“郝广辉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种场发射电子源结构及其形成方法、电子源、微波管-CN201911001414.5有效
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01J23/04 文献下载
摘要：本发明公开一种光增强场发射电子源结构及其形成方法、包括其的电子源、微波管，所述电子源结构包括支撑衬底；形成在衬底上的光电阴极层；形成在光电阴极层的一部分上的源极；覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极；以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。本发明提供的光增强场发射电子源结构与基于冷阴极的电子源结构相比，具有较低的工作电压，可有效降低了强电场作用下电子源器件因击穿导致短路的概率；相比于传统光电阴极组件的电子源结构，本发明的光增强场发射电子源结构拥有更大的发射电流密度和更强的抗离子轰击能力，可满足高频率行波管对大电流密度电子源结构的要求。
一种发射电子结构及其形成方法微波

[发明专利]一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法-CN202111210171.3在审
发明人：曹俊杰;张俊举;田春英;沙娓娓;王勇;郝广辉;陈若曦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法，所述光电阴极包括纳米孔阵列、GaAs发射层和Cs\O吸附层，所述纳米孔阵列构建在GaAs发射层的上表面，所述Cs\O吸附层构建于GaAs发射层的下表面。本发明通过等效介质理论，可以将纳米孔阵列等效成一层新的介质，这层新介质的折射率介于真空与GaAs材料之间，能够缓解两者的折射率突变，降低入射光的反射率，提高GaAs发射层对于光的吸收率，从而有效增强光电阴极的性能，可应用于微光像增强器、电子显微镜和新型太阳能电池等领域。
一种增强光吸收纳米结构光电阴极及其构建方法

[发明专利]一种高可靠性电推进用空心阴极结构-CN202011444824.X有效
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;于志强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的绝缘环；所述绝缘环位于所述发射体与所述顶孔板之间。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
一种可靠性进用空心阴极结构

[发明专利]一种高可靠性电推进用空心阴极结构-CN202011453132.1在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;于志强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述空心阴极结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的内电极；所述内电极穿过所述导气管插设在所述发射体的内腔中。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
一种可靠性进用空心阴极结构

[发明专利]一种真空沟道型光电阴极及其制备方法-CN201811601805.6在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开一种真空沟道型光电阴极及其制备方法。所述真空沟道型观点阴极包括衬底和形成在衬底上的阴极发射层，阴极发射层包括周期性交替排列的第一半导体材料层和第二半导体材料层，以及形成在阴极发射层中的沟道，其中所述沟道靠近衬底一侧的面积小于阴极发射层表面的面积。本发明提供的光电阴极可产生较大的发射电流密度，同时有效地缩短阴极的响应时间，使其具有发射太赫兹频率电子脉冲的能力，可应用于光调制真空微波器件、自由电子激光器和光源等。
一种真空沟道光电阴极及其制备方法

[发明专利]一种太阳能能量转换器件-CN201811534674.4在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能能量转换器件，该光电转换器件包括：至少一个光透射窗、阴极引出电极和阳极引出电极、以及多个绝缘环，共同提供具有真空腔的结构，设置在真空腔内的阴极组件、阳极组件及其间的绝缘子，所述阴极引出电极电接触阴极组件，所述阳极引出电极电接触阳极组件；以及提供在能量转换器件中的激活原子，其中所述阴极组件中形成有多个贯穿其中的阴极通道，且所述阴极组件与所述真空腔内壁之间存在空隙。本发明提供的太阳能能量转换器件可有效地改善激活原子的运动路径，促进激活原子在阴极表面动态吸附，有效地提高了太阳能能量转换效率。与其它真空型太阳能能量转换器件相比，该太阳能能量转换器件中新型结构可以有效地提高阴极表面激活原子的吸附效率，具有更高的能量转换效率。
太阳能能量转换器件阴极组件有效地真空腔激活阳极引出电极阴极引出电极阳极组件阴极表面电接触绝缘子光电转换器件能量转换器件能量转换效率动态吸附光透射窗吸附效率阴极通道运动路径转换效率绝缘环真空型内壁贯穿

