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[发明专利]一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法-CN201911311171.5在审
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后将碳化硅片超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片作阳极、石墨片作阴极，保持碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置不变，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑30min，在碳化硅片表面形成碳化硅纳米结构薄膜层；调整碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置，在所述蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑60s，使碳化硅片表面的碳化硅纳米结构薄膜剥离至碳化硅纳米结构薄膜脱落本发明提供的一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，制备过程容易、剥离程序简单、实验重复性好。
一种碳化硅纳米结构薄膜制备剥离方法

[发明专利]一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法-CN201610003058.0有效
发明人：周正东;李诚瞻;刘可安;刘国友;史晶晶;吴佳;杨程 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化硅片背面的氧化层；在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火，形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前，制作背面碳膜，与碳化硅背面Si‑C悬挂键形成C‑Si‑C键，从而固定Si原子，抑制Si原子的升华，增加碳化硅背面Si原子浓度，使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物，能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层，使器件背面具有活泼的化学性质，有利于背面欧姆接触的形成。
一种碳化硅器件背面欧姆接触制作方法

[发明专利]一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用-CN201910194173.4有效
发明人：林信南;刘美华 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本
一种碳化硅片方法装置及其应用

[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法-CN201911101363.3在审
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损
碳化硅缓冲层碳化硅片电阻率衬底方块电阻预设位置测量碳化硅外延测试生长电阻无损

[发明专利]一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法-CN201911032088.4有效
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后对碳化硅片进行超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片和石墨片分别作为阳极和阴极，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化，制得碳化硅纳米线阵列；对碳化硅纳米线阵列进行剥离，使碳化硅纳米线阵列的阵列层脱落；以剥离后的碳化硅纳米线阵列为压电材料构筑上下电极式的压电纳米发电机。本发明提供的一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，制备过程简单、输出性能优越。
一种碳化硅纳米阵列压电发电机制备方法

[发明专利]一种碳化硅磨削工艺-CN202310148463.1在审
发明人：韦大勇;杨东风;黄伟山 -专利权人：无锡弘元半导体材料科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅磨削工艺，属于碳化硅领域，一种碳化硅磨削工艺，包括有以下步骤：S1：参数设置，检测碳化硅基体的形状和尺寸，并根据其形状和尺寸对打磨动作的参数进行设置；S2：一次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行粗磨处理；S3：二次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行精磨处理，得到碳化硅片成品；S4：清洗，对二次打磨后的碳化硅片成品进行清洗和甩干，清洗、甩干后输出清洁后的碳化硅片成品；它可以实现，根据碳化硅基体的形状和尺寸设置对碳化硅基体进行粗磨和细磨的参数，同步提升碳化硅片成品的打磨效率和打磨精度。
一种碳化硅磨削工艺

[发明专利]一种低成本切割高质量太阳能级多晶硅片的方法-CN201310185983.6无效
发明人：彭刚林;梁海波 -专利权人：太仓协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本切割高质量太阳能级多晶硅片的方法，采用1200#回收碳化硅与1500#回收碳化硅混合后配制成的砂浆切割液来切割太阳能级多晶硅片。本发明将1500#回收碳化硅与1200#回收碳化硅混合使用，提高了碳化硅的D50值，从而提高了砂浆切割液的整体切割能力，进一步提高了切割的太阳能级多晶硅片的质量；采用回收的碳化硅，降低了生产成本；本发明消耗了1200#回收碳化硅的库存，能稳定、长期地进行碳化硅回收利用，同时弥补了市面上1500#回收碳化硅紧缺及质量不稳定的现状。
一种低成本切割质量太阳能级多晶硅片方法

[发明专利]一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片-CN202211066901.1在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片。退火工艺包括以下步骤：S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值；S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550‑1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理；S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片通过上述工序，不仅可以实现碳化硅片的退火，还可以有效抑制碳化硅片表面发生的碳化反应，确保退火出来之后的片子仍具有很好的质量。
一种碳化硅二段退火工艺碳化硅片

[发明专利]基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法-CN202111123932.1在审
发明人：杨涛;徐兵;王恩会;侯新梅;方志;周林林;薛优;刘爽;郑亚鹏;吕煜诚;邢原铭;王博 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法，步骤包括：对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅；通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅；取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上，分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅；在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极；二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。
基于掺杂 sic 纳米结构高温紫外光电探测器制备方法

[发明专利]从硅片线切割加工废砂浆中回收碳化硅微粉和线切割液的方法-CN201010523968.4无效
发明人：周强;龚志刚 -专利权人：临沂市凯祥硅粉有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C10M175/00 文献下载
摘要：本发明是一种从硅片线切割加工废砂浆中回收碳化硅微粉和线切割液的方法。属于碳化硅的制备方法。特别涉及硅片线切割加工废砂浆的资源化回收利用。其特征在于包括如下步骤：第一步、碳化硅微粉与含硅粉的切割液分离操作单元，第二步、切割液回收操作单元，第三步、碳化硅微粉回收操作单元。提供了一种工艺简单，回收成本较低，回收的碳化硅微粉达到太阳能晶硅片切割刃料的技术标准，回收的切削液达到循环使用技术要求的从硅片线切割加工废砂浆中回收碳化硅微粉和线切割液的方法。节约能源和水源。处理得到的线切割刃料碳化硅微粉SiC含量≥99％。回收的碳化硅微粉和线切割液可以作为产品对市场销售。
硅片切割加工砂浆回收碳化硅方法

