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[发明专利]一种基于轻量化神经网络的目标识别方法及其应用-CN202110359604.5在审
发明人：安康;陆叶斌;刘迎圆;方祖华;上官倩芡 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：将目标图片输入训练好的Densenet改进模型中得到目标类别；Densenet改进模型与Densenet模型的不同在于网块中的Back Bone，Back Bone中的Channel Split、第一卷积层、第一深度分离卷积层、第二卷积层、Concat、Channel Shuffle依次连接，第二深度分离卷积层、第三卷积层与第一卷积层、第一深度分离卷积层、第二卷积层并联，第二深度分离卷积层与ChannelSplit连接，第三卷积层与Concat连接。
一种基于量化神经网络目标识别方法及其应用

[发明专利]基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110658288.1有效
发明人：赵胜雷;赵杜钧;张进成;吴银河;刘爽;宋秀峰;李仲扬;朱丹;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的P‑GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底，衬底上从下至上依次设置有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上部设置有源极、漏极和P‑GaN层，P‑GaN层的上部设置有原位生长的介质层，介质层上部设有栅极，势垒层、源极、漏极和栅极的上部设置有钝化层。本发明还提供了上述晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，淀积成核层；S2、淀积缓冲层和沟道层；S3、淀积势垒层；S4、淀积P‑GaN层；S5、在P‑GaN层上原位生长一层介质层；S6、刻蚀P‑GaN层和介质层；S7、分别制作掩膜，淀积源极、漏极和栅极，淀积钝化层，开孔，引出电极，即得到所述晶体管。
基于原位生长 mis 结构 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种基于深度卷积生成式对抗网络的桥梁裂缝图像生成模型-CN201810669188.7在审
发明人：李良福;孙瑞赟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于深度卷积生成式对抗网络的桥梁裂缝图像生成模型，包括生成子模型和判别子模型，生成子模型和判别子模型进行训练；生成子模型依次包括全连接层、维度转换层、第一转置卷积层、第二转置卷积层、第三转置卷积层、第四转置卷积层和第五转置卷积层；判别子模型依次包括第一卷积层、第二卷积层、第三卷积层、第四卷积层、第五卷积层、第六卷积层、第七卷积层和Sigmoid激活函数层。
卷积转置子模型桥梁裂缝图像生成生成子裂缝图像生成式激活函数网格现象卷积核连接层特征图相似度转换层对抗降维维度采集网络清晰

[发明专利]一种粮食霉变粒识别神经网络和识别方法-CN202010914811.8在审
发明人：杨东;姜俊伊;李倩倩;毕文雅;石天玉 -专利权人：国家粮食和物资储备局科学研究院
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G06K9/32 文献下载
摘要：本发明一个实施例公开了一种粮食霉变粒识别神经网络和识别方法，包括第一卷积层，用于将光谱图像数据xi(Q×Q×256)进行第一卷积操作，得到第一层网络输出数据，第二卷积层，用于将所述第一层网络输出数据进行第二卷积操作，得到第二层网络输出数据；最大池化层，用于将所述第二层网络输出数据进行池化操作，注意力机制模块，用于对池化数据进行籽粒霉变图谱特征挖掘，得到第四层网络输出数据；第三卷积层，用于将所述第四层网络输出数据进行第三卷积操作，得到第五层网络输出数据；第四卷积层，用于将所述第五层网络输出数据进行第四卷积操作，得到第六层网络输出数据；串联连接的第一全连接层、第二全连接层和第一分类器，第一分类器输出识别结果。
一种粮食霉变识别神经网络方法

