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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于磁性存储单元的硬件安全装置-CN200380107144.7有效
发明人： K·－M·H·伦斯森;A·J·M·德尼斯森;N·拉姆伯特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种例如MRAM元件(10，11)之类的磁性元件的特殊结构作为包含磁性存储单元的IC的安全装置(30)。所述结构可以包括两个或更多具有预置反平行磁化方向的相关联磁性元件(10，11)的组合。通过确定所述磁性元件的极化方向，可以检测向外部磁场的暴露。反向的极化方向表明正常情况，对准的极化方向表明MRAM阵列已经被暴露于外磁场。采用这种方法可以检测是否在试图采用非法方式擦除或改变存储在MRAM中的数据。所述IC可以在操作期间有规律地检查所述安全系统的电阻。当检测到磁场暴露时，所述IC可以擦除所有的MRAM数据，或者可以复位自身或阻止其起作用。
用于磁性存储单元硬件安全装置

[发明专利]只读磁存储设备MROM-CN03823606.0无效
发明人： K·－M·H·伦斯森;H·范豪坦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11C17/02 文献下载
摘要：一种存储设备，具有信息载体部分(10)和读出部分(30)。该信息载体部分(10)被提供有一个电－磁材料的图案，构成一个比特位置阵列(11)，所述材料在信息平面上存在或不存在表示逻辑值。该读出部分具有电－磁传感器元件的二维阵列(31)，这些电－磁传感器元件对于在近场工作距离存在所述电－磁材料敏感。在制造过程中，该两个部分被固定耦合并且对齐，以便将所述比特位置定位在所述传感器元件对面。
只读存储设备 mrom

[发明专利]使用电磁阵列的存储系统-CN03823590.0无效
发明人： K·－M·H·伦斯森;H·范豪坦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11B5/00 文献下载
摘要：可移动式的记录载体(40)具有构成比特位置阵列(11)的在基片上的电磁材料层的信息面。材料的磁状态表示每个比特位置的数值。存储设备(35)具有与信息面配合的交界面(32)。交界面具有对电磁材料的所述磁状态敏感的电磁单元阵列(31)。记录载体和设备具有对准单元(38，41)，用于当记录载体被安装在该设备时把比特位置定位到靠近在比特位置与相应的电磁单元之间的近场工作距离内的电磁单元。
使用电磁阵列存储系统

[发明专利]用于显示设备的MRAM像素内存储器-CN03813709.7无效
发明人： P·J·范德扎亚格;M·J·埃德瓦德斯;K·－M·H·伦斯森 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-06-04 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：磁阻随机存取存储器(MRAM)用来为显示设备提供像素内存储电路。存储电路(25)包括存储元件和读出电路，该存储元件用于存储驱动设置，该读出电路例如触发电路(64)，用于读出存储的驱动设置。存储元件包括两个MRAM(60，62)，每个都连接到触发电路(64)的各自输入。驱动电路(26)连接到读出电路和像素显示电极(27)，用于根据读出驱动设置，用不经过MRAM(60，62)的驱动电流来驱动像素显示电极(27)。提供显示设备(1)，包括多个像素(20)，每个像素都与一个这样的存储电路(25)和驱动电路(26)相关。
用于显示设备 mram 像素内存储器

[发明专利]磁存储器-CN01802437.8有效
发明人： K·－M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2001-05-16 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。磁存储器(1)包括磁存储元件的阵列(2),每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4)。磁存储元件(3)的操作基于磁阻效应。存储器(1)利用屏蔽层(4)被保护防止外部强磁场的干扰,屏蔽层(14)被分成覆盖存储元件(3)的区域(5)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减,所以存储器(1)不会被外部强磁场擦除。
磁存储器

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