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[实用新型]基于低温等离子体的有机废液处理装置-CN201821373838.5有效
发明人：杜长明;丁锦建;丁佳敏;陆胜勇 -专利权人：浙江大学台州研究院
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于低温等离子体的有机废液处理装置，包括低温等离子体裂解装置和裂解气净化装置。低温等离子体裂解装置包括空压机、气体流量计、废液罐、高压水泵、液体流量计、滑动弧放电等离子体炬、低温等离子体炉、保温管。裂解气净化装置包括二燃室、文丘里洗涤塔、水泵、收集箱、填料吸收塔、通风管、箱式插板阀、引风机、排气筒。有机废液通过滑动弧放电等离子体炬裂解，在低温等离子体炉内生成的等离子体裂解气通过二燃室、文丘里洗涤塔、填料吸收塔净化后排入大气。
低温等离子体滑动弧放电等离子体有机废液处理装置裂解气净化装置文丘里洗涤塔本实用新型填料吸收塔裂解装置二燃室通风管等离子体高浓度有机废液后排入大气气体流量计液体流量计高压水泵集成设计设备结构有机废液保温管插板阀废液罐空压机裂解气排气筒收集箱引风机降解裂解炉内水泵净化成熟

[发明专利]选择性控制等离子体的离子组成物的系统和方法-CN201080029436.3有效
发明人：卡莫尔·哈迪德;拉杰许·都蕾;伯纳德·G·琳赛;维克拉姆·辛;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
选择性控制等离子体离子组成系统方法

[发明专利]等离子体处理系统和设备,及用于输送射频功率至等离子体处理室的方法-CN00809597.3有效
发明人：安德瑞斯·费舍尔;巴巴科·卡德库达因;安德拉斯·库蒂 -专利权人：拉姆研究公司
申请日： 2000-06-15 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备与系统,及用以输送射频功率至等离子体处理室的方法。等离子体处理系统包括一个射频产生器、一个等离子体室、一个匹配网络盒、第一电缆、第二电缆,及用以电隔离匹配网络盒的装置。射频产生器产生射频功率以传送至等离子体室。等离子体室接收射频功率以处理晶片且在等离子体处理期间由内阻抗来作为特征。等离子体室有一面或多面墙壁可用以返回射频电流。匹配网络盒能够接收射频电流并产生阻抗使得等离子体室的内阻抗可以和射频产生器的阻抗相匹配。第一电缆连接射频产生器与匹配网络盒以在射频产生器与匹配网络盒之间传送射频功率。第二电缆连接匹配网络盒与等离子体室以在匹配网络盒与等离子体室之间传送射频功率。第二电缆为射频返回电流提供一个从等离子体室至匹配网络盒之间的返回路径。电隔离装置使匹配网络盒隔离防止其与等离子体室作电接触,使得仅有第二电缆可以提供射频返回电流从等离子体室至匹配网络盒的返回路径。
等离子体处理系统设备用于输送射频功率方法

[发明专利]基板处理装置-CN201710118392.5有效
发明人：传宝一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明在进行PEALD处理的基板处理装置中，大幅地降低入射到晶片的离子的能量，抑制由离子的注入导致的对沉积膜的损伤，实施表面性状良好的成膜处理。一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，上述基板处理装置包括：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；在上述处理容器内生成等离子体的等离子体源，上述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，上述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。
处理装置

[发明专利]等离子体成膜装置-CN201110004266.X无效
发明人：万谷俊一 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体成膜装置。在所述等离子体成膜装置中，将整流导板(14)设置于等离子体喷嘴(16)和基材(10)的成膜部位(12)之间。所述整流导板(14)具有等离子体供给通路(20)、原料供给通路(22)、通过合并等离子体供给通路(20)和原料供给通路(22)而形成的成膜合流通路(24)、用于排出从成膜部位(12)输送来的等离子体放电气体和未反应的原料的排出通路(26)和用于使排出通路(26)中未反应的原料返回至等离子体供给通路(20)的回收通路(28)。
等离子体装置