[发明专利]一种提高碳化硅直接键合强度的方法-CN201910057428.2在审
发明人：梁晓波;刘德峰;黄漫国;蒋永刚;李健;张德远 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;中航高科智能测控有限公司;北京航空航天大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明是一种提高碳化硅直接键合强度的方法，该方法包括如下步骤：对SiC晶片待键合面进行化学机械抛光；利用Piranha溶液、RCA1&RCA2标准溶液对碳化硅片进行清洗；利用氢氟酸溶液对SiC晶片待键合面表面进行预处理；在氢氟酸溶液中完成碳化硅片的预键合；将预键合的碳化硅片移至真空环境下进行高温高压键合，完成制备。本发明可以有效的实现碳化硅晶片的高强度直接键合，为碳化硅MEMS器件及相关器件封装性能的提升奠定基础。
碳化硅片直接键合碳化硅氢氟酸溶液键合面预键合预处理化学机械抛光碳化硅晶片标准溶液高温高压器件封装真空环境键合制备清洗

[发明专利]一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法-CN202110125852.3在审
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法，其中，装置包括石墨盖、籽晶以及粘合在石墨盖和籽晶之间的多晶碳化硅片，该碳化硅片的横截面面积大于籽晶的横截面面积而小于石墨坩埚的底面积。本发明通过设置多晶碳化硅片，并使其横截面面积大于籽晶的横截面面积，从而调节籽晶表面的热场梯度，使籽晶表面温度分布更均匀，从而有效降低碳化硅晶体在生长初始阶段的缺陷。
一种改进生长碳化硅质量装置方法

[发明专利]控片回收方法及硅片-CN202311070850.4在审
发明人：邱盼盼;陈献龙;孙林;马振萍 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种了控片回收方法及硅片，包括：提供控片，控片包括裸硅片及位于裸硅片的正面的牺牲保护层及氮掺杂碳化硅膜层，牺牲保护层位于裸硅片与氮掺杂碳化硅膜层之间；利用目标刻蚀气体对氮掺杂碳化硅膜层进行等离子体干法刻蚀，目标刻蚀气体中的目标游离基用于与氮掺杂碳化硅膜层中的目标元素产生化学反应，生成目标气体及残留物；利用目标清洁离子去除目标蚀刻气体与氮掺杂碳化硅膜层反应生成的残留物；湿法清洗并去除位于裸硅片与氮掺杂碳化硅膜层之间的牺牲保护层，得到裸硅片，量测裸硅片的膜面参数，得到可回收的硅片，提高了控片的清洁效率，实现了控片的回收利用，具有一定经济效益，同时缩短清洗时间，降低了时间成本。
回收方法硅片

[发明专利]碳化硅扇叶生产工艺-CN202211335414.0在审
发明人：陈国畯 -专利权人：深圳市飞象智能家电科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H05B3/12 文献下载
摘要：本发明的碳化硅扇叶生产工艺，技术目的提供一种通过镀膜方式来达到快速升温，并且由于加热面积大，可迅速提升环境空气中的温度的碳化硅扇叶生产工艺。扇叶采用弧面增韧碳化硅片，弧面增韧碳化硅片包括有凹面及凸面；所述弧面增韧碳化硅片的凹面镀一层镍铬合金，用于作为导电电阻层发热；由于采用绝缘的基片，不再需要镀绝缘层。增韧碳化硅具有极强的强度，也同时具有良好的韧性。选择凹面镀，可迅速将热量发散到空气中，对空气加热。适用于日常取暖中应用。
碳化硅生产工艺

[发明专利]PERC太阳能电池的镀膜方法-CN202010103879.8在审
发明人：吴娟;梁杭伟;鲍亚平;李家兰 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种PERC太阳能电池的镀膜方法，包括：对石墨舟进行预处理；将装载有硅片的预处理后的石墨舟置于PECVD炉管内，使用PECVD炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜，硅片通过卡点固定在所述石墨舟上；其中，预处理的步骤包括在石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在碳化硅膜表面形成氮化硅膜。本发明对硅片背面镀膜前先在石墨舟表面形成碳化硅膜、在碳化硅膜表面形成氮化硅膜，该碳化硅膜使得石墨舟壁表面具有较好的平坦度，能够使得在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中形成的氮化硅膜均匀成膜。并且石墨舟表面镀上氮化硅膜后，能够缓解在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中氮化硅镀到石墨舟和卡点上导致的硅片边角和卡点处出现的色差。
perc 太阳能电池镀膜方法

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