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[发明专利]光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法-CN200810134490.9有效
发明人：叶颖超;黄世晟;涂博闵;林文禹;吴芃逸;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法。本发明提供一种具有双重尺度粗化结构的光电元件，其在光电元件的半导体层外延过程中，通过高浓度掺杂杂质，以使此半导体层成长出多个岛体。
光电元件结构表面粗化层及其制造方法

[发明专利]一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法-CN201410391491.7有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;杨凯;蔡建九;白继锋;卓祥景;姜伟;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。
一种具有多粗化层红外发光二极管方法

[发明专利]一种ABS无铬粗化液及其制备方法与应用-CN201910491387.8在审
发明人：沈宇;王植;石群松 -专利权人：南通柏源汽车零部件有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种ABS无铬粗化液，所述粗化液为含有硫酸锰、硫酸、磷酸、甲基磺酸的水溶液。本发明还提供此种无铬粗化液用于ABS塑料的粗化方法，将上述配置好的无铬粗化液用电解装置电解后，将ABS塑料放入粗化液中进行化学粗化，所述无铬粗化液需要连接蒸发设备以保持溶液的比重。本发明提供的粗化液规避了常规的铬酸粗化带来的环境污染及高锰酸钾等易爆原料的使用，提供的粗化方法提高了粗化液和粗化能力的稳定性，具有良好的粗化效果和工业应用价值。
粗化液粗化高锰酸钾工业应用甲基磺酸蒸发设备常规的硫酸锰放入铬酸磷酸电解硫酸制备配置应用

[发明专利]一种铜合金的表面粗化自动处理方法及装置-CN202310689951.3在审
发明人：王林杰;龙燕清 -专利权人：三合镁（深圳）科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜合金的表面粗化自动处理装置，包括壳体，所述壳体内部沿传输方向顺次设置有输送部、打磨部、粗化部和收料部；经所述输送部输送的铜合金沿传输方向顺次经过打磨部打磨其表面和经过粗化部对打磨后的铜合金表面腐蚀粗化本发明提供的铜合金处理装置通过输送部将铜合金输送到打磨部进行初步打磨粗化，之后通过粗化部进行化学粗化，先进行机械打磨处理，快速完成铜合金表面初步粗化，能增加铜合金比表面积，利于后续化学粗化操作；其粗化处理方法充分利用机械粗化手段速度快和化学粗化手段效果好的优势，用机械粗化的方式去除了氧化层和表面污垢，缩短了后续化学粗化的时间，提高整体粗化效率。
一种铜合金表面自动处理方法装置

[发明专利]一种基于储层构型要素界面的储层模型的粗化方法及系统-CN201310752142.9有效
发明人：李宇鹏;耿丽慧;吴胜和;侯加根 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G06Q50/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于储层构型要素界面的储层模型的粗化方法及系统，所述方法包括：获取当前储层的分布数据；获取预先设定的原始构型模型网格数；根据原始构型模型网格数以及分布数据建立当前储层的砂体模型、孔隙度模型以及渗透率模型；对砂体模型进行指示变换，得到指示化砂体模型；对指示化砂体模型进行初步粗化，得到初步粗化的砂体模型、界面网格以及粗化比；根据粗化比对孔隙度模型以及渗透率模型进行常规粗化；根据界面网格对初步粗化的砂体模型进行精细粗化；根据界面网格对所述常规粗化的孔隙度模型进行精细粗化；根据界面网格对所述常规粗化的渗透率模型进行精细粗化。本发明得到的粗化模型可以体现构型界面对剩余油的控制。
一种基于构型要素界面模型方法系统

[发明专利]一种引线框架表面处理工艺-CN202011548015.3有效
发明人：任志军;黄伟;朱春阳;马伟凯;刘松源;段升红;李昌文;徐治;秦小波;陈迅 -专利权人：新恒汇电子股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：现有技术中对引线框架的表面处理普遍采用的方法是喷砂粗化或使用化学粗化液进行粗化，现有认知中采用一种粗化方式即会对引线框架造成足够的粗化效果，但是并没有考虑到粗化过程中引线框架表面会出现不同的粗化程度，而不同的粗化程度对下游进行封装中因为粗化程度不同出现焊线作业性差现象本发明发现了粗化一致性对后续工艺的影响，利用在化学粗化后增设一次物理喷砂粗化，提高引线框架粗化效果的同时提高粗化一致性，并加入例如超声波除杂工艺与抗氧化工艺，提高引线框架表面处理的质量。
一种引线框架表面处理工艺

