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[发明专利]一种高炉出铁中计算铁水流速的方法、装置及存储介质-CN202210792771.3有效
发明人：严晗;戴文;叶理德;欧燕;刘书文 -专利权人：中冶南方工程技术有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高炉出铁的计算铁水流速的方法，该方法包括：周期性采集高炉各铁口铁轨的轨道衡称量毛重数据，组成原始数据序列；采用滑动窗口算法检测检测原始数据序列的拐点，并利用拐点将其切分为多段数据序列；采用平稳性检验法，根据预定的规则确定每段数据序列的出铁状态并获得处于正在出铁状态的数据序列；计算处于正在出铁状态的数据序列的各时间点的铁水流速，非正在出铁状态的时间点的铁水流速为0。本发明所提供的方法避免了复杂的检测设备，在一般采用的轨道衡称量设备基础上可以实现准确的铁水流速计算，无需人工确认与操作即可实现。
一种高炉出铁计算铁水流速方法装置存储介质

[发明专利]一种发泡稳定性良好的热膨胀微胶囊及其制备方法和应用-CN202310472073.X在审
发明人：戴文;高爽;吕迎;朱继庚;朱伟;朱安琪;朱子豪 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;山东环球新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01J13/14 文献下载
摘要：本发明涉及热膨胀微胶囊技术领域，且公开了一种发泡稳定性良好的热膨胀微胶囊及其制备方法和应用，具体技术方案如以下步骤：(1)惰性气氛下，将固体碳酰胺、分散剂、助分散剂、水相添加剂加入水中，搅拌混合均匀，得到水相；(2)将单体、引发剂、交联剂和油相添加剂混合，获得油相；(3)将步骤(2)中油相加入步骤(1)的水相中，充分混合均匀，得到预悬浮液；(4)将步骤(3)所述预悬浮液在50‑80℃下，机械搅拌速率5000‑10000rpm，反应10‑25h后，冷却至室温，过滤，洗涤，干燥，得到所述发泡稳定性良好的热膨胀性微胶囊。
一种发泡稳定性良好热膨胀微胶囊及其制备方法应用

[发明专利]内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法-CN202311098893.3在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;郑万乐 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种内嵌对位量子点填充mini‑LED芯片及其制作方法，所述mini‑LED芯片自下而上依次是蓝宝石衬底、量子点、密封胶、P型窗口层、P电极、P型过渡层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层、N电极、复合膜钝化层、焊接电极；量子点对位内嵌在所述蓝宝石衬底上。本发明通过直接在蓝宝石衬底上形成内嵌对位量子点结构，并采用密封胶进行密封，不仅制作简单，不影响芯片制作整体过程，而且保证了量子点材料的稳定性。
对位量子填充 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法-CN202310896576.X有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
一种 ausn 电极背面 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]一种反极性LED芯片及其制作方法-CN202311054379.X在审
发明人：陈宝;熊露;戴文;林擎宇;王克来;李俊承;郑万乐;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。本申请的反极性LED芯片从上至下包括：N面电极、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、P型窗口层、介质膜缓冲层、镜面金属层、第一键合金属层、第二键合金属层、Si衬底和背面电极；其中，P型窗口层包括GaP基层和图案化表层，GaP基层紧邻P型半导体层设置，介质膜缓冲层包括从上至下依次交替设置的二氧化硅层和二氧化钛层；利用此发明制作的LED芯片，可保证性能稳定，提升LED发光效率。
一种极性 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法-CN202311013167.7在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；相邻芯片的镜面金属层不直接连接，并在隔离道对应区域被第一键合金属层填充，形成键合金属层包覆镜面的结构。本发明通过优化金属反射镜的加工过程，形成键合金属层包覆镜面结构，避开隔离道制作和激光切割区域，使镜面金属层在后续加工过程中不受影响，保证LED芯片的性能及可靠性。
一种面包结构极性红光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种耐溶剂型热膨胀微胶囊及其制备方法和应用-CN202310472065.5在审
发明人：戴文;吕迎;李国松;朱继庚;朱伟;朱安琪;朱子豪 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;山东环球新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B01J13/14 文献下载
摘要：本发明涉及热膨胀微胶囊技术领域，且公开了一种耐溶剂型热膨胀微胶囊及其制备方法和应用，本发明具体技术方案如以下步骤：(1)在烧杯中，加入一定量去离子水，分散剂，助分散剂，制备出水相；(2)在另一个烧杯中，依次加入单体，引发剂，发泡剂，交联剂，利用磁力搅拌器，搅拌得到油相溶液；(3)将步骤(1)和(2)制得得油相和水相溶液，一次加入搅拌型玻璃均化釜，在低温下，开启搅拌装置，800～2000rpm转速下，分散均化5～15min，形成一定大小稳定的液滴；(4)将步骤(3)中悬浮液导入搅拌型2L压力玻璃反应釜，惰性气氛下，加压至0.1～1MPa。开启搅拌，反应12～24h。(5)反应结束后，降至室温，卸压，低温下烘干，得到所述耐溶剂型为球体。
一种溶剂热膨胀微胶囊及其制备方法应用

