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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法-CN202211081304.6在审
发明人：邢国忠;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法，该自旋电子器件，包括：预设厚度的磁畴器件，磁畴器件能够在反对称交换耦合作用以及偶极相互作用的调制下，形成迷宫状磁畴结构，迷宫状磁畴结构包括多个磁畴方向随机的磁畴区域，相邻的两个磁畴区域的交界为磁畴壁；至少一个周期的异质薄膜，设置在磁畴器件的第一表面；至少四个电极，设置在磁畴器件的第二表面，且四个电极分别与不同的磁畴区域连接。
自旋电子器件阵列电路递归神经网络优化方法

[实用新型]一种户外柱上断路器用永磁机构-CN201220245065.9有效
发明人：孙启健;卫军;赵宝青;潘东东 -专利权人：扬州科宇电力有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01H71/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种户外柱上断路器用永磁机构，包括贯穿所述永磁机构的传动杆、与传动杆连接的铁芯及对称分布在传动杆上下两侧的上磁畴、下磁畴、圆磁畴，所述上磁畴固定于所述圆磁畴的上表面，所述下磁畴固定于所述圆磁畴的下表面，所述圆磁畴置于所述铁芯上下两侧、其内部自上磁畴至下磁畴方向上依次设置有与圆磁畴内表面相连的线圈、永磁体及尼龙隔套。本实用新型体积小、结构简单、保持力大、可靠性高、安装方便，并且通过采用电子或微机系统来对分合闸线圈进行控制，可实现重合器的智能操作。
一种户外断路器用永磁机构

[发明专利]具有定制织构和磁取向的永磁体-CN202180057279.5在审
发明人：布伦南·亚哈塔;埃里克·克拉夫;克里斯·亨利;安布尔·苏奇;达尔比·拉普兰特;托拜厄斯·舍德勒 -专利权人： HRL实验室有限责任公司
申请日： 2021-06-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：一些变型提供了一种永磁体结构，该永磁体结构包括：区域，该区域具有区域平均磁轴和多个磁畴，其中，磁畴中的每一个具有与区域平均磁轴基本上对准的畴磁轴，并且其中，该多个磁畴的特征在于平均磁畴尺寸。在该区域内存在以平均晶粒尺寸为特征的多个含金属晶粒，并且磁畴中的每一个具有由含金属晶粒的晶体织构决定的畴易轴。该区域具有基于该区域内的畴易轴的平均值的区域平均易轴。区域平均磁轴和区域平均易轴形成区域平均对准角，该区域平均对准角在多个磁畴内具有小于30°的标准偏差。本文中披露了许多永磁体结构。
具有定制取向永磁体

[发明专利]磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法-CN200910253967.X无效
发明人：李成喆;申在光;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;裴智莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
磁轨信息存储装置操作方法

[发明专利]一种用电流调控反铁磁结构中磁畴翻转的方法-CN202210759424.0在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用电流调控反铁磁结构中磁畴翻转的方法，包括：提供反铁磁薄膜，所述反铁磁薄膜结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，第一磁性层内的磁矩方向与第二磁性层内磁矩方向反平行；施加磁场和第一方向电流诱导出磁畴壁，磁畴壁处于反铁磁薄膜对角线位置；撤离磁场，施加第二方向电流，磁畴壁垂直于第二方向电流；施加第三方向电流，磁畴壁沿第三方向电流平移，第一磁性层内磁畴和第二磁性层内磁畴完全翻转；其中，第一方向电流与第二方向电流相反本发明在反铁磁结构出现磁畴壁扭曲运动，能够使得器件里的磁矩完全翻转，并使器件能正常工作。
一种用电调控反铁磁结构中磁畴翻转方法

[发明专利]使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法-CN200910246683.8有效
发明人：皮雄焕;朴永洙;徐顺爱;曹永真;李成喆;裴智莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
使用磁畴壁移动信息存储装置操作方法

