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[发明专利]半导体结构-CN201010151192.8有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。
半导体结构

[发明专利]一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法-CN202010672178.6在审
发明人：潘东;刘磊;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12)，在窄禁带半导体纳米线壳层(12)表面原位外延生长超导体层(13)。该方法制备的窄禁带半导体/超导体异质结纳米线具有高的晶体质量，异质结界面可达原子级平整。
一种窄禁带半导体超导体异质结纳米制备方法

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法-CN201711272587.1在审
发明人：郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数
一种光电阴极及其制备方法

[发明专利]一种宽光谱图像传感器结构及形成方法-CN201911175005.7在审
发明人：李梦;范春晖;奚鹏程;史海军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱图像传感器结构及形成方法，图像传感器结构包括：设于半导体衬底正面上的感光单元；设于所述半导体衬底正面，自下而上依次位于所述感光单元中的宽禁带半导体材料层、第一半导体层、窄禁带半导体材料层和第二半导体层；其中，入射光由半导体衬底背面进入感光单元，利用宽禁带半导体材料层对入射光中的短波段光进行吸收，利用窄禁带半导体材料层对入射光中的长波段光进行吸收，以同时提高短波段和长波段的量子效率。
一种光谱图像传感器结构形成方法

[实用新型]一种光电阴极-CN201721675131.5有效
发明人：郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型Al_xGa_1‑xN发射层和形成在p型Al_xGa_1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型Al_xGa_1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本实用新型的光电阴极在p型Al_xGa_1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型Al_xGa_1‑_xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善Al_xGa_1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
发射层窄禁带半导体光电阴极表面层光电阴极表面本实用新型衬底半导体材料表面层原子材料表面能共价键形式电子隧穿带结构功函数禁带生长

[发明专利]一种光电极的制备方法-CN200910092312.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛;高显峰 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。
一种电极制备方法

[发明专利]一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法-CN201310693176.5在审
发明人：李灿;刘桂继;施晶莹;章福祥;丁春梅;陈政 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法，抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减，促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法，能够使窄禁带半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上，这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。
一种提高窄禁带半导体阳极光电催化反应稳定性方法

[发明专利]一种变禁带宽度的超结VDMOS器件-CN201710726176.9有效
发明人：李泽宏;罗蕾;谢驰;李佳驹;张金平;任敏;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类型掺杂柱区侧面引入采用窄禁带半导体材料的窄禁带第一导电类型掺杂区，并在第一导电类型掺杂区和窄禁带第一导电类型掺杂区的正上方引入采用宽禁带半导体材料的宽禁带第一导电类型掺杂区，通过上述措施
一种变禁带宽度 vdmos 器件

[发明专利]一种三元核壳型复合光催化剂及其制备方法-CN201110081513.6有效
发明人：王桂赟;王延吉;张广林;赵新强 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：该催化剂由外覆宽禁带半导体氧化物，内包n型和p型窄禁带半导体氧化物的异质复合体组成，其配比为：质量比外覆的宽禁带氧化物∶内包的窄禁带n型和p型半导体氧化物二元组合体之和＝0.01-0.9∶1，摩尔比n型窄禁带半导体氧化物∶p型窄禁带半导体氧化物＝0.2-5.0∶1。
一种三元核壳型复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法-CN201910082596.7在审
发明人：刘兴钊;潘棋;范旭东;任羿烜;代天军;罗文博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的窄禁带半导体薄膜包括重叠设置于衬底基片上的二维硫族化合物薄膜层和窄禁带半导体层，所述二维硫族化合物薄膜层的材料至少包括下述选定硫族化合物材料之一MoTe₂、WTe₂、HfTe₂、ZrTe₂、NbTe₂、TaTe₂；所述窄禁带半导体层的材料的材料至少包括下述各材料之一
窄禁带半导体光敏二极管薄膜窄禁带半导体层硫族化合物薄膜层二维制备硫族化合物材料电子信息材料衬底基片重叠设置探测率响应度元器件高光

[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器-CN202110242787.2有效
发明人：胡仕刚;高龙;贡凯伦;李炉焦 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板，本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合，通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果，保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果，再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒，提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果
一种基于 iii 族窄禁带半导体随机存储器

[发明专利]宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法、一种光电极-CN200810000929.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种高转换效率量子点敏化的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法，以及采用这种宽禁带半导体纳米管/线阵列膜的光电极。本发明的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜，包括宽禁带半导体纳米管/线阵列和导电基底，所述宽禁带半导体纳米管/线阵列中填充有窄禁带半导体量子点纳米颗粒。本发明采用阳极氧化法制备宽禁带半导体纳米管/线阵列膜；用化学沉积法制备窄带半导体量子点敏化的纳米管/线阵列膜。采用本发明这种宽禁带纳米管/线阵列膜的光电极应用于光电化学池中，光电转换效率得到很大提高。
宽禁带半导体纳米阵列及其制备方法一种电极

[发明专利]一种槽栅超结器件-CN201810970740.6有效
发明人：李泽宏;杨梦琦;王梁浩;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种槽栅DMOS器件。本发明的特征在于：基于传统槽栅超结器件结构，在第一导电类型半导体柱区中引入采用窄禁带第一导电类型半导体区，并在窄禁带第一导电类型半导体区中靠近第二导电类型半导体柱区的侧面引入宽禁带第一导电类型半导体区，通过上述措施，能够有效改变槽栅超结器件发生雪崩击穿时的雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离重掺杂第一导电类型半导体源区下方的第二导电类型半导体体区，从而有效避免寄生BJT的开启，提高槽栅超结器件在非箝位电感负载应用中的可靠性
一种槽栅超结器件

[发明专利]一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池-CN201710849974.0在审
发明人：张子庚;张瑜桀;张核元;张镁元;任琤;任易 -专利权人：壹号元素（广州）科技有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述多个纳米线相互交错设于宽禁带半导体纳米线层内，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极与顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层和顶部电极之间。本发明所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，使用的能量转换材料为半导体纳米线，最大限度地提高放射源衰变粒子的利用率，且通过并联或串联方式实现多组电池单元多层堆垛集成封装，可达到高的单位体积输出功率
一种无序排列宽禁带半导体纳米同位素电池

[发明专利]一种磷酸银及M-O(M=Cu⁺,Fe³⁺,Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法-CN201410011962.7无效
发明人：赵海东;马宏芳;刘文;刘锐;郭永 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，采用简单的双电极电解法，分别以银、铜、铁或锌片为阴极和阳极通过调控电解电压、电解液组成等反应参数，制备了Ag₃PO₄、Cu₂O、Fe₂O₃和ZnO等窄禁带半导体纳米材料整个制备过程操作方便，工艺简单，可用于窄禁带半导体纳米粒子的可控合成。将制备得到的窄禁带半导体纳米材料用做光催化剂，在可见光的照射下即可降解有机污染物，可以极大的提高有机污染物的降解效率，节约有机污染物处理成本，因而在光催化应用领域具有很大的应用前景。
一种磷酸 cu sup fe zn 窄禁带半导体纳米粒子制备方法

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