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[发明专利]SRAM存储单元电路-CN201910132681.X在审
发明人：郭桂良;赵佳宁;郭江飞;刘生有;韩荆宇;姜宇;来强涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM存储单元电路，包括写入单元电路和读取单元电路，写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅极与写入字线连接，漏极与写入位线连接，源极与控制节点连接；第二PMOS管的栅极与控制节点连接，漏极与存储节点连接，源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极与存储节点连接，漏极与控制节点连接，源极接地；第二NMOS管的栅极与控制节点连接，漏极与存储节点连接，源极接地；第三NMOS管的栅极与存储节点连接，漏极与第四NMOS管的源极连接，源极接地；第四NMOS管的栅极与读取字线连接，漏极与读取位线连接。本发明能够降低SRAM存储单元电路的功耗以及位线对存储节点的电位影响。
漏极电路存储节点控制节点源极接地读取单元写入单元源极连接电位电源电压读取位线读取字线写入位线写入字线功耗位线源极

[发明专利]一种预防术后患者拔管致尿路损伤的导尿管-CN202210927470.7在审
发明人：邸禄芹;张佳琦;张娇;王晓彦;陈伟 -专利权人：河北医科大学第三医院
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种预防术后患者拔管致尿路损伤的导尿管，包括导尿管本体，所述导尿管本体的底部安装有排尿口，且导尿管本体的顶部开设有进尿口，所述导尿管本体的上部固定安装有球囊；连接管，设置在所述导尿管本体的底部一侧；存储盒，设置在所述导尿管本体的一侧，所述存储盒与导尿管本体的外侧壁固定连接；活塞，设置在所述存储盒的内部，所述活塞与存储盒的内壁密封贴合连接，且活塞的左端中心处固定连接有固定杆，所述固定杆贯穿所述存储盒该预防术后患者拔管致尿路损伤的导尿管能够在患者想要拔出尿管时，通过活塞能够将充盈的球囊内部的空气或水抽出存储在存储盒内部，使得充盈的球囊收缩瘪下，减小因患者强行拔管导致的尿路损伤。
一种预防术后患者拔管致尿路损伤导尿管

[发明专利]一种带SONOS结构的晶体管及其制造方法-CN201711430506.6有效
发明人：唐小亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明提供了一种带SONOS结构的晶体管的制造方法，具体包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括选择管阱和存储管阱；在选择管阱的上表面沉积氧化物层；在存储管阱的上表面沉积ONO存储层；在选择管阱与存储管阱邻接部分的上方沉积隔离墙；沉积覆盖氧化物层、ONO存储层和隔离墙的多晶硅，蚀刻多晶硅，保留沉积在隔离墙两侧的多晶硅，以形成选择管栅极和存储管栅极，以及去除选择管栅极、隔离墙、存储管栅极之外的半导体衬底表面的氧化物层和ONO层。本发明还提供了一种根据上述方法制造的带SONOS结构的晶体管。本发明所提供的晶体管及其制造方法能够有效减小晶体管栅极之间的体积，并且能够适应于不同的工作电压要求。
一种 sonos 结构晶体管及其制造方法

[发明专利]存储器件及半导体器件-CN201610883736.7有效
发明人：山崎舜平;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/1156 文献下载
摘要：存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管，晶体管用作为开关元件，用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外，由于晶体管的活性层包含氧化物半导体，因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中，不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极，而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量，来存储数据。
存储器件半导体器件

[发明专利]半导体设备及其制造方法-CN201710132353.0有效
发明人：前川径一;蒲原史朗;山县保司;山本芳树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：为了提供一种能够改善信息的读出精度的配置有反熔丝存储单元的半导体设备。本发明提供一种半导体设备，其中，N沟道型的存储晶体管、选择核心晶体管和选择体晶体管分别以串联的方式电连接。存储晶体管和选择核心晶体管形成在SOI衬底的硅层中，并且，选择体晶体管形成在半导体衬底中。字线连接于存储晶体管的存储栅电极，并且，位线连接于选择体晶体管。在向位线施加与从字线施加到存储栅电极的电压极性相反的反电压的同时，执行写入操作。
半导体设备及其制造方法

