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[发明专利]半导体封装件-CN202010516134.4在审
发明人：宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;松原宽明;作元祥太朗 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的层叠型半导体封装件具有：第一电路基板；在第一电路基板上安装第一半导体元件而形成的第一半导体封装件；第二电路基板；在第二电路基板上安装第二半导体元件而形成的第二半导体封装件，第二半导体封装件层叠于第一半导体封装件；密封树脂，用于密封第一半导体；导电层，以与密封树脂相接的方式配置；以及散热通孔，与导电层相连接，并配置在第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010360169.3在审
发明人：石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种半导体器件，其中绝缘材料层不包含诸如玻璃布或无纺布的增强纤维，并且所述半导体器件使得金属薄膜布线层能够小型化，能够减小金属过孔的直径并且减小层间厚度。所述半导体器件包括绝缘材料层和翘曲调整层，所述绝缘材料层包括使用不包含增强纤维的绝缘材料密封的一个或多个半导体元件、多个金属薄膜布线层、以及将所述金属薄膜布线层电连接在一起并且将所述半导体元件的电极与所述金属薄膜布线层电连接在一起的金属过孔，所述翘曲调整层被设置在所述绝缘材料层的一个主表面上以抵消所述绝缘材料层的翘曲而减小所述半导体器件的翘曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010330026.8在审
发明人：广部正雄 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的一个目的在于，解决配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部剥落的问题。本发明的半导体装置具有：表面为绝缘材料的基板；倒装芯片连接在上述基板上的半导体芯片；以及散热板，经由热界面材料而粘结于上述半导体芯片，在上述半导体芯片的外侧固定于上述基板，其中，上述散热板在粘结于上述半导体芯片的部分与固定于上述基板的部分之间具有向上述基板突出并由导电性树脂粘结于上述基板的突起部，上述散热板具有应力吸收部。根据本发明，可防止配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部的剥落。
半导体装置

[发明专利]非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体-CN201510896754.4有效
发明人：松原宽明;岩崎俊宽;近井智哉;石堂仁则;渡边真司;玉川道昭 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体包括：支撑板(12)，其包含软磁性材料；第1绝缘材料层(13)，其形成在支撑板上；非易失性磁存储元件(11)，其与元件电路面相反侧的面附着固定在第1绝缘材料层上；第2绝缘材料层(14)，其密封非易失性磁存储元件及其周边；布线层(15)，其设置在第2绝缘材料层内；软磁性体层(15b或25)，其包含设置在第2绝缘材料层内的软磁性材料；导电部(16)，其设置在第2绝缘材料层内，将非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与布线层连接；磁屏蔽部件(17)，其包含以与非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
非易失性磁存储元件屏蔽封装