[发明专利]铝表面粗化剂及使用该铝表面粗化剂的表面粗化方法-CN201080064419.3有效
发明人：大串亮;王谷稔 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种铝表面粗化剂及使用它的表面粗化方法，所述铝表面粗化剂能够使表面粗化工序的低成本化变得容易，并且能够提高铝和树脂之间的密合性。本发明的表面粗化剂的特征在于，是铝表面粗化剂，由含有碱源、两性金属离子、硝酸离子和硫代化合物的水溶液构成。另外，本发明的表面粗化方法，其特征在于，是铝表面粗化方法，具有用上述本发明的表面粗化剂处理铝表面的表面粗化工序。
表面粗化剂使用方法

[发明专利]分区粗化引线框架及其制造方法-CN202111624468.4在审
发明人：王赵云;徐赛 -专利权人：长电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种分区粗化引线框架及其制作方法，分区粗化引线框架包括平整区和粗化区，所述粗化区表面粗糙度大于所述平整区的表面粗糙度。通过一次或多次分区粗化的方法得到在表面不同作业区域具有不同粗糙度的引线框架，针对不同的作业区域分区粗化，解决产品封装制程中的不同粗化需求。利用等离子粗化的方法，使得粗化区的微小凹坑结构更加致密，粗化效果更加均匀，形成的凹坑尺寸相比于化学电镀工艺更大。等离子粗化工艺在引线框架制程后、封装制程之前进行，从而使得引线框架粗化工序可在封装厂进行，封装厂能够进一步灵活控制生产成本，并且有利于监控粗化质量。
分区引线框架及其制造方法

[发明专利]一种LED表面粗化芯片的生长方法-CN201810707824.0在审
发明人：林伟;张兆喜;徐晓强;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED表面粗化芯片的生长方法，通过使用PECVD生长氧化硅或氮化硅膜1做粗化掩膜进行粗化的工艺方法，因粗化液是从分子缝隙向下渗透，所以粗化可以达到纳米量级，粗化后氧化硅或氮化硅掩膜不须去除，因其不导电性制备的表面粗化LED芯片粗化步骤非常简单，成本低，粗化形貌良好，可以达到纳米量级，极大的提升了光电参数和生产效率。
粗化氧化硅或氮化硅纳米量级掩膜形貌电流阻挡层导电性表面粗化光电参数生产效率向下渗透粗化液生长去除制备芯片

[发明专利]一种半导体引线框架的选择性粗化设备及其粗化方法-CN202211491670.9在审
发明人：罗小平;郑建国;李蓉华 -专利权人：崇辉半导体（江门）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体引线框架的选择性粗化设备及其粗化方法，粗化设备包括喷淋装置、上模板和下模板，上模板和下模板用于夹紧引线框架，下模板上设有镂空孔，用于露出引线框架的待粗化区，喷淋装置用于将粗化药水喷淋在引线框架的待粗化区上模板和下模板夹紧引线框架，实现对引线框架的边缘密封，在下模板上开设镂空孔，喷淋装置可以将粗化药水喷淋在引线框架的待粗化区，实现局部粗化，其它区域由于被上模板和下模板密封，与粗化药水相隔绝，不会被粗化。选择性粗化方案在提高功能区和封装树脂结合力的同时，避免非功能区的溢胶难以去除，且减少处理面积能降低粗化药水的消耗，另外还具有工艺稳定、良品率高、成本低的优点。
一种半导体引线框架选择性设备及其方法

[实用新型]一种LED粗化装置-CN201821958171.5有效
发明人：康建;刘伟;郑远志;梁旭东;陈向东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED粗化装置，包括：具有腔体的可加热装置，压力调节装置和粗化液盛放装置。压力调节装置与腔体的一端连通，以调节所腔体内的气压，腔体的另一端与粗化液盛放装置连通，以在腔体内的气压小于粗化液盛放装置时，使粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入腔体内。这样通过降低腔体内的气压，使其与粗化液盛放装置内的气压形成压差，就能够将粗化液盛放装置中的粗化液挥发物通入到腔体中，实现了对腔体内LED透明导电层的粗化，操作方便，且不易与腐蚀性液体接触，具有较高的安全性，同时与浸入腐蚀液中粗化相比，对粗化过程以及粗化程度具有更高的可控性，是一种安全可控的LED导电层粗化装置。
粗化液粗化盛放装置腔体气压体内挥发物压力调节装置连通本实用新型腐蚀性液体透明导电层浸入导电层腐蚀液进入腔可加热可控的可控性压差安全

