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[发明专利]一种掩模板及其制作方法、掩模组件-CN201410191585.X有效
发明人：谢明哲;谢春燕;刘陆 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种掩模板及其制作方法、掩模组件，涉及显示技术领域，可以提高蒸镀的均匀性，从而改善显示效果。该掩模板包括第一子掩模板和第二子掩模板；所述第一子掩模板和所述第二子掩模板均包括掩模板本体和设置在所述掩模板本体上的蒸镀孔；所述第一子掩模板和所述第二子掩模板上的所述蒸镀孔尺寸相等且完全重叠；其中，所述第一子掩模板和所述第二子掩模板的所述掩模板本体的材料均为具有预定刚性的塑胶材料
一种模板及其制作方法模组

[发明专利]显示装置的沉积掩模及其制造方法-CN200410003872.X有效
发明人：金利坤;金泰亨 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置的沉积掩模及其制造方法。其易于保证定位精度和图形尺寸精度，并适用于高分辨率显示装置。本发明的沉积掩模具有至少一个图形掩模，其具有与将形成在衬底上的图形相同的图形；以及边框掩模，其具有至少一个开口。图形掩模在对应于开口的边框掩模区域被分别固定到边框掩模。沉积掩模通过制备具有与将形成在衬底上的图形相同的图形的至少一个图形掩模和具有至少一个开口的边框掩模制作而成。该方法还包括将图形掩模与边框掩模的开口对准并将与开口对准的图形掩模固定到边框掩模上。
显示装置沉积及其制造方法

[发明专利]掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统-CN201810251811.7有效
发明人：牛增欣;郑教增 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统。其中，掩模版厚度检测装置，包括：厚度检测传感器，包括激光发射与接收端，激光发射与接收端位于掩模版的一侧，沿掩模版的水平方向发射激光照射掩模版，并接收被反射回的激光；驱动部件，用于驱动掩模版或厚度检测传感器运动，以使二者在沿掩模版的厚度方向上相对运动；厚度计算单元，计算掩模版的厚度信息。本发明实施例提供的掩模版厚度检测装置，通过厚度检测传感器检测掩模版的厚度，并根据该厚度信息实时调整掩模版的工位交接距离，避免相邻掩模版之间发生碰撞而损坏掩模版或掩模版传输机构。
模版厚度检测装置存储机构传输光刻系统

[发明专利]一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质-CN202311111062.5有效
发明人：韦炳威;牛志元 -专利权人：光科芯图（北京）科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，公开了一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质。其中，该方法应用于芯片制备工艺的曝光设备，掩模版为全息掩模版，具体包括获取成像面的目标图形，将成像面的目标图形拆分为图形子块；基于图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域；在掩模子块的重叠区域内交错排布像素格点，生成掩模子块的像素格点；基于掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数；基于掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，将掩模子块合成目标全息掩模版。本发明通过全息掩模版并行化合成，以实现缩短全息掩模版的合成时间。
一种模版并行化合成方装置曝光设备存储介质

[发明专利]薄膜掩模修正装置-CN201310435048.0无效
发明人：阿部和芳;杉田健一 -专利权人：株式会社阿迪泰克工程
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供薄膜掩模修正装置，能够在曝光装置外容易且正确地修正、校正薄膜掩模与基板的局部偏差。该薄膜掩模修正装置具有基板台（1）、薄膜掩模基座（2）、摄像装置（3）、加压装置（4）以及薄膜掩模保持架（70）。薄膜掩模基座（2）具有透明的玻璃板（20）和升降装置（21），将玻璃板（20）重叠在基板（90）上，通过上升而将薄膜掩模（95）转移到薄膜掩模保持架（70）。摄像装置（3）重叠地拍摄基板（90）与薄膜掩模（95）以及基板产品图案（92）与掩模产品图案（97），观测基板（90）与薄膜掩模（95）的画面的差分。通过摩擦块（40）进行薄膜掩模（95）的修正，薄膜掩模保持架（70）接收修正后的薄膜掩模（95）并转移到下一个工序。
薄膜修正装置

