专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学窗口及制作方法和具有该光学窗口的镜装置-CN201911256878.0有效
  • 马宏 - 觉芯电子(无锡)有限公司
  • 2019-12-09 - 2023-09-29 - G02B3/00
  • 本发明提供了一种光学窗口,包括:基材层,基材层具有相对设置的第一面和第二面;光学元件层,光学元件层集成于所述第一面和/或所述第二面的特定区域内。相应地,本发明提供了一种具有光学窗口的镜装置。本发明还提供了一种具有光学窗口的镜装置,包括光学窗口,还包括:基底;MEMS镜,MEMS镜设置于所述基底上;支撑架,支撑架设置于光学窗口与MEMS镜之间。本发明通过在光学窗口的特定区域上集成光学元件层,利用该集成有光学元件层的光学窗口与MEMS镜形成镜装置,并将该镜装置应用于各类光学系统中,能够实现包括散斑抑制、光束准直、聚光和扫描角度增大等功能
  • 晶圆级光学窗口制作方法具有装置
  • [实用新型]一种滤波器封装结构-CN202023166844.3有效
  • 朱其壮;李永智;吕军;赖芳奇 - 苏州科阳半导体有限公司
  • 2020-12-24 - 2021-07-30 - H03H3/02
  • 本实用新型涉及半导体封装技术领域,公开了一种滤波器封装结构。所述滤波器封装结构包括滤波器圆、覆盖圆及凸焊点,滤波器圆包括基板,基板的上表面设置有功能区和多个焊垫,覆盖圆由硅片制成,覆盖圆通过胶水层粘合于基板的上表面,覆盖圆靠近基板的一侧开设有凹槽,功能区容纳于凹槽内,凸焊点设置在所述覆盖圆上,凸焊点与所述焊垫电性连接。本实用新型的滤波器封装结构,封装过程简单、封装过程不易污染功能区,整体厚度结构较薄。
  • 一种滤波器晶圆级封装结构
  • [发明专利]扇出型堆叠封装结构及其制造工艺-CN201410448238.0在审
  • 何洪文;孙鹏;曹立强;林挺宇 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2014-09-04 - 2015-02-04 - H01L23/538
  • 本发明涉及一种扇出型堆叠封装结构及其制造工艺,包括两个或多个扇出型封装单元,其特征是:所述扇出型封装单元包括第一塑封材料,在第一塑封材料中设置铜柱或铜线,第一塑封材料的正面设置正面再布线层,正面再布线层上设置正面凸点,第一塑封材料的背面设置背面再布线层,背面再布线层上设置背面凸点;相邻两个扇出型封装单元通过上层封装单元的背面凸点和下层封装单元的正面凸点连接。本发明首先将芯片粘结在膜材料上,然后将铜柱与临时载片键合,然后粘附到膜材料上,应用塑封料进行整体塑封,再进行RDL和凸点的工艺、三维堆叠工艺。本发明节约制造成本,并可以降低圆的翘曲,提高圆可靠性。
  • 晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺
  • [实用新型]一种废酸制备硫酸钙须的工艺装备-CN202221641579.6有效
  • 魏强 - 陕西金禹科技发展有限公司
  • 2022-06-28 - 2022-12-09 - C30B29/62
  • 本实用新型公开了一种废酸制备硫酸钙须的工艺装备,包括废硫酸储罐、超滤装置、碳酸钙溶解液储罐、一通道反应器、型控制剂溶解液储罐、二通道反应器、超声波结晶器、过滤机,所述废硫酸储罐连通于超滤装置,所述超滤装置和碳酸钙溶解液储罐分别与一通道反应器连通,所述一通道反应器和型控制剂溶解液储罐分别与二通道反应器连通,所述二通道反应器通过超声波结晶器连通于过滤机。
  • 一种制备硫酸钙工艺装备
  • [发明专利]一种芯片的扇入型封装结构的制作方法-CN202310886013.2在审
  • 张黎 - 浙江禾芯集成电路有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-09-08 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种芯片的扇入型封装结构的制作方法,属于半导体封装技术领域。本发明的制作方法如下:提供圆;利用引线键合设备的劈刀在圆的芯片电极上形成下大上小的金属阶梯凸台;在圆上方用塑封料包覆所有的金属阶梯凸台形成塑封层;利用减薄工艺,减薄金属阶梯凸台;利用金属再布线工艺形成再布线金属层与金属阶梯凸台电信连接;切割形成复数颗独立的芯片封装结构单体。本发明采用劈刀法形成具有下大上小结构的金属阶梯凸台,降低了因为介电材料与金属阶梯凸台分层的影响,提高了产品的可靠性。
  • 一种晶圆级芯片扇入型封装结构制作方法

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