[发明专利]用SONOS晶体管作选择管的存储器单元-CN200810043957.9无效
发明人：陈广龙 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元，具体涉及一种非挥发性存储器单元。包括一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管作为存储器件，其特征在于，该存储器单元的选择管为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管。因为本发明在现有的双管存储单元结构中，用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)管代替MOS管作为选择管，从而大大缩小SONOS栅极和MCS栅极之间的距离，进而有效缩小存储单元的尺寸。
sonos 晶体管选择存储器单元

[发明专利]一种ATP荧光检测拭子及其检测装配方法-CN201711416052.7在审
发明人：张海柱;殷旦 -专利权人：苏州贝和医疗科技有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种ATP荧光检测拭子及其检测装配方法，包括：存储管、破口管、密封管；所述的存储管包括瓶身、锥形瓶颈、二级卡扣、瓶嘴，所述的瓶嘴采用可刺破膜材料密封；所述破口管包括卡槽、存储管衔接腔、刺破腔、密封管衔接腔；所述的卡槽为二级卡槽，与存储管的二级卡扣间距相匹配，刺破腔部分位于存储管衔接腔内，部分位于密封管衔接腔内；位于密封管衔接腔内的刺破腔的长度大于第二级卡槽到存储管衔接腔和密封管衔接腔衔接处的距离本发明的存储管、破口管、密封管的密切配合，无论从开模生产，至检测使用，都实用性强；较之前同类型的拭子，密封性能好，可以避免运输和储存过程中的液体泄漏问题，解决了常用采样拭子一直存在的问题。
存储管衔接腔密封管刺破破口拭子荧光检测卡槽卡扣瓶嘴检测装配液体泄漏问题采样拭子二级卡槽密封性能锥形瓶颈膜材料衔接处开模瓶身密封匹配储存运输配合生产

[实用新型]一种奶粉加工用原料存储仓-CN202022130684.0有效
发明人：陈光耀;陈宏鑫;江晓丽;刘洪涛 -专利权人：明一国际营养品集团有限公司;福建明一生态营养品有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B65D88/54 文献下载
摘要：本实用新型适用于原料储存领域，提供了一种奶粉加工用原料存储仓，存储内仓上端设有进料管，进料管中间设有贯穿进料管的进料口，进料管上端面设有上盖安装孔，存储内仓下端设有出料控制管，出料控制管底部设有出料口，存储内仓外围设有两块存储外仓，存储外仓上端面设有固定板，固定板上均匀分布有四枚电机固定柱，由于本实用新型采用存储内仓以及存储外仓并通过轴承连接且还配有旋转电机，可实现存储内仓相对存储外仓的旋转，防止原料粘连在存储内仓上；其次由于本实用新型在存储外仓内壁上设有辅助件安装轨道，可根据需储存原料的需求选装辅助件。
一种奶粉工用原料存储

[发明专利]一种户外移动通信基站用高效微通道热交换系统-CN201610917483.0有效
发明人：罗晓平;罗文坤;陈明辉 -专利权人：东莞市丰瑞德温控技术有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： F28D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种户外移动通信基站用高效微通道热交换系统，包括中间隔板，所述中间隔板一侧表面上设有冷媒存储器和冷媒驱动泵，所述冷媒存储器上设有冷媒存储器进管和冷媒存储器出管，所述冷媒驱动泵上设有与冷媒存储器相连接的连接管，所述冷媒驱动泵上设有进液管，所述多个分液支管通过集液管与多个内分液支管相连接，所述进液管与多个内支管相连接，所述冷媒存储器进管与多个外支管相连接。
存储器冷媒冷媒驱动泵户外移动通信基站热交换系统分液支管中间隔板进液管微通道进管集液管连接管内支管外支管出管

[实用新型]一种户外移动通信基站用高效微通道热交换系统-CN201621144124.8有效
发明人：罗晓平;罗文坤;陈明辉 -专利权人：东莞市丰瑞德温控技术有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： F28D1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种户外移动通信基站用高效微通道热交换系统，包括中间隔板，所述中间隔板一侧表面上设有冷媒存储器和冷媒驱动泵，所述冷媒存储器上设有冷媒存储器进管和冷媒存储器出管，所述冷媒驱动泵上设有与冷媒存储器相连接的连接管，所述冷媒驱动泵上设有进液管，所述多个分液支管通过集液管与多个内分液支管相连接，所述进液管与多个内支管相连接，所述冷媒存储器进管与多个外支管相连接。
一种户外移动通信基站高效通道热交换系统