[发明专利]一种耐高温型热膨胀微胶囊及其制备方法和应用-CN202310472069.3在审
发明人：戴文;毛展;吕迎;朱继庚;朱伟;朱安琪;朱子豪 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;山东环球新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01J13/14 文献下载
摘要：本发明涉及热膨胀微胶囊技术领域，且公开了一种耐高温可膨胀微胶囊及其应用，以进一步扩大微胶囊种类，增加其应用领域。该方法包括以下步骤：(1)将悬浮剂、助悬浮剂、无机盐、水混合，获得水相；(2)将单体、引发剂、交联剂和发泡剂混合，获得油相；(3)将步骤(2)中油相加入步骤(1)的水相中，充分混合均匀，得到预悬浮液；(4)将步骤(3)所述预悬浮液在50‑80℃下，机械搅拌速率5000～10000rpm，反应10‑25h后，冷却至室温，得到微胶囊前驱体；(5)调节PH至2‑5持续搅拌3‑10小时后，过滤，洗涤，干燥，得到所述耐高温型热膨胀微胶囊。
一种耐高温热膨胀微胶囊及其制备方法应用

[发明专利]具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法-CN202310579390.1有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
具有氧化结构极性圆孔发光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310825777.0在审
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种纵列全彩显示Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层；红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本发明通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示Micro‑LED；该制作方法简单，在降低了LED器件的制作和转移过程中的工艺难度的同时提高了LED器件的光电性能和稳定性。
一种纵列全彩显示 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310408825.6有效
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括P电极、N电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、GaAs衬底；第一半导体层由GaP窗口层和P‑AlGaInP限制层组成；第二半导体层由N‑AlGaInP限制层、GaAs接触层、N‑AlGaInP电流扩展层和GaAs牺牲层组成；GaAs牺牲层被去除后，第二半导体层与GaAs衬底之间呈镂空状态，并在靠近P电极一侧通过钝化层连接。本发明设计多个AlGaInP和GaAs层叠循环结构，通过对外延层进行湿法刻蚀，无需进行衬底转移，能有效避免衬底转移过程中的良率损失，提高工作效率和成品率，工艺简单，可满足规模化应用。
一种 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]用于确定山火发生概率的方法、存储介质及处理器-CN202211687818.6在审
发明人：简洲;冯涛;蔡泽林;叶钰;李丽;戴文 -专利权人：湖南防灾科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于确定山火发生概率的方法、存储介质及处理器。方法包括：将待预测区域均匀划分为多个网格；随机从多个网格中任意选取一个网格作为目标网格；获取目标网格的气象参数；根据气象参数确定目标网格可能发生落雷事件的第一概率；获取目标网格中的可燃物质的物质参数；根据物质参数确定目标网格中发生火灾事件的第二概率；获取待预测区域在历史时间段内发生过落雷事件的历史落雷点；根据历史落雷点确定目标网格容易发生落雷事件的第三概率；根据第一概率、第二概率以及第三概率确定目标网格的山火发生概率。通过上述技术方案，能够精准地确定山火的发生概率，降低了山火对生态环境和人民生命财产的威胁。
用于确定山火发生概率方法存储介质处理器

[实用新型]一种商用叠片式静音防水炉头-CN202222464646.8有效
发明人：戴文 -专利权人：长沙雨杨新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F23D14/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种商用叠片式静音防水炉头，炉体底部连接有燃气炉头用混合器，燃烧底板位于出火口底部，燃烧底板中心至炉体底部中心贯穿设置有引火管，引火管内设置有点火针，引火管顶端设置有引火底座，引火底座边缘套设有混合盖，引火底座上设置有用于承托点火针的混合承托座，引火底座和混合承托座中心均开设有容点火针穿过的开口，混合承托座顶面边缘朝中心等距开设有多个混合斜槽，混合斜槽内侧之间均设置承托块，点火针承托于承托块上，引火底座顶面朝中心凹陷，且凹陷面边缘朝中心开设有多个喷射孔，引火管与燃气炉头用混合器连通，引火管一侧设置有排水管。上述方案中：通过重新设计排水结构和点火结构，提升点火效率和排水效率。
一种商用叠片式静音防水

[发明专利]一种醇氧化断裂制备酰胺的方法-CN202111535429.7在审
发明人：戴文;何培培;吕迎;李国松 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C07C231/10 文献下载
摘要：本发明属于化学化工技术领域，具体为一种锰氧化合物催化醇连续断裂成酰胺的方法。以锰氧化合物为催化剂，采用分子氧或空气为氧化剂，在有溶剂或无溶剂状态下，130‑150℃，反应12小时，即可将醇氧化断裂成酰胺化合物。本发明催化剂可再生循环使用至少9次且依旧保持很好的活性和选择性。本发明方法催化剂具有制备简单，廉价，反应选择性高，对环境友好等特点。
一种氧化断裂制备方法

[发明专利]一种芳香炔烃氧化裂解制备苯甲酰胺的方法-CN202111535448.X在审
发明人：戴文;陈波;张磊;吕迎 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C07B43/06 文献下载
摘要：一种芳香炔烃氧化裂解制备苯甲酰胺的方法。本发明提供了一种新的苯甲酰胺的制备方法。该方法以芳香炔烃作为底物，氧气作为氧源，氨气作为氨源，NH4I为助剂，在OMS‑2作用下，芳香炔烃发生氧化裂解，生成苯甲酰胺。此方法氧化效率高，选择性好，产品收率高，得益于对OMS‑2表面的氧空位浓度的调控；并且以氧气作为氧源，氨气作为氨源，不仅大大的提高了原子利用率，还经济、环保，具有很好的应用前景。
一种芳香氧化裂解制备甲酰胺方法

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