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[发明专利]磁存储元件-CN201680059574.3有效
发明人：吉勒·戈丹;约安·米哈伊·米龙;奥利维耶·布勒;萨费尔·切纳图库基伊尔 -专利权人：国家科学研究中心;原子能和替代能源委员会
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁存储元件，其包括：触头(31)，其包括位于传导层(32)和非磁性层(36)之间的磁性层(34)，磁性层具有垂直于各层的平面的磁化方向；以及成角度的传导轨道(42)，其包括通过两个臂(44A
存储元件

[发明专利]磁存储元件-CN201780023289.0在审
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储元件包括第一磁性层，该第一磁性层具有垂直于第一磁性层的表面的方向上的易磁化轴。第一非磁性层在第一磁性层上。第二磁性层在第一非磁性层上，并且具有固定磁化方向。第二非磁性层在第二磁性层上。存储层在第三非磁性层上，并且具有可变磁化方向，具有垂直于存储层的表面的方向上的易磁化轴。第一磁性层的磁化方向的改变比存储层中的改变更容易。
磁性层非磁性层存储层固定磁化方向磁存储元件易磁化轴垂直可变磁化方向磁化方向

[发明专利]磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法-CN201780087367.3在审
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;別所和宏;内田裕行;佐藤阳;长谷直基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种存储多级信息的、能够在充分地确保读裕度的同时进行读取的磁存储器。提供一种磁存储器，其包括：第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；和第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，其中基于所述第一确定单元的确定结果来改变所述第二确定单元的确定状态。
磁存储元件配线磁存储器确定单元读取磁化状态半导体装置彼此交叉电子设备多级信息电连接地电裕度串联存储

[发明专利]一种智能磁敏设备存储方法及装置-CN201810418875.1有效
发明人：欧阳永中 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能磁敏设备存储方法及装置，针对人工判断当前位置是否能够对磁敏设备进行存储，很容易操作错误存储错位置导致磁敏元件退磁而且人工操作对管理人员造成极大不便的问题。本发明可以通过判断当前存储位置的磁感应强度信息，对磁敏元件存储的位置的安全性进行判断，根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储，确保当前存储位置对于该磁敏元件安全的，不会导致磁敏元件消磁，保障了磁敏元件的存储安全性，实现了存储的智能化。
磁敏元件存储磁敏存储位置磁力存储安全性存储区域错误存储强度信息人工操作人工判断智能磁感应智能化退磁消磁安全管理

[实用新型]一种存储卡接近检测磁感开关-CN200620136722.0无效
发明人：王向乔 -专利权人：重庆乔松信息技术开发有限公司
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01H36/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种由永磁钢、磁敏元件和软磁钢片组成的存储卡接近检测磁感开关，其软磁钢片放置在永磁钢磁场作用范围内，磁敏元件放置于永磁钢独立磁场作用范围外并在永磁钢和软磁钢片共同磁场作用范围内；磁敏元件可以采用干簧管，也可以采用霍耳元件；若采用常开型磁敏元件构成存储卡接近检测常开型开关只需由永磁钢、磁敏元件构成，而采用常开型磁敏元件构成存储卡接近检测常闭型开关则需由永磁钢、磁敏元件和软磁钢片；同理，采用常闭型磁敏元件构成存储卡接近检测常闭型开关只需由永磁钢、磁敏元件构成，而采用常闭型磁敏元件构成存储卡接近检测常开型开关则需由永磁钢、磁敏元件和软磁钢片。主要用于内嵌有软磁钢片的非接触IC卡、接触IC卡等存储卡读写器无人值守电源控制。
一种存储接近检测开关

[发明专利]磁存储元件的场辅助切换-CN201110364445.4有效
发明人： X·曹;习海文;朱文忠;R·兰伯顿;高凯中 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：用于将数据写入诸如自旋转移矩随机存取存储器(STRAM)存储单元之类的磁存储元件的方法和装置。根据各种实施例，施加通过磁存储元件的写入电流以发起该元件至期望磁状态的磁旋进。随后，在写入电流的继续施加期间毗邻该磁存储元件发起场辅助电流的流动以在该元件上感生磁场。该场辅助电流在写入电流被终止之后仍持续以提供至该期望的磁状态的场辅助旋进。
存储元件辅助切换

[发明专利]使用铁磁隧道结元件的磁存储装置-CN03825374.7无效
发明人：吉原宏;森山胜利;森宽伸;冈崎信道 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-09-18 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种互补型磁存储装置，其可以将存储数据精确地写入到一对铁磁隧道结元件中，从而提高了可靠性。互补型磁存储装置中，相反的存储数据存储在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中。第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上。线圈状第一写入布线形成在第一铁磁隧道结元件周围，线圈状第二写入布线形成在第二铁磁隧道结元件周围，使得第一写入布线的缠绕方向和第二写入布线的缠绕方向相反。
使用隧道元件存储装置