[发明专利]一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器-CN202010896102.1在审
发明人：罗鑫;胡少坚;尚恩明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层，在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置有读操作电极，在所述自由层的左右两端均设置有写操作连接区域，所述写操作连接区域具有钉扎效应，用于存储器写操作时的电连接，所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向相反，且位于左端的写操作连接区域与磁畴壁左侧的磁畴方向一致，位于右端的写操作连接区域与磁畴壁右侧的磁畴方向一致整体结构简单，效率高，适应性强，极具应用前景。
一种利用磁畴壁钉扎自旋转移力矩存储器

[发明专利]双铁心永磁机构-CN201110382861.7有效
发明人：彭清明;朱小平 -专利权人：扬州新概念电气有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01H3/28 文献下载
摘要：双铁心永磁机构，涉及永磁机构结构技术领域。圆桶磁畴固定有上磁畴和下磁畴，在圆桶磁畴内设有第一铝垫、第一永磁体、铝环、中间磁畴、第二铝垫、第二永磁体和分合闸线圈，在铝环、第一永磁铁和第一铝垫内布置第一动铁芯，在下磁畴的轴向中心孔和第一铝垫的轴向中心孔中间隙式穿置分闸螺杆，第一动铁芯与分闸螺杆固定连接；在分合闸线圈、第二永磁体和第二铝垫内布置第二动铁芯，在上磁畴的轴向中心孔内间隙式穿置合闸螺杆，第二动铁芯与合闸螺杆固定连接；在第一动铁芯和第二动铁芯之间固定连接螺杆，连接螺杆间隙式穿置在中间磁畴的轴向中心孔中；在下磁畴外端的分闸螺杆上通过固定螺母设置分闸弹簧。
铁心永磁机构

[实用新型]双铁芯永磁机构-CN201120479449.2有效
发明人：彭清明;朱小平 -专利权人：扬州新概念电气有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01H3/28 文献下载
摘要：双铁芯永磁机构，涉及永磁机构结构技术领域。圆桶磁畴固定有上磁畴和下磁畴，在圆桶磁畴内设有第一铝垫、第一永磁体、铝环、中间磁畴、第二铝垫、第二永磁体和分合闸线圈，在铝环、第一永磁铁和第一铝垫内布置第一动铁芯，在下磁畴的轴向中心孔和第一铝垫的轴向中心孔中间隙式穿置分闸螺杆，第一动铁芯与分闸螺杆固定连接；在分合闸线圈、第二永磁体和第二铝垫内布置第二动铁芯，在上磁畴的轴向中心孔内间隙式穿置合闸螺杆，第二动铁芯与合闸螺杆固定连接；在第一动铁芯和第二动铁芯之间固定连接螺杆，连接螺杆间隙式穿置在中间磁畴的轴向中心孔中；在下磁畴外端的分闸螺杆上通过固定螺母设置分闸弹簧。
双铁芯永磁机构

[发明专利]基于磁畴壁钉扎与脱钉行为的逻辑器件-CN201910277607.7有效
发明人：朴红光;郑江山;马晓萍;陈澄;向欧;潘礼庆 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：基于磁畴壁钉扎与脱钉行为的逻辑器件，包括磁性纳米直线、初始磁场、驱动场、钟摆状纳米、圆弧形磁性纳米线结构米、等腰三角形纳米线尾端结构。利用初始磁场的方向及强度，在圆弧形磁性纳米线结构上形成磁畴壁，在驱动场的作用下，驱动磁畴壁沿着磁性纳米直线进行传播。所述钟摆状纳米结构A、钟摆状纳米结构B的磁化状态，对磁畴壁钉扎或者脱钉；通过改变钟摆状纳米结构A、钟摆状纳米结构B磁化状态的方式，对磁畴壁移动进行调控。本发明不仅可以通过磁畴壁钉扎与脱钉行为进行逻辑运算，而且也可以通过磁性材料的磁化状态翻转，实现逻辑运算和信息存储的一体化，不仅可简化器件结构，而且可进一步提高其集成度。
基于磁畴壁钉扎行为逻辑器件

