置票据检测系统

[发明专利]一种半导体晶圆高效精度减薄方法-CN201710878968.8在审
发明人：周诗健;王海勇 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆高效精度减薄方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；将涂覆液均匀涂覆在半导体晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与半导体晶圆正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层，对半导体晶圆上的芯片实现无缝隙保护；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行粗磨；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行精磨；用等离子水清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的半导体晶圆。
一种半导体高效精度方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202110900467.1在审
发明人：庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底及目标层设置于衬底上方，目标层具有中央区域及周边区域；在中央区域内形成复数个线形鳍特征，其中复数个线形鳍特征相互平行并分别具有不均匀边缘部；以及移除线形鳍特征的不均匀边缘部并得到均匀线形鳍特征，进而提升半导体结构的物理特性、材料特性及品质。
制造半导体结构方法

[发明专利]制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法-CN201210047933.7有效
发明人：王国镇 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法，其提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域与位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，所述线形有源区域以及线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；在所述半导体衬底中形成沿着一第二方向延伸的埋入式字线，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，所述第一方向不垂直于所述第二方向；在所述半导体衬底中形成沿着一第三方向延伸的埋入式位线
制作具有埋入式位线式字线内存装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710192879.4有效
发明人：定别当裕康 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：在本发明的半导体器件的制造方法中，准备在布线形成用金属箔(21)的下表面设有剥离层(22)及基底板(23)的布线形成用部件。对上述布线形成用金属箔(21)进行构图来形成布线(2)；将具有半导体基板(7)及设在该半导体基板(7)下的多个外部连接用电极(12)的半导体构成体(6)的外部连接用电极(12)接合在上述布线(2)上。用密封件(14)覆盖上述半导体构成体(6)及上述布线(2)的至少一部分，然后除去上述基底板(23)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]激光照射台、装置、方法及制造半导体装置的方法-CN02123292.X有效
发明人：田中幸一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-06-14 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：当激光振荡器的输出变得更高，发展用于半导体膜激光退火工艺的更长的线形光束变成必要的。然而，如果线形光束的长度是300－1000mm或更长，那么用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长，从而增加了其占地面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短，并只增加线形光束的长度，可以在线形光束纵向上给半导体膜曲率。
激光照射装置方法制造半导体

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