[发明专利]在数据层中具有控制成核位置的磁存储元件-CN03123133.0有效
发明人： J·H·尼克尔;M·巴塔查里亚 -专利权人：惠普公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：磁存储元件(50)的铁磁数据层(54)形成有控制的成核位置(58)。磁随机存取存储(“MRAM”)器件包括这种磁存储元件(50)的阵列(12)。
数据具有控制成核位置存储元件

[发明专利]磁致电阻元件及其在存储单元装置中作为存储元件的应用-CN99810669.0有效
发明人： S·施瓦茨尔 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-07-01 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在磁致电阻元件内，在第1铁磁层元件(1)和第2铁磁层元件(2)之间安排了非磁性层元件(3)。非磁性层元件(3)由一种材料组成，它在制造磁致电阻元件时必需的温度范围内具有扩散壁垒作用，而本身不会向相邻的铁磁层元件内扩散。磁致电阻元件既适用作传感器元件也适用作存储单元装置的存储元件。
致电元件及其存储单元装置作为应用

[发明专利]非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体-CN201510896754.4有效
发明人：松原宽明;岩崎俊宽;近井智哉;石堂仁则;渡边真司;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体包括：支撑板(12)，其包含软磁性材料；第1绝缘材料层(13)，其形成在支撑板上；非易失性磁存储元件(11)，其与元件电路面相反侧的面附着固定在第1绝缘材料层上；第2绝缘材料层(14)，其密封非易失性磁存储元件及其周边；布线层(15)，其设置在第2绝缘材料层内；软磁性体层(15b或25)，其包含设置在第2绝缘材料层内的软磁性材料；导电部(16)，其设置在第2绝缘材料层内，将非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与布线层连接；磁屏蔽部件(17)，其包含以与非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
非易失性磁存储元件屏蔽封装

[发明专利]磁阻元件、使用其的存储器元件以及相关记录/再现方法-CN02120600.7有效
发明人：西村直树;池田贵司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-03-19 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻元件,使用磁阻元件、使用磁阻元件的存储器元件以及用于该存储器元件的记录/再现方法,其中一磁阻元件包括第一、第二和第三磁层和非磁性层。第一磁层被垂直磁化到薄膜表面。第二磁层被垂直磁化到薄膜表面并具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力。非磁性层被插在第一和第二磁层间。第三磁层具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力并且逆平行地磁化到第二磁层。同时还公开了一种存储元件和记录/再现方法。
磁阻元件使用存储器以及相关记录再现方法

[发明专利]磁存储器-CN01802437.8有效
发明人： K·－M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2001-05-16 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。磁存储器(1)包括磁存储元件的阵列(2),每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4)。磁存储元件(3)的操作基于磁阻效应。存储器(1)利用屏蔽层(4)被保护防止外部强磁场的干扰,屏蔽层(14)被分成覆盖存储元件(3)的区域(5)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减,所以存储器(1)不会被外部强磁场擦除。
磁存储器

[发明专利]磁性去耦合磁存储器单元和用于减少位选择错误的位线/字线-CN200980110020.1有效
发明人：所罗门·阿塞法;西瓦南达·K·卡纳卡萨巴帕希;詹纳茨·J·诺瓦克;菲利普·L·特劳伊劳德 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明提出用于将磁存储器单元屏蔽开磁场的技术。根据本发明的一些方面，磁存储元件形成有电耦接到磁存储元件的至少一个导电段。导电段的至少一部分用磁衬层围绕。该磁衬层用于将由经过导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离磁存储元件。
磁性耦合磁存储器单元用于减少选择错误字线

[发明专利]具有多畴存储层的磁存储元件-CN201110364460.9有效
发明人：习海文;Y·郑;王小斌;D·V·季米特洛夫;P·J·瑞安 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于增强关于诸如非易失性数据存储阵列中的磁存储元件的数据写入和保持的装置和方法。根据各种实施例，可编程存储元件具有参考层和存储层。该参考层设有固定的磁定向。该存储层被编程为具有带有与所述固定的磁定向反平行的磁定向的第一区域、和带有与所述固定的磁定向平行的磁定向的第二区域。可在存储元件中纳入热辅助层以在写入操作期间增强存储层的局部加热从而帮助第一区域从平行磁定向到反平行磁定向的转变。
具有存储元件

[发明专利]具有补偿元件的STRAM-CN200980147066.0有效
发明人： Y·郑;D·季米特洛夫;D·王;田伟;王小斌;X·娄 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了具有补偿元件的自旋转移矩存储器。自旋转移矩存储单元包括合成反铁磁基准元件、合成反铁磁补偿元件、合成反铁磁基准元件和合成反铁磁补偿元件之间的自由磁性层、以及将自由磁性层和合成反铁磁基准元件分隔开的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。
具有补偿元件 stram

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