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[发明专利]一种碳化硅半导体材料及其制备工艺-CN202310289997.6在审
发明人：沈文舒;李庆喜;武刚;吕岩松 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体材料及其制备工艺，属于碳化硅半导体技术领域，该碳化硅半导体材料以重量计包括碳化硅微粉、石英砂、煤焦、木屑和钛；本发明中，该碳化硅半导体材料含有太空金属钛，使钛和碳化硅充分耦合，即能保证碳化硅半导体材料的轻量化，且保证碳化硅半导体材料的结构强度，避免使用时碳化硅半导体材料出现碰撞损坏的现象，提高碳化硅半导体材料的使用寿命；该碳化硅半导体材料的制备工艺中，涂层为富硅抗反射涂层，193nm波长下n=1.63～1.65，k=0.15～0.22，满足光刻工艺要求，硅含量大于40wt%，涂层耐PGMEA、PGME溶剂，使制得的碳化硅半导体材料的耐腐蚀性能、绝缘性能、电学性能满足使用需求。
一种碳化硅半导体材料及其制备工艺

[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法-CN201380051807.1有效
发明人：山内庄一;平野尚彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。
碳化硅半导体及其制造方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法、半导体器件-CN201980008151.2在审
发明人：黄伯宁;万玉喜;王弋宇 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体衬底及其制造方法、半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体衬底包括：单晶碳化硅基底，及层叠在单晶碳化硅基底一侧的单晶碳化硅层。其中，单晶碳化硅基底的质量指标低于单晶碳化硅层的质量指标。本申请降低了绑定面处出现异质结的几率，在制造过程中无需对绑定面进行额外的处理就能保证单晶碳化硅基底和单晶碳化硅层之间的欧姆接触特性，简化了半导体衬底的制造过程。本申请用于制造半导体衬底和半导体器件。
半导体衬底及其制造方法半导体器件

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480055442.4在审
发明人：北村祥司 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体装置，其具有层叠在第一导电型碳化硅半导体基板(1)的一个主表面上的第一导电型碳化硅半导体外延层(2)，在所述碳化硅半导体装置中，在层叠有所述碳化硅半导体外延层(2)的碳化硅半导体基板(1)表面和碳化硅半导体外延层(2)的表面中的至少任意一个表面上具备再结晶层(13)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管-CN200510018700.4无效
发明人：张洪涛;许辉 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合各种半导体技术工艺，用纳米线碳化硅构造碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管可以分为单纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管和多纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点，广泛用于电力电子领域。
纳米碳化硅金属半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710437128.8有效
发明人：鹿内洋志;鹫谷哲;大野阳平;保立伦则;熊仓弘道 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]刻蚀停止层及铜互连的形成方法-CN201110457640.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀停止层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层。本发明还涉及一种铜互连的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有铜导电层；用氢气退火半导体衬底；用氢气和氦气等离子体预处理半导体衬底；用硅烷预处理半导体衬底；在半导体衬底表面沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层；在氮碳化硅主停止层上沉积介质层；形成贯穿介质层、氮碳化硅主停止层和碳化硅预停止层的通孔或沟槽；填充通孔或沟槽，形成铜互连。由于碳化硅预停止层能降低铜扩散，因此能阻止CuNX的形成，同时提高刻蚀停止层与铜互连的粘附性。
刻蚀停止互连形成方法

[发明专利]半导体制造装置以及半导体装置-CN200680040390.9无效
发明人：桐谷范彦;谷本智;荒井和雄 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;日产自动车株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置，其在碳化硅半导体基板(10)的表面和背面上形成作为金属电极的金属薄膜(11、12)之后，进行对碳化硅半导体基板(10)进行加热的快速加热处理，该半导体制造装置构成为：通过与碳化硅半导体基板(10)上的形成有金属薄膜(11、12)的区域以外的区域的接触，由保持结构体(20)保持碳化硅半导体基板(10)，在半导体制造装置的加热室内设置所保持的碳化硅半导体基板(10)。
半导体制造装置以及

