专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像拾取装置和图像拾取方法-CN200480000837.0无效
  • 天野良介 - 索尼株式会社
  • 2004-05-27 - 2005-11-23 - H04N5/335
  • 一种用于拾取对象的图像拾取装置,包括:固态图像拾取器件(1),用于根据接收的图像光而进行光电转换;切换单元(10),用于在第一模式和第二模式之间切换,其中第一模式作为按照n-帧(n:自然数)而读取在固态图像拾取器件(1)中积累电荷的图像拾取模式,第二模式作为按照m-场(m:自然数)而读取在固态图像拾取器件(1)中积累电荷,并在使用各个m场的不同组合时将在读取电荷的垂直方向上相邻的奇数电荷与偶数电荷相加,以输出相加的结果的图像拾取模式。
  • 图像拾取装置方法
  • [发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备-CN201410532137.1有效
  • 菊池善明 - 索尼公司
  • 2014-10-10 - 2019-04-05 - H01L27/146
  • 该固体摄像装置包括按二维方式布置着的像素,并且各所述像素包括:光电转换元件,所述光电转换元件被构造成生成与入射光的光量对应的电荷并且将所述电荷积累于所述光电转换元件内;以及放大晶体管、读出晶体管和复位晶体管中的至少一者,所述放大晶体管被构造成放大与所述光电转换元件内所积累的所述电荷对应的电压,所述读出晶体管被构造成读取由所述放大晶体管放大的所述电压的信号,所述复位晶体管被构造成复位所述光电转换元件内所积累的所述电荷
  • 固体摄像装置制造方法电子设备
  • [发明专利]CMOS有源像素结构-CN201380068148.2在审
  • Y·倪 - 新成像技术公司
  • 2013-10-25 - 2015-09-02 - H01L27/146
  • ;至少一个以光伏模式操作的第一光电二极管,其包括由第二类型的掺杂区域所限定的光伏转换区域(2),该第二类型掺杂区域与衬底形成PN结,所述第一光电二极管将在所述第一光电二极管对光曝光期间由PN结收集的光电荷载子重新发射;至少一个以积分模式操作并且反向偏置的第二光电二极管,所述第二光电二极管包括由第二类型的掺杂区域所限定的电荷积累区域(3),该第二类型掺杂区域与衬底形成PN结,所述电荷积累区域暴露于来自光伏转换区域(2)的电荷载子,以便于积累这种电荷载子。
  • cmos有源像素结构

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