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[发明专利]紫外线发光元件-CN201911375106.9在审
发明人：韩昌锡;郭雨澈;崔孝植;黄晶焕;张彰槿 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：这里公开了一种紫外线发光元件。所述紫外线发光元件，包括：第一导电型半导体层；防裂层，位于所述第一导电型半导体层上；活性层，位于所述防裂层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；第一电极，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二电极，电连接到所述第二导电型半导体层；其中，所述第一导电型半导体层和所述防裂层的界面的上部的晶格密度大于所述第一导电型半导体层和所述防裂层的所述界面的下部的晶格密度。
紫外线发光元件

[发明专利]互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN97121543.X有效
发明人：朱宰一 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-10-29 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：CMOSFET包括绝缘衬底；第一导电型第一半导体层和第二导电型第二半导体层，在绝缘衬底上由中心和两侧限定互相间隔预定距离；第二导电型第三半导体层，从第一导电型第一半导体层边伸到第二导电型第二半导体层预定长度；第一导电型第四半导体层，从第二导电型第二半导体层边伸到对称第二导电型第三半导体层预定长度；绝缘层，在第一第二第三和第四半导体层表面上；栅电极，在第一第二半导体层中心，第一第二第三及第四半导体层间。
互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]超薄导电布胶带-CN201821832656.X有效
发明人：施艳萍 -专利权人：昆山汉品电子有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超薄导电布胶带。该超薄导电布胶带的厚度为0.015mm。其包括：第一离型层、第一丙烯酸树脂型导电压敏胶层、导电纤维层、第二丙烯酸树脂型导电压敏胶层和第二离型层，所述导电纤维层的两个表面分别贴覆有所述第一丙烯酸树脂型导电压敏胶层和第二丙烯酸树脂型导电压敏胶层，所述第一丙烯酸树脂型导电压敏胶层背离导电纤维层的表面贴覆有所述第一离型层，所述第二丙烯酸树脂型导电压敏胶层背离导电纤维层的表面贴覆有第二离型层，所述超薄导电布胶带的每平方英寸面积上各个方向的电阻值都小于上述超薄导电布胶带由于其每层的设计较为合理，且在生产时较为容易控制每层的厚度，最终使得超薄导电布胶带的整体厚度较小。
导电压敏胶层丙烯酸树脂超薄导电布胶带导电纤维层离型层表面贴背离本实用新型电阻贴覆生产

[发明专利]发光装置结构-CN201210037085.1有效
发明人：黄羽民;吴国祯;李君圣 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置，其特征在于包括一基底；一外延结构，设置于基底上，外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层；一第一电极，设置于第一导电型半导体层上；一透明导电层，位于第一电极和第一导电型半导体层间；以及一三维立体分布式布拉格反射层，位于所述透明导电层和所述第一导电型半导体层间。
发光装置结构

[发明专利]半导体装置-CN202111339834.1在审
发明人：崔秀明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有：第一导电型的半导体层；第一电极，设置于所述半导体层上；第二电极，设置于所述半导体层上；第三电极，设置于所述半导体层上，在所述第一电极与所述第二电极之间分离地设置；第二导电型的第一半导体区域，设置于所述半导体层中；第一导电型的第一阴极区域；第二导电型的第一阳极区域；第一导电型的第二阴极区域；第二导电型的第二阳极区域；第二导电型的第三阳极区域；第一导电型的第三阴极区域；第二导电型的第二半导体区域；第二导电型的第四阳极区域；以及第一导电型的第四阴极区域。
半导体装置

[发明专利]一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管-CN201610273817.5有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。
一种具有梯形圆台微米发光二极管

[发明专利]使用微型LED的显示装置及其制造方法-CN201980100841.0在审
发明人：朴七根;金政勋;林忠铉 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种利用在流体内进行自组装的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。具体地说，所述半导体发光元件的特征在于包括：第一导电型电极层和第二导电型电极层；第一导电型半导体层，与所述第一导电型电极层电连接；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；以及第二导电型半导体层，位于所述活性层上，与所述第二导电型电极层电连接；所述第二导电型半导体层的一面包括所述一面的一部分被刻蚀而形成的台面结构，所述第二导电型电极层位于所述第二导电型半导体层的包括台面结构的所述一面上。
使用微型 led 显示装置及其制造方法