[发明专利]用于印刷电路板中的增层材及其制法、可内埋元件的印刷电路板-CN201410270378.3在审
发明人：黄堂傑 -专利权人：律胜科技股份有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：一种用于印刷电路板中的增层材，包含增层体、黏着层及隔离层。隔离层是使积层体与部分的黏着层不相接触；隔离层与积层体间的黏着力需小于黏着层与积层体的黏着力，且隔离层与积层体间的黏着力需小于隔离层与黏着层的黏着力。通过隔离层的设计，使得增层材应用至制备可内埋元件的印刷电路板的过程中时，部分需移除的增层材能轻易地且快速地从该积层体上剥离，继而可提升产能及使用效益。该可内埋元件的印刷电路板可承受机械力且不被酸液侵蚀，致使该复合板与积层体有很好的密着性而不会相互脱离。
用于印刷电路板中的增层材及其制法可内埋元件

[实用新型]高精度卫浴框架装置-CN202022877905.0有效
发明人：彭雄威 -专利权人：珠海市新里程玻璃钢制品有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了高精度卫浴框架装置，其技术方案是：包括玻璃钢和主体，所述玻璃钢底部固定连接主体，所述玻璃钢包括胶衣层，所述胶衣层顶部设有防滑网，所述防滑网通过胶衣层凝结前按压成型，所述胶衣层底部固定连接积层一，所述积层一底部固定连接积层二，所述积层二底部固定连接水泥板，所述水泥板底部固定连接真空硅胶膜，所述真空硅胶膜底部固定连接纤维层，本实用新型有益效果是：通过胶衣层、积层一、积层二、真空硅胶膜和纤维层配合使用层层包覆，形成玻璃钢层，通过严格的防水制作工艺提高了玻璃钢防水的性能，提高玻璃钢产品的气密性和耐用性。
高精度卫浴框架装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201811587250.4在审
发明人：吉水康人;杉田智彦 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：在衬底上，设置着将第1导电层与第1绝缘层在第1方向上交替积层而成的积层体。柱状部在积层体内沿第1方向延伸且具有存储膜。绝缘部件在与积层体内的柱状部不同的位置沿第1方向延伸。含磷绝缘物设置在积层体及绝缘部件的下方。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]图像处理方法、装置及终端-CN201711219332.9有效
发明人：张志伟;杨帆 -专利权人：北京达佳互联信息技术有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G06K9/46 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种图像处理方法、装置及终端，其中所述方法包括：通过卷积神经网络对图像进行卷积处理的过程中，判断当前预调用的第一卷积层是否设置有第一片选模块；若所述第一卷积层设置有第一片选模块，将前一卷积层的输出数据分别输入至所述第一片选模块以及所述第一卷积层中；调用所述第一片选模块，由所述第一片选模块依据所述前一卷积层的输出数据，从所述第一卷积层包含的特征图中确定目标特征图；调用所述第一卷积层，由所述第一卷积层依据所述目标特征图对所述前一卷积层的输出数据进行卷积处理
卷积输出数据图像处理调用卷积处理目标特征卷积神经网络终端任务处理计算量特征图减小图像

[实用新型]一种易除尘耐磨的双层环保汽车脚垫-CN201820177592.8有效
发明人：林生锐 -专利权人：广州宗辉汽车用品有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易除尘耐磨的双层环保汽车脚垫，包括耐磨层、积尘孔、积尘槽、公魔术贴、钢丝网层和母魔术贴，所述耐磨层内部开设有积尘孔，所述耐磨层下方设置有积尘槽，所述耐磨层两端下方均设置有公魔术贴，所述钢丝网层两端上方均设置有母魔术贴，设置有上防滑层和上防滑纹，可以有效的防止车主在使用脚垫的时候出现打滑的现象，且上防滑纹为一种软橡胶材质的构件，可以使得车主在使用时感觉到更加的舒适，设置有积尘孔和积尘槽，当脚垫表面积有灰尘时，灰尘会顺着积尘孔进入积尘槽内部，设置有公魔术贴和母魔术贴，可以对上防滑层进行拆卸，一方面可以方便对脚垫的上防滑层进行清洗，另一方面，方便将积尘槽内部的灰尘清理干净。
积尘槽耐磨层积尘脚垫公魔术贴母魔术贴上防滑层钢丝网层环保汽车防滑纹除尘耐磨车主软橡胶材质灰尘清理拆卸打滑清洗