[发明专利]一种磁畴趋向控制装置及其应用方法-CN202211177164.2在审
发明人：彭泽州;武颖娜;徐惠宇;翟梓融 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01F13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁畴趋向控制装置，包括传动单元，所述传动单元包括有框架结构，所述框架结构上设有多个线圈，所述线圈上设有铁芯，所述铁芯沿远离与其连接的线圈方向纵截面逐渐变小。本发明还保护用上述磁畴趋向控制装置进行打印的方法。本发明提供磁畴趋向控制装置能够产生适应性的运动磁场，磁场控制和轨迹打印协同作用，能得到完全定制化的产品磁畴取向，真正在磁场方向做到控制打印。本发明提供的可拆卸式的磁畴趋向控制装置结构设计，方便打印机在打印其他产品与磁性产品之间转换。
一种趋向控制装置及其应用方法

[发明专利]一种纳米磁性图案的构建系统及其构建方法-CN202210154899.7在审
发明人：杨华礼;李梦超;谢亚丽;黄凯;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01F10/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米磁性图案的构建系统及其构建方法，包括磁性薄膜、磁性探针A、磁性探针B、探针控制单元、探针信号采集单元以及磁化磁性探针A的第一磁体和反磁化磁性探针A的第二磁体，采用磁化的磁性探针A在具有面外磁的磁性薄膜表面移动，将磁性薄膜的表面划分成自然磁畴区域和背景磁畴区域，然后采用反向磁化的磁性探针A从自然磁畴区域拖拽磁畴壁进入背景磁畴区域进行磁畴运动，实现纳米磁性图案的构建，相较与利用磁性探针直接在背景磁畴区域内翻转磁畴构建磁性图案，本发明降低了对磁性探针的磁性强度要求，便于构建纳米尺度的磁畴图案。
一种纳米磁性图案构建系统及其方法

[发明专利]图像取得系统以及图像取得方法-CN202011184934.7在审
发明人：荒木亮子;孝桥照生;谢骏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：使用成为基准的基准外部磁场，并照射光来取得成为基准的样品的基准磁畴图像，在使外部磁场在变化的同时进行施加的状态下取得多个磁畴图像，取得从多个磁畴图像分别扣除基准磁畴图像的多个扣除图像，从多个扣除图像分别提取磁畴翻转的磁畴翻转区域，通过将分别具有磁畴翻转区域的多个扣除图像合成，来取得具有多个磁畴翻转区域的合成图像。
图像取得系统以及方法

[发明专利]方向性电磁钢板-CN201180038909.0有效
发明人：山口广;冈部诚司;大村健;中西匡 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种方向性电磁钢板，其为通过引入无处理痕迹的应变而使磁畴结构发生了变化的方向性电磁钢板，在使磁通密度B8为1.92T以上的基础上，使应变引入处理后的处理面的平均磁畴宽度Wa相对于应变引入处理前的平均磁畴宽度W0的比为Wa/W0＜0.4，且使该Wa相对于非处理面的平均磁畴宽度Wb的比为Wa/Wb＞0.7，并且使非处理面的磁畴不连续部的平均宽度Wd相对于由应变引入处理产生的处理面的磁畴不连续部的平均宽度Wc的比为
方向性电磁钢板

[发明专利]一种基于亚阈值电流的磁畴壁移动控制方法及其电路-CN201510003797.5有效
发明人：孙广宇;张超;张宪;张炜其 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G11C19/08 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于亚阈值电流的磁畴壁移动控制方法及其电路，该方法将小于阈值的电流称为亚阈值电流，通过所述亚阈值电流推动磁畴壁在锚定区域外移动，作为控制磁畴壁移动位置的补充；包括单步移动模式和多步移动模式，依次包括步骤设定锚定位，准备移动长度和所需电压；利用高阈值电流驱动磁畴壁一段时间；利用亚阈值电流再驱动磁畴壁一段时间；判断移动距离总和是否达到磁畴壁需要移动的距离，直到磁畴壁停靠在锚定位。本发明提高了赛道存储磁畴壁移动的精确性，保证了磁畴壁移动可以较快速的完成，防止了磁畴壁随机移动可能引入的问题，从而提高赛道存储的可靠性与稳定性。
一种基于阈值电流磁畴壁移动控制方法及其电路

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