[发明专利]半导体器件-CN201510954577.0有效
发明人：池元义彦;泽地茂典;谷口文彦;胜又章夫 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，在该半导体器件中，即使使用金属平板作为支撑物，也能够减少该金属平板中的涡电流产生并且提高该半导体器件的RF电路的Q值。一种半导体器件，包括：金属平板1；第一绝缘材料层4a，其形成在金属平板1的一个主表面上；半导体芯片2，其通过粘合层3而被安装在第一绝缘材料层4a的表面上，其元件电路面向上取向；第二绝缘材料层4b，其密封半导体芯片2及其周边；布线层5，其被设置在第二绝缘材料层4b中并且部分地延伸到半导体芯片2的周边区域；导电部6，其被设置在第二绝缘材料层4b中并且连接半导体芯片2的元件电路面上的电极22与布线层5；以及外部电极7，其形成在布线层6上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201610068904.7有效
发明人：广部正雄 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的一个目的在于，解决配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部剥落的问题。本发明的半导体装置具有：表面为绝缘材料的基板；倒装芯片连接在上述基板上的半导体芯片；以及散热板，经由热界面材料而粘结于上述半导体芯片，在上述半导体芯片的外侧固定于上述基板，其中，上述散热板在粘结于上述半导体芯片的部分与固定于上述基板的部分之间具有向上述基板突出并由导电性树脂粘结于上述基板的突起部，上述散热板具有应力吸收部。根据本发明，可防止配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部的剥落。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910715828.8在审
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及其制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体芯片半导体晶片绝缘树脂层绝缘层开口部掩埋导电性材料研磨电极布线半导体元件半导体装置电极电连接间隙形成电连接对置凸块制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510558038.5有效
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201510319756.7有效
发明人：本多广一;渡边真司;岩崎俊宽;石堂仁则;丹羽康一郎;宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;作元祥太朗;松原宽明 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装件及其制造方法，目的在于实现散热特性优异、可靠性高的半导体封装件。半导体封装件包括：支撑基板、经由粘结材料粘结于上述支撑基板的表面的半导体器件、覆盖上述半导体器件的绝缘层、以及贯通上述绝缘层而将上述半导体器件与外部端子连接的布线，其特征在于，在上述支撑基板的背面侧设置有到达上述半导体器件的第一开口部。上述粘结材料也可以构成上述第一开口部的一部分。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体层叠模块构造、层叠模块构造以及它们的制造方法-CN201410111056.4有效
发明人：井上广司;胜又章夫;泽地茂典;山方修武 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供即使是尺寸不同的LSI芯片也能容易地垂直层叠的半导体器件、半导体层叠模块构造、层叠模块构造及它们的制造方法。半导体器件包括：绝缘性基板；安装在一方主面上的半导体元件；将元件电路面上及绝缘性基板上密封的第一绝缘材料层A；设置在第一绝缘材料层A上的第一金属薄膜布线层；设置在第一金属薄膜布线层上的第一绝缘材料层B；设置在另一方主面上的第二绝缘材料层；设置在第二绝缘材料层内的第二金属薄膜布线层；将第一金属薄膜布线层和第二金属薄膜布线层电连接的通过部；形成在第一金属薄膜布线层上的外部电极，将第二金属薄膜布线层、配置在半导体元件的元件电路面的电极、第一金属薄膜布线层、通过部以及外部电极电连接。
半导体器件半导体层叠模块构造以及它们制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201510412404.6有效
发明人：渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;出町浩;宫腰武;近井智哉;石堂仁则;松原宽明;中村卓;本多广一;熊谷欣一;作元祥太朗;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体封装件，能够减少层叠型半导体封装件中从下侧芯片向上侧芯片的传热。提供一种半导体封装件，具有：第一半导体封装件，包含第一电路基板和安装于第一电路基板的第一半导体元件；第二半导体封装件，包含第二电路基板和安装于第二电路基板的第二半导体元件，第二半导体封装件与第一半导体封装件层叠；以及导热材料，配置在第一半导体元件上和第一半导体元件周边的第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201510320188.2有效
发明人：桥本圣昭;竹原靖之 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种减少在支撑基板与粘接材料之间产生的内部应力且可靠性高的半导体封装件。本发明的半导体封装件的特征在于，包括：支撑基板；应力缓和层，设置于上述支撑基板的主面；半导体器件，配置在上述应力缓和层之上；密封体，由与上述应力缓和层不同的绝缘材料形成，用于覆盖上述半导体器件；布线，贯通上述密封体而与上述半导体器件电连接；以及外部端子，与上述布线电连接。此时，当在相同温度条件下，设上述支撑基板的弹性模量为A，设上述应力缓和层的弹性模量为B，并设上述密封体的弹性模量为C时，A＞C＞B或C＞A＞B的关系成立。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510431806.0有效
发明人：池元义彦;井上广司;石堂仁则;松原宽明;今泉有加里 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供低高度、低热阻的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备支撑板(1)；半导体芯片(2)，其经由粘接层以元件电路面朝上的方式搭载于支撑板(1)的一个主面；绝缘材料层(4)，其封装半导体芯片(2)及其周边；开口，其在绝缘材料层(4)中，形成于在半导体芯片(2)的元件电路面配置的电极上；导电部(6)，其以与半导体芯片的电极连接的方式形成于开口内；布线层(5)，其在绝缘材料层(4)上以与导电部(6)连接的方式形成，一部分向半导体芯片(2)的周边区域延伸；外部电极(7)，其形成于布线层(5)上，其中支撑板(1)是构成从在半导体装置的制造过程中使用的、将多个平板层叠而成的复合支撑板分离了的复合支撑板最上层的平板。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装件的制造方法-CN201710446500.1在审
发明人：荒木诚太;北野一彦 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，且使所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、并用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法-CN201710231755.6在审
发明人：丸谷尚一;甲斐稔;北野一彦 -专利权人： 株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明提供降低了维护频度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤在基材上配置多个半导体装置；形成覆盖多个半导体装置的树脂绝缘层；在树脂绝缘层形成包围所述多个半导体装置的各个的槽；以及在与槽相对应的区域中，通过向基材照射激光来分离所述多个半导体装置的各个。槽可以达到基材，也可以在形成槽时，以与形成槽的位置相对应的方式在基材上形成凹部。
半导体封装制造方法

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