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- [实用新型]半导体放电管半导体芯片-CN01253759.4无效
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吴平靖
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吴平靖
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2001-09-18
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2002-08-28
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H01L29/747
- 本实用新型涉及一种半导体放电管半导体芯片,包括第一导电型长基区中间层,其掺杂为高斯分布,其特征在于第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层,金属化层边缘有钝化层,第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区,其掺杂为高斯分布,第二导电型短基区内有掺杂为余误差分布的第二导电型层,第二导电型短基区内有第一导电型发射区,其掺杂为高斯分布,第一导电型发射区内有掺杂为余误差分布的第一导电型层,第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层,第二导电型短基区外侧有环槽,本实用新型的优点是半导体放电芯片有大范围的耐压耐流,响应时间快,开通延迟时间短。
- 半导体放电芯片
- [发明专利]发光二极管-CN202211241597.X在审
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-01-17
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H01L33/10
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN202211241646.X在审
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-01-17
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H01L33/10
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN201911394635.3有效
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-06-02
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H01L33/48
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]摄像头模组及电子设备-CN202010908220.X有效
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徐华
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维沃移动通信有限公司
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2020-09-02
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2023-01-03
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H01L23/38
- 本申请公开了一种摄像头模组及电子设备，属于通信技术领域。该摄像头模组包括外壳、基板和图像传感器。基板包括基体、第一导电层、第二导电层、N型半导体和P型半导体，第一导电层和第二导电层均设置于基体，且第一导电层位于图像传感器与第二导电层之间，N型半导体和P型半导体并列设置于第一导电层和第二导电层之间，第一导电层包括多个间隔排布的第一导电部，第二导电层包括多个间隔排布的第二导电部，N型半导体的两端分别与第一导电部和第二导电部接触，P型半导体的两端分别与第一导电部和第二导电部接触，在基板通电的情况下，热量从第一导电部传导至第二导电部
- 摄像头模组电子设备
- [发明专利]高可靠性发光二极管-CN201911346191.6在审
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吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-10-11
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2020-04-24
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H01L33/46
- 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
- 可靠性发光二极管
- [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050533.5在审
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吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-10-11
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2022-04-22
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H01L33/64
- 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
- 可靠性发光二极管
- [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050788.1在审
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吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-10-11
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2022-04-22
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H01L33/44
- 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
- 可靠性发光二极管
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