[发明专利]碳化硅半导体装置的筛选方法-CN202010106325.3在审
发明人：宫里真树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够利用灵敏度比基于正向电压的变化率的筛选的灵敏度更好的测定来筛选的碳化硅半导体装置的筛选方法。本发明筛选具有MOS栅极结构的碳化硅半导体装置(50)。首先，测定碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，在碳化硅半导体装置(50)的内置二极管流通正向电流。接着，检测流通正向电流后的碳化硅半导体装置(50)的导通电压。接着，根据在第一工序测定出的导通电压与在第三工序测定出的导通电压而计算出碳化硅半导体装置(50)的导通电压的变化率。接着，筛选出所计算出的变化率低于3％的碳化硅半导体装置(50)。
碳化硅半导体装置筛选方法

[发明专利]半导体基板及其制造方法-CN202110977660.5在审
发明人：庄志远;吴华特 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板及其制造方法。所述方法包括在N型碳化硅基板的硅面外延成长缓冲层与碳化硅层，且所述碳化硅层为高阻碳化硅或N型碳化硅(N‑SiC)，然后在碳化硅层上外延成长氮化镓外延层，得到由所述缓冲层、所述碳化硅层与所述氮化镓外延层构成的半导体结构在外延成长氮化镓外延层之后，使用激光于半导体结构内形成损伤层，并在氮化镓外延层的表面接合晶片载体，然后从所述损伤层分离N型碳化硅基板与半导体结构。
半导体及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210110603.8有效
发明人：三浦峰生 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200580001434.2有效
发明人：三浦峰生 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造钻石半导体复合基板的方法-CN201680027914.4有效
发明人：丹尼尔·法兰西斯 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造钻石半导体复合基板的方法，方法包括以下步骤：(i)从原生半导体晶圆开始，包括化合物半导体设置在其上的原生碳化硅生长基板；(ii)将碳化硅载体基板贴合至化合物半导体；(iii)移除原生碳化硅生长基板；(iv)形成化合物半导体上的成核层；(v)在成核层上生长多晶化学气相沉积(CVD)钻石以形成复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆；以及(vi)通过激光剥离移除碳化硅载体基板以实现层状结构，包括经由成核层贴合至多晶化学气相沉积钻石的化合物半导体其中在步骤(ii)中，碳化硅载体基板是经由激光吸收材料贴合至化合物半导体，激光吸收材料吸收在相干长度短于碳化硅载体基板的厚度的激光。
制造钻石半导体复合方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202211382946.X在审
发明人：津间博基;南云裕司;植茶雅史;熊泽辉显 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置包括碳化硅半导体层(2)和侧硅化物层(42)。碳化硅半导体层包括碳化硅单晶，并且具有主表面(2a)、与主表面相反的后表面(2b)以及连接主表面与后表面并由解理面形成的侧表面(2c)。碳化硅半导体层还包括改性层(21)。改性层形成侧表面的位于后表面附近的一部分，并且具有与碳化硅单晶的原子排列结构不同的碳化硅原子排列结构。侧硅化物层包括金属硅化物，其是金属元素和硅的化合物。侧硅化物层设置在碳化硅半导体层的侧表面上并且与改性层相邻。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]钻石基板及其制作方法-CN200610066354.1无效
发明人：张孝国;黄仁烜;陈志鹏;陈娜玲;温世邦 -专利权人：中国砂轮企业股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钻石基板及其制作方法，该钻石基板包括：一碳化硅层；一钻石膜层，形成于该碳化硅层上，以该碳化硅层防止该钻石膜层产生翘曲变形；及一半导体层，形成于该碳化硅层下，并通过该碳化硅层缓和该钻石膜层与该半导体层的晶格不匹配性在成长钻石膜层的工艺中，先形成碳化硅层于钻石膜层下方，以减低钻石膜层的翘曲变形量，再在钻石膜层上制作半导体层，或在碳化硅层下直接成长出半导体层，以利用碳化硅层来缓和钻石膜层与半导体层的晶格不匹配性，而提高半导体层的结晶质量
钻石及其制作方法

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