[发明专利]大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置-CN200710101587.5有效
发明人：雷明凯;郭甲;高峰;袁力江;张仲麟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：材料表面工程领域中，大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置，包括金属真空室[5]，低能离子注入电源[14]和真空系统，特征：取消由外界输运等离子体的独立等离子体源，在真空室内安置一金属网罩[6]，等离子体源电源[8]向网罩施加直流脉冲负偏压，在炉体[2]内壁和网罩之间形成等离子体，或者增加提供放电辅助作用的热阴极灯丝[9]降低放电电压，将直流脉冲等离子体源和低能离子注入装置组合在真空室内，在网罩与样品台[11]上分别施加的直流脉冲负偏压交替发生，保证了直流脉冲等离子体的产生和低能离子注入交替不间断的进行。优点：成本低；能实现大面积的均匀等离子体基低能离子注入。
大面积直流脉冲等离子体低能离子注入装置

[发明专利]等离子体源-CN00104533.4无效
发明人：酒井滋树;高桥正人 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置),该电磁铁在等离子体室容器内,在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。
等离子体

[发明专利]等离子体发生装置和工件处理装置-CN200710079921.1无效
发明人：松内秀高;岩崎龙一;万川宏史;增田滋;林博史;三毛正明 -专利权人：诺日士钢机株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明的等离子体发生装置包括：微波发生部，生成微波；供气部，提供等离子体化的气体；等离子体发生喷嘴，包含接收所述微波的接收构件，并根据接收到的微波的能量，使所述气体等离子体化后喷出；以及光检测单元，检测所述等离子体化的气体发出的光
等离子体发生装置工件处理

[发明专利]等离子体显示装置-CN200810001071.8无效
发明人：吕宰英 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：一种等离子体显示装置，包括：等离子体显示面板；至少一个驱动板，用于驱动等离子体显示面板；位于等离子体显示面板与驱动板之间的底盘基座，用于支撑等离子体显示面板，并设置为直接接触驱动板；和安装在驱动板的后表面上的电子元件
等离子体显示装置

[发明专利]用于处理工件的等离子体反应装置-CN201710407698.2在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；过滤装置用于使第一等离子体在经过过滤装置进入工艺腔时，形成电子束，该电子束用于激励工艺腔内的工艺气体产生第二等离子体，该第二等离子体用于处理工件。本发明提供的用于处理工件的等离子体反应装置，其可以降低电子温度，从而可以解决因电子温度过高引起的晶片表面损伤的问题。
工艺腔等离子体处理工件过滤装置等离子体反应装置电子束产生电子束电感耦合等离子体源工艺气体晶片表面温度过高损伤外部

[实用新型]用于处理工件的等离子体反应装置-CN201720632439.5有效
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；过滤装置用于使第一等离子体在经过过滤装置进入工艺腔时，形成电子束，该电子束用于激励工艺腔内的工艺气体产生第二等离子体，该第二等离子体用于处理工件。本实用新型提供的用于处理工件的等离子体反应装置，其可以降低电子温度，从而可以解决因电子温度过高引起的晶片表面损伤的问题。
用于处理工件等离子体反应装置

[发明专利]等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN201810154971.X在审
发明人：吉水康人;安井祐之 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种能够缓和在大气压下的环境中对被处理物的限制的等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置。实施方式的等离子体处理装置具备：放电部，在大气压下生成等离子体；以及非金属管，能够供在所述放电部中生成的等离子体行进；且从所述管向大气压下的环境释放等离子体。
等离子体处理装置等离子体半导体制造装置半导体装置放电部被处理物非金属管环境释放制造行进缓和

[发明专利]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201711446538.5在审
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[实用新型]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201721863054.6有效
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束本实用新型射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[发明专利]用于中性粒子/离子流通量控制的双等离子体容积处理装置-CN201610101378.X有效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;阿列克谢·马拉哈托夫;安德鲁·D·贝利三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体晶片处理装置包括暴露于第一等离子体产生容积的第一电极、暴露于第二等离子体产生容积的第二电极以及布置在所述第一和第二等离子体产生容积之间的气体分配单元。所述第一电极被限定为将射频(RF)功率传送到第一等离子体产生容积并且将第一等离子体处理气体分配到第一等离子体产生容积。第二电极被限定为将RF功率传送到第二等离子体容积，并且保持暴露于第二等离子体产生容积的衬底。气体分配单元包括被限定为将第一等离子体产生容积与第二等离子体产生容积流体连接的通孔布置。气体分配单元还包括被限定为将第二等离子体处理气体分配到第二等离子体产生容积的气体供给端口布置。
用于中性粒子离子流通量控制等离子体容积处理装置