[发明专利]基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器-CN201810258795.4在审
发明人：张立军;吴澄;王子欧;鲁征浩;陈泽翔;李有忠;刘金陈 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G11C17/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器，包括呈差分对称结构的第一、第二两管串联型OTP存储单元，第一两管串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2，第二两管串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP3和PMOS晶体管MP4，第一两管串联型OTP存储单元和第二两管串联型OTP存储单元上接源线SL控制电路模块，下接位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块本发明不仅能够避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高读取的稳定性，还能有效改善NBTI效应的影响，极大地增加存储单元的可靠性及存储寿命。
存储单元串联型控制电路模块串联晶体管存储器公共端串联架构灵敏放大电路读取存储寿命对称结构恢复电路基准电路匹配问题跨接位线源线字线改进

[发明专利]NAND闪速存储器器件及其制造方法-CN200910203082.9无效
发明人：吴东妍;李云京;李丞哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-05-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪速存储器器件及其制造方法。一种集成电路包括NAND串，该NAND串包括位于串联连接的存储器贮存单元MC的任一末端的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST。存储器贮存单元的每个是具有浮置栅的存储器晶体管，并且串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的至少一个是具有浮置栅的存储器晶体管。可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST的阈值电压Vth是可变的和用户可控的，并不需要在制造过程中通过注入来创建。存储块中的可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的每个可以用于存储随机数据，由此增大了闪速存储器器件的存储器贮存能力。
nand 存储器器件及其制造方法

[发明专利]一种复用权重的存算一体电路-CN202111535413.6有效
发明人：乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅 -专利权人：中科南京智能技术研究院
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：本发明涉及一种复用权重的存算一体电路，其特征在于，包括：SRAM计算单元阵列；各SRAM计算单元包括存储单元、管T1、管T2、管T3和管T4，计算子模块包括管TN1、管TN2、管TP1、管TP2、耦合电容C1和耦合电容C2，管T1的栅极和管T3的栅极均连接存储单元的第一权重存储点，管T2的栅极和管T4的栅极均连接存储单元的第二权重存储点；耦合电容C1用于实现反输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算，耦合电容C2用于实现输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算。本发明提高了存储单元权重的利用率同时降低了权重的读写干扰。
一种权重一体电路

[发明专利]具有2晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构的存储器装置-CN202080068877.8在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;K·萨尔帕特瓦里;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/404 文献下载
摘要：所述设备中的一个包括导电区、第一数据线、第二数据线、耦合到所述第一数据线和所述导电区的第一存储器单元、耦合到所述第二数据线和所述导电区的第二存储器单元、导电结构以及导电线。所述第一存储器单元包括耦合到第二晶体管的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一电荷存储结构。所述第二存储器单元包括耦合到第四晶体管的第三晶体管，所述第三晶体管包括第二电荷存储结构。所述导电结构位于所述第一电荷存储结构与所述第二电荷存储结构之间且与所述第一电荷存储结构和所述第二电荷存储结构电分离。所述导电线形成所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个的栅极。
具有晶体管竖直存储器单元屏蔽结构装置

[发明专利]存储单元及存储器-CN202310128239.6在审
发明人：朱家国;周戬 -专利权人：苏州宽温电子科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开是关于一种存储单元及存储器，涉及集成电路技术领域。该存储单元包括：第一上拉晶体管连接存储节点和电源电压；第二上拉晶体管连接反相存储节点和电源电压；第一端口模块包括第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一字线、第一位线和第一反相位线，第一传输晶体管连接存储节点、第一位线和第一字线，第二传输晶体管连接反相存储节点、第一反相位线和第一字线；第二端口模块包括第三传输晶体管、第四传输晶体管、第二字线、第二位线和第二反相位线，第三传输晶体管连接存储节点、第二位线和第二字线，第四传输晶体管连接反相存储节点、第二反相位线和第二字线。本公开可以提高存储单元的集成度。
存储单元存储器