[实用新型]汽车配件电镀加工用粗化装置-CN202121422254.4有效
发明人：莫亚东;王强 -专利权人：江苏东镀汽车部件有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B24B7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及不锈钢表面处理技术领域，尤其涉及汽车配件电镀加工用粗化装置，包括底座、第一粗化辊以及第二粗化辊，所述底座的上端面设有粗化台，所述第一粗化辊以及第二粗化辊水平设置在粗化台的上方，所述第一粗化辊以及第二粗化辊的两侧通过转轴分别连接有螺母块与滑块，其中第一粗化辊靠近滑块一侧的转轴上设有第一从动轮，第二粗化辊靠近滑块一侧的转轴上设有第二从动轮，所述螺母块中竖直穿设有丝杠，所述滑块中竖直穿设有滑杆，两组滑块之间设有连接板。滑块之间通过连接板固定，提升第一粗化辊与第二粗化辊升降时的稳定性，且由于丝杠具有良好的自锁功能，简化装置繁琐的锁紧结构。
汽车配件电镀工用化装

[发明专利]一种粗化材料表面粗化图形的去除方法-CN201310729987.6无效
发明人：翟阳;项艺;艾常涛 -专利权人：迪源光电股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开一种粗化材料表面粗化图形的去除方法，具体为在粗化图形的表面形成掩膜；在掩膜的表面形成光刻胶，并利用曝光掉需要去除的粗化图形上方的光刻胶；利用刻蚀工艺，将需要去除的粗化图形及其表面的掩膜刻蚀去除，并去除多余的掩膜和光刻胶，得到去除粗化图形的粗化材料。刻蚀过程中粗化材料与掩膜之间的刻蚀速率选择比为0.9:1～1:0.9。本发明填补了定向去除粗化图形的技术空白，并且可以广泛应用于薄膜沉积、刻蚀后的材料表面形貌处理。可定向去除材料表面粗化图形，解决了粗化表面生长薄膜不平滑的外观问题，同时还解决了粗化表面生长金属粘附力差的技术问题。有效解决了粗化表面难以生长出理想结构薄膜的问题。
一种材料表面图形去除方法

[发明专利]用于弹塑性材料弹性变形的粗化方法-CN201510954825.1有效
发明人：张景臣;王庆;贺甲元;张春 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明提供涉及一种弹塑性力学模型在弹性范围内变形的粗化方法。该方法包括：首先通过理论推导获得弹塑性模型简化为弹性模型的方法，之后用此方法确定粗化区域每个精细网格的弹性参数，并明确需要确定的表征粗化模型的未知量；而后使所粗化区域达到平衡状态；其次根据未知量数目给予所粗化区域相应组数的外力刺激并记录所产生的应变；再次对所粗化区域的应力和应变进行平均化；最后根据平均的应力应变反推出所粗化区域的整体属性参数既粗化参数。通过该方法可确保原始精细模型和粗化模型有相近或相同的应力应变响应。通过本发明可以快速准确的对非均质区域进行网格粗化，提高计算效率和满足网格粗化的要求。
粗化应力应变网格弹塑性材料弹塑性模型非均质区域弹性参数弹性模型计算效率精细模型精细网格理论推导力学模型平衡状态整体属性变形的弹塑性平均化组数刺激响应记录

[发明专利]一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺-CN201510075145.2在审
发明人：丁士启;甘国庆;陆冰沪;于君杰;朱晓宏;郑小伟;贾金涛;王同;徐文斌;汪光志 -专利权人：安徽铜冠铜箔有限公司;合肥铜冠国轩铜材有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，电解生产的毛箔经酸洗预处理，再经过粗化Ⅰ、固化Ⅰ、粗化Ⅱ、固化Ⅱ、粗化Ⅲ、固化Ⅲ，完成粗化层处理。再经黑化、镀锌、防氧化和硅烷处理后完成铜箔表面处理。本发明相比现有的两步粗化两步固化的处理方式有以下优点：采取三步粗化和固化处理，分步粗化保证粗化层均匀致密，每步粗化时，在铜箔毛面电镀一层瘤状的粗铜颗粒，再进行固化处理，在粗化层的瘤状铜颗粒的间隙中沉积一层致密的金属铜，增强了粗化层与铜箔毛面的结合力，减少了在后续电路板制程中出现粗化层脱落而造成的铜粉或残铜，增加了铜箔毛面与基材接触的比表面积，提高了铜箔在高Tg、无卤素等高耐热覆铜板上的剥离强度。
一种增强电子铜箔剥离强度处理工艺

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