[实用新型]一种掩模板及掩模组件-CN201420232300.8有效
发明人：谢明哲;谢春燕;刘陆 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种掩模板及掩模组件，涉及显示技术领域，可以提高蒸镀的均匀性，从而改善显示效果。该掩模板包括第一子掩模板和第二子掩模板；所述第一子掩模板和所述第二子掩模板均包括掩模板本体和设置在所述掩模板本体上的蒸镀孔；所述第一子掩模板和所述第二子掩模板上的所述蒸镀孔尺寸相等且完全重叠；其中，所述第一子掩模板和所述第二子掩模板的所述掩模板本体的材料均为具有预定刚性的塑胶材料
一种模板模组

[实用新型]一种复合掩模板-CN201220454497.0有效
发明人：魏志凌;高小平;张炜平 -专利权人：昆山允升吉光电科技有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合掩模板，所述复合掩模板，包括掩模层和支撑层，其中，所述掩模层包括有开口，所述开口构成掩模板图案区；所述支撑层包括有与所述掩模层开口相对应的支撑条，所述支撑层与所述掩模层紧密结合，起到对所述掩模层支撑作用，且所述支撑层不会对所述开口形成遮挡。现有技术在制作大尺寸掩模板，其金属型的掩模主体会具有较大的质量，从而会导致掩模主体板面产生下垂，而根据本实用新型提供的复合掩模板，可以对下垂的掩模主体提供一定的支撑力，降低或弥补掩模主体板面产生下垂的情况
一种复合模板

[实用新型]蒸镀掩模-CN201821655523.X有效
发明人：西刚广 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：提供一种能够减小对于蒸镀粒子能够穿过掩模孔的蒸镀粒子的入射角度的限制的蒸镀掩模。蒸镀掩模(30)具备掩模表面(30F)、作为掩模表面(30F)的相反侧的面的掩模背面(30R)、以及在掩模表面(30F)与掩模背面(30R)之间贯通的多个掩模孔(31H)。掩模孔(31H)具备在与掩模表面(30F)对置的俯视下位于掩模表面(30F)的表面开口(HF)和位于表面开口(HF)的内侧的中央开口(HC)。掩模孔(31H)的一部分具有将表面开口(HF)与中央开口(HC)相连的倒锥台筒状。划分掩模孔(31H)的内表面具备从中央开口(HC)朝向表面开口(HF)扩展的阶梯面。
掩模表面掩模孔表面开口蒸镀掩模中央开口掩模蒸镀粒子背面倒锥台阶梯面内表面入射角相反侧对置减小筒状俯视穿过贯通

[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法-CN202011309334.9在审
发明人：陈健源;林芮萍;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种示例性方法包括：形成从半导体衬底延伸的鳍；在鳍上沉积层间介电(ILD)层；在ILD层上形成掩模层；在掩模层上形成切割掩模，切割掩模包括第一介电材料，切割掩模具有暴露掩模层的第一开口，第一开口中的每个的所有侧由第一介电材料围绕；在切割掩模上和第一开口中形成线掩模，线掩模具有槽开口，槽开口暴露切割掩模的部分和掩模层的部分，槽开口是垂直于鳍延伸的带；通过蚀刻掩模层的由第一开口和槽开口暴露的部分图案化掩模层；以及使用图案化的掩模层作为蚀刻掩模在
半导体结构形成方法

[发明专利]掩模板图形OPC方法、掩模板图形、掩模板和终端设备-CN202011562977.4在审
发明人：夏明;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板图形OPC方法，包括：定义联通图形规则；根据所述规则通过设计规则检测在掩模板GDS图形标记出所有需要联通的图形；根据当前层设计规则和掩模等级定义需要联通图形的联通方式和联通尺寸；在掩模板GDS图形中加入联通图形；仅对掩模板GDS图形进行OPC修正，不修正联通图形，使联通图形不会被曝光；对加入联通图形的掩模板GDS图形进行OPC仿真检查，获得最终联通图形。本发明还公开一种通过所述掩模板图形OPC方法获得的掩模板图形，一种通过所述掩模板图形制造的掩模板以及一种用于执行所述掩模板图形OPC方法的终端设备。本发明制造的掩模板能消除静电对掩模板影响，从而使得掩模板上电荷不产生聚集现象，延长掩模板使用年限。
模板图形 opc 方法终端设备