[发明专利]复合基板结构-CN200910175616.1有效
发明人：颜立盛;曾柔元;赖玉山 -专利权人：联致科技股份有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合基板结构，包括一离型层、一核心层、一第一导电层以及一第二导电层。核心层包覆离型层，并具有相对的一第一表面与一第二表面。第一导电层配置于第一表面上。第二导电层配置于第二表面上，其中离型层将核心层、第一导电层以及第二导电层区分为一第一单面基板单元与一第二单面基板单元，第一单面基板单元包括第一导电层以及核心层的位于第一导电层与离型层之间的一第一部分，第二单面基板单元包括第二导电层以及核心层的位于第二导电层与离型层之间的一第二部分
复合板结

[发明专利]发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统-CN201210102050.1有效
发明人：张正训;李定植;任正淳;金炳祚;南承根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层设置为彼此相邻，有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，阱层的能带隙小于势垒层的能带隙；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极，其中第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层、多重接触层以及第一电极和第二电极设置为具有相同的方向性。
发光器件包括封装以及照明系统

[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构-CN201010565520.9有效
发明人：朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体第一源区，第二导电型半导体第二阱区内部设有第一导电型半导体第二源区；第一导电型半导体第一源区、第二导电型半导体第一阱区上部分覆盖有第一源极区域，第一导电型半导体第二源区、第二导电型半导体第二阱区部分覆盖有第二源极区域；第一、第二源极区域之间设有栅氧化层；栅氧化层上部设有栅极；栅氧化层与外延层之间间断设有场氧化层。
一种垂直扩散金属氧化物半导体场效应结构

[发明专利]制造太阳能电池的方法及太阳能电池-CN201310165702.0有效
发明人：洪光辉;颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造太阳能电池的方法及太阳能电池。制造太阳能电池的方法包括下列步骤：提供一第一导电型层，第一导电型层具有一上表面。掺杂一掺质至第一导电型层中，以于第一导电型层的上表面的下方形成一第二导电型层。第二导电型层具有一轻掺杂区。利用一激光掺杂制程掺杂掺质至第二导电型层的轻掺杂区中，以于第二导电型层的轻掺杂区中形成一半导体图案层。半导体图案层的掺质浓度大于第二导电型层的轻掺杂区的掺质浓度。
制造太阳能电池方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610030780.3有效
发明人：邹安莉;曾玮豪 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板；第二导电型外延层，设于基板上；第一导电型外延层，设于第二导电型外延层上；第二导电型埋藏层，设于第二导电型外延层中；第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽，其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区，第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区；第一导电型第一重掺杂区，设于第一隔离区中的第二导电型外延层中；以及第二导电型第一重掺杂区，设于第二隔离区中的第一导电型外延层中。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN202210482686.7在审
发明人：吴炫智;崔洛俊;金炳祚 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，半导体器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；其中，有源层包括多个阻挡层和阱层，阻挡层、阱层、第一导电型半导体层及第二导电型半导体层包括铝，第二导电型半导体层包括铝组成随远离有源层而以一斜率渐小的半导体层。
半导体器件包括封装

[实用新型]一种触控面板-CN201721103630.7有效
发明人：邱泽银;鄞俊锵;林汉良;周伟杰 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种触控面板，该触控显示面板包括基板；设置在基板一侧的第一导电层，第一导电层包括第一触控电极；设置在第一导电层背离基板一侧的转印型透明导电膜，转印型透明导电膜具有光刻胶层以及第二导电层，光刻胶层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层包括第二触控电极；位于转印型透明导电膜背离第一导电层一侧的盖板。本实用新型技术方案通过转印型透明导电膜形成第二触控电极，该转印型透明导电膜可以直接贴合在第一导电层上，制作工艺简单。而且由于转印型透明导电膜的厚度较薄，刻蚀掉其光刻胶层以后，第一触控电极以及第二触控电极可以采用同一导体层分别制备走线，降低厚度，便于薄型化设计。
一种面板

[发明专利]垂直型发光二极管-CN201911376837.5在审
发明人：李俊熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：支承基板；第一导电型半导体层；上绝缘层，位于第一导电型半导体层上；台面，包括活性层以及第二导电型半导体层，并位于第一导电型半导体层的一部分区域下方以使第一导电型半导体层的边缘暴露，台面包括使第一导电型半导体层暴露的第二贯通孔；第一电极，包括通过第一贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第一接触部以及通过第二贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第二接触部；第二电极，与第二导电型半导体层电接通；以及至少一个上电极焊盘，与第二电极接通，第一贯通孔布置在被台面的边缘围绕的区域内，各个第二贯通孔的一部分被活性层以及第二导电型半导体层围绕并沿着台面的边缘布置，上绝缘层包括多个物质层。
垂直发光二极管