[发明专利]一种真空沟道晶体管及其制备方法-CN201811649707.X在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01J40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空沟道晶体管及其制备方法。该晶体管依次包括阳极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和光电阴极，其中在所述阳极和光电阴极之间形成有真空沟道。本发明提供的晶体管设置有真空沟道，使得电子传输距离极短，所述晶体管具有更高的载流子迁移率和载流子平均自由程，同时使得电子在真空沟道中不存在固体器件中电子能量散射对器件热稳定性的影响。
真空沟道晶体管绝缘层阳极光电阴极制备载流子电子传输距离载流子迁移率平均自由程电子能量固体器件热稳定性散射

[实用新型]一种具有三维结构表面的热阴极-CN201821277891.5有效
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;李泽鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01J1/13 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有三维结构表面的热阴极，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本实用新型提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
热阴极多孔钨三维结构表面本实用新型浸渍阴极真空微波器件元器件技术凹陷结构发射表面规则排列贵重金属阴极电子有效面积发射电子源基表面铝酸盐开槽薄膜

[发明专利]高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法-CN201410456627.8有效
发明人：常本康;郝广辉;张益军;金睦淳;冯琤;陈鑫龙;杨明珠 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。
性能 algan 光电阴极化学清洗方法

[发明专利]一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法-CN201810900938.7在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;李泽鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01J1/13 文献下载
摘要：本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
热阴极多孔钨制备三维结构表面真空微波器件浸渍阴极元器件技术凹陷结构发射表面规则排列贵重金属阴极电子有效面积发射电子源基表面铝酸盐开槽薄膜

[实用新型]一种光电阴极-CN201721675131.5有效
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型Al_xGa_1‑xN发射层和形成在p型Al_xGa_1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型Al_xGa_1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本实用新型的光电阴极在p型Al_xGa_1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型Al_xGa_1‑_xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善Al_xGa_1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
发射层窄禁带半导体光电阴极表面层光电阴极表面本实用新型衬底半导体材料表面层原子材料表面能共价键形式电子隧穿带结构功函数禁带生长

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法-CN201711272587.1在审
发明人： 郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
一种光电阴极及其制备方法

[发明专利]透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法-CN201410012850.3有效
发明人：常本康;郝广辉;金睦辉;陈鑫龙;张益军;杨明珠;石峰;程宏昌;任彬 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1‑xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500 nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1‑xN发射层由N个AlxGa1‑xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1‑xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn‑1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn‑1≤xn≤1，变组分的AlxGa1‑xN发射层总厚度在20~150 nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm‑3≤Nc≤1×1018cm‑3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。
透射 algan 紫外光电阴极及其制备方法

[发明专利]超晶格组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光阴极及制备方法-CN201510891044.2在审
发明人：刘磊;夏斯浩;郝广辉;常本康;孔熠柯 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型Al_xGa_1-xN缓冲层、p型Al_yGa_1-yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型Al_xGa_1-xN缓冲层是由8-15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
晶格组分渐变缓冲透射 algan 紫外光阴极制备方法

[实用新型]一种韧性陶瓷牙轮钻头牙齿-CN201420532303.3有效
发明人：何畏;胡玉茂;郝广辉;张志魁;肖祥;陈洋;贺军超 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： E21B10/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于石油、天然气钻探的一种韧性陶瓷牙轮钻头牙齿，它由齿冠和齿柱构成，采用经过烧结的韧性陶瓷，再按齿柱过盈量为0.1－0.3mm加工成韧性陶瓷牙齿，通过压齿机将韧性陶瓷牙齿安装在牙爪的牙轮上。本实用新型的优点是韧性陶瓷牙轮钻头牙齿与硬质合金牙齿相比，既提高了韧性和抗冲击能力，又具有原料、生产成本较低、不使用钨钴类稀有贵重金属。
一种韧性陶瓷牙轮钻头牙齿

1
2
下一页»
尾页
共 18 条