[发明专利]用于蒸发的掩模以及用于制造该掩模的方法和装置-CN201010589194.5有效
发明人：金俊亨;曹永根;申义信;金钟宪;崔丞镐;卢喆来;曹昌睦;朴宰奭 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于蒸发的掩模以及一种用于制造该掩模的方法和装置。该掩模包括第一分离掩模和第二分离掩模。第一分离掩模和第二分离掩模通过焊接彼此直接结合，由此在第一分离掩模和第二分离掩模之间形成焊接部分。根据实施例的分离掩模不使用子框架，并且通过焊接彼此直接结合，从而不发生阴影效应。用于制造用于蒸发的掩模的装置包括：工作台；夹具，将第一分离掩模和第二分离掩模固定到工作台；激光焊接部分，将第一分离掩模焊接到第二分离掩模。
用于蒸发以及制造方法装置

[发明专利]一种多掩模的光刻机硅片台系统-CN200910172952.0有效
发明人：朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种多掩模的光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统。所述的掩模台系统包括掩模台基座和掩模承载台；掩模台基座长边为Y方向，短边为X方向，所述的掩模承载台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台上沿Y方向至少设置两个掩模版安装槽和两个掩模版，每个掩模版安装槽内放置一个掩模版本发明避免了现有光刻机技术的不足，在更换掩模版后需要再次对准的高精度要求等缺陷，只是在现有结构上延长了掩模台导轨行程，其系统结构复杂程度并无太大变化，与使用一台现有的光刻机相比，使整个光刻效率有一定的提高
一种多掩模光刻硅片系统

[发明专利]一种应用于掩模板组装的激光焊接方法-CN201210010721.1有效
发明人：魏志凌;高小平;郑庆靓 -专利权人：昆山允升吉光电科技有限公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B23K26/20 文献下载
摘要：本发明提出一种应用于掩模板组装的激光焊接方法，包括：将掩模框架放于基台上，掩模板平铺于掩模框架上，并使掩模板与掩模框架零缝隙接触；调整激光发射器的高度，保证焊接焦点聚焦在掩模板上表面；调整焊接参数进行焊接，在焊接处形成焊接凹点；取件，完成掩模板与掩模框架的紧密组装。由于本发明焊接点为凹点，从而保证掩模表面的平整度，使掩模上蒸镀装置使能与基板紧密贴合。焊接过程中保证掩模与掩模框架的紧密贴合，使得蒸镀过程中掩模的位置偏差控制在有效范围。本发明激光焊接方法效率高，并可直接在掩模板上进行焊接，无需借助其他工具，可以实现不同材料之间的焊接。
一种应用于模板组装激光焊接方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201410301926.4有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，硬掩模包括依次形成于刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化第一硬掩模，在第一硬掩模中形成图案，并露出部分第二硬掩模；以第一硬掩模为掩模刻蚀第二硬掩模，将图案转移到第二硬掩模中；以具有图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀材料层。本发明的有益效果在于：相对于现有技术完全以第一光刻胶来刻蚀硬掩模的方式，减少第一光刻胶的者减少被刻蚀程度，从而尽量地避免了因第一光刻胶过薄而导致在硬掩模中形成的图案不够精确的问题。
硬掩模刻蚀刻蚀材料光刻胶图案衬底掩模图案转移图形化

[发明专利]图案化目标层的制备方法-CN201810120144.9有效
发明人：施信益;郑志玮;柯明宗 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开提供一种图案化目标层的制备方法，包含在一基板上形成一目标层，以及在该目标层上方形成一多层硬掩模结构。该多层硬掩模结构包含位于该目标层上方的一第一硬掩模层、位于该目标层与该第一硬掩模层之间的一第二硬掩模层、以及位于该目标层与该第二硬掩模层之间的一第三硬掩模层，其中该第二硬掩模层的材料不同于该第一硬掩模层的材料与该第三硬掩模层的材料该多层硬掩模结构作为一硬掩模层以于该目标层上形成一细致图案。根据本公开可维持多层硬掩模结构的硬掩模图案的形状，因而硬掩模图案可精准转移至目标层。
图案目标制备方法