[发明专利]MEMS压敏传感器件的制作方法-CN201010186557.0有效
发明人：邓镭;方精训;彭虎;程晓华;刘远良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS压敏传感器件的制作方法，包括如下步骤：1)先在硅片上淀积一阻挡层；2)刻蚀形成空腔；3)淀积第一层牺牲层；4)CMP研磨第一层牺牲层；5)剥离所述阻挡层，接着淀积第二层牺牲层；6)之后形成支撑柱通孔；7)在硅片表面淀积压敏传感薄膜；8)而后刻蚀压敏传感薄膜至第二层牺牲层；9)湿法去除第二层牺牲层；10)淀积保护层，以密封空腔。本发明的制作方法中，在空腔刻蚀之前先淀积一阻挡层，作为CMP研磨第一层牺牲层时的阻挡层，而后去除该阻挡层，再次淀积第二层牺牲层，消除了单层牺牲层的CMP工艺流程中带来的面内不均一性。
mems 传感器件制作方法

[发明专利]磁记录介质的制造方法及装置-CN201410028647.5无效
发明人：冈部健彦;藤克昭 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G11B5/725 文献下载
摘要：一种磁记录介质的制造方法及装置，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，润滑层的形成是使形成了保护层后的被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第一润滑剂，在涂布了第一润滑剂后，使被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第二润滑剂。
记录介质制造方法装置

[发明专利]具有透明导电膜的积层体以及积层体的制造方法-CN201610649573.6有效
发明人：伊藤光人 -专利权人：东洋油墨SC控股株式会社;东洋科美株式会社
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明在制造透明导电性膜时，提供一种兼具硬涂性与透明性以及对于严酷的活性能量线照射也可耐受的密合性的具有透明导电性膜的积层体以及积层体的制造方法。本发明通过如下具有透明导电膜的积层体以及积层体的制造方法来解决，所述积层体在作为聚酯膜的基材上具有将包含化合物(A)的活性能量线硬化性组合物硬化而成的树脂层，所述化合物(A)具有芴结构和/或联苯结构、以及2个以上的(甲基)丙烯酰基，并且所述积层体还具有透明导电膜。
具有透明导电积层体以及制造方法

[发明专利]PIP电容的工艺方法-CN201610470548.1在审
发明人：林益梅 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M‑Poly并回刻；步骤2，在M‑Poly上再依次进行氧化层淀积及一层氮化硅的淀积；步骤3，回刻氮化硅，湿法刻蚀氧化层；步骤4，淀积高压氧化层；步骤5，淀积沟槽栅多晶硅；步骤6，沟槽栅多晶硅回刻。本发明通过淀积氧化层和氮化硅形成侧墙来增厚M‑Poly侧壁底端的介质层，在几乎不减小电容的情况下提高击穿电压，减小漏电流。
pip 电容工艺方法

[实用新型]使用积层式共模滤波模块的电连接器-CN201220069844.8有效
发明人：林文钦;吴维政 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01R13/66 文献下载
摘要：一种使用积层式共模滤波模块的电连接器，包括一电路板、多个变压器线圈，以及至少一安装于该电路板上的积层式共模滤波模块；所述积层式共模滤波模块为积层式印刷电路形式组件，以此提供装设该积层式共模滤波模块的电连接器，可以使用自动化电性功能检验设备，组装前可以完全检验每一积层式共模滤波模块的电性功能，并且可以使用自动化热风回焊设备，自动安装于电路板上。
使用积层式共模滤波模块连接器

[发明专利]一种相变存储器的制作方法-CN201010139182.2无效
发明人：马慧莉;王晓峰;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层相变材料层；步骤4：在相变材料层上用薄膜淀积工艺淀积一层第二绝缘材料层；步骤5：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤6：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤7：在第二绝缘材料层上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。
一种相变存储器制作方法