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- [发明专利]非易失性存储器写入装置以及方法-CN201410104518.X有效
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林宏学
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华邦电子股份有限公司
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2014-03-19
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2018-11-09
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G11C16/06
- 一种非易失性存储器写入装置以及方法，该装置包括快闪式存储器、选取模块、升压模块以及写入模块。快闪式存储器包括选取阵列，选取阵列包括基体、位线以及字线。选取模块选取位线的写入位线以及字线的写入字线，其中写入位线的邻近位线为浮接。升压模块产生列高电压、行高电压以及负电压。当升压模块于升压过程中，写入模块将负电压施加至位线，当升压模块完成产生列高电压以及行高电压时，写入模块将行高电压施加于写入字线，选取模块将列高电压施加于写入位线。本发明提出的一种非易失性存储器写入装置以及方法，可有效降低因邻近写入位线的本地位线因耦合效应所造成的写入干扰。
- 非易失性存储器写入装置以及方法
- [发明专利]灵敏放大器、存储器以及控制方法-CN202110314431.5有效
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苏信政
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长鑫存储技术有限公司
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2021-03-24
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2022-05-17
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G11C7/06
- 本申请提供一种灵敏放大器、存储器以及控制方法，灵敏放大器包括：放大模块，用于在灵敏放大器处于放大阶段时，放大位线和基准位线之间的电压差；写入模块，与位线和基准位线连接，用于在灵敏放大器处于写入阶段时，根据待写入数据拉动位线和基准位线之间电压差；可控电源模块，与放大模块连接，用于在灵敏放大器处于非写入阶段时，向放大模块提供第一电压，在灵敏放大器处于写入阶段时，向放大模块提供第二电压；其中，第二电压小于第一电压，且第二电压与写入模块的驱动能力正相关本方案在写入阶段平衡写入模块和放大模块拉动位线和基准位线电压的能力，保证写入模块的驱动能力较弱时也能通过位线和基准位线向存储单元中写入数据。
- 灵敏放大器存储器以及控制方法
- [发明专利]灵敏放大器和半导体存储器-CN202210762909.5在审
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苏信政
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长鑫存储技术有限公司
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2022-06-30
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2022-10-04
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G11C7/06
- 本公开提供一种灵敏放大器和半导体存储器，包括：控制模块，其设有输入端和输出端，用于获取写入模块的温度数据，并根据温度数据对输入端接收的第一列选择信号进行脉冲宽度调节，输出第二列选择信号；写入模块，其设有控制端，其控制端与控制模块的输出端连接，其与位线和互补位线连接，其用于在第二列选择信号控制下在写入阶段根据写入数据驱动位线和互补位线的电压；放大模块，其与位线和互补位线连接，用于放大位线和互补位线的电压。通过如此设置，补偿写入模块的电压驱动能力随着温度变化而变化的情况，以使写入模块驱动位线和互补位线在预期时间达到反转点电压，保证成功写入数据，以及提升写入时间的性能参数。
- 灵敏放大器半导体存储器
- [发明专利]灵敏放大器和半导体存储器-CN202210760169.1在审
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苏信政
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长鑫存储技术有限公司
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2022-06-30
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2022-10-04
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G11C7/06
- 本公开提供一种灵敏放大器和半导体存储器，包括：写入模块，用于在写入阶段根据写入数据驱动位线和互补位线；放大模块，与位线和互补位线连接，用于放大位线和互补位线之间的电压差；电源模块，与放大模块的第一端连接，用于在写入阶段根据放大模块的温度数据向放大模块提供电源电压，控制写入模块内晶体管驱动能力与放大模块内晶体管驱动能力的比值在预设比值范围内，保证在写入阶段的初期，写入模块内的晶体管可以将位线和互补位线的电压驱动到反转点电压，准确写入数据，也可以有效缩短恢复时间，降低功率损耗。
- 灵敏放大器半导体存储器
- [发明专利]存储器-CN01112235.8无效
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国清辰也
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三菱电机株式会社
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2001-03-30
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2002-01-30
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H01L27/11
- 本发明的课题是提供既可迅速地进行使记忆内容反转的写入、又可减少不需要的功耗的存储器。晶体管MN9、MN10串联连接在节点N1与写入位线41之间。晶体管MN9、MN10的栅分别与写入控制线44和写入字线31连接。写入控制线44供给与写入位线41、互补写入位线42的“异或”运算值相当的电位。通过预先将写入工作中不使用的写入位线41、互补写入位线42预充电为相同的电位,晶体管MN9关断。
- 存储器
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