“硅基铌酸锂 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1448234个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料及其制备和应用-CN201810721769.0有效
发明人：文钟晟;王冠琴;尹金鹏;崔立英;李嵩;孙俊才;季世军 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料及其制备和应用，所述具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料包括硅活性中心和均匀包覆在硅活性中心表面的铌酸锂/铌基氧化物混合壳层。本发明提供的具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料，铌酸锂作为快离子导体，不仅有效地保证了常温甚至高温状态下锂离子的快速传输，而且其与铌基氧化物的协同共混作用，有利于硅在电化学反应过程中的结构、表面稳定性，因此，铌酸锂/铌基氧化物混合壳层可作为应力缓冲层、离子导电层和表面稳定层，使具有铌酸锂/铌基氧化物/硅复合负极材料不仅具有高的首次库伦效率，而且还具有良好的电化学循环稳定性能。
一种具有铌酸锂氧化物复合负极材料及其制备应用

[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中，在硅基波导中实现光路的转弯，并通过与硅基弯曲波导相连接的硅基交叉结构实现光路在波导中的转换，本发明有利于实现调制器的小型化。
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列-CN201910410956.1在审
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：一种大规模硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列。通过结构设计减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
铌酸锂薄膜电光调制器硅基铌酸锂晶体硅晶体层粘接芯片制作过程大规模阵列技术成熟度设计和优化性能稳定性铌酸锂波导电光调制工艺误差硅基集成精度要求生产效率芯片制备制备工艺硅波导一次性铌酸锂互传减小制备标准化保证

[发明专利]硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成的方法-CN201910410940.0有效
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对现有技术的不足，提出一种大规模的硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的集成方法。利用该方法减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成方法

[发明专利]基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法-CN202010413445.8在审
发明人：路侑锡;金里;刘其鑫;冯俊波;郭进;蒋平;杨米杰 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法，光学相控阵包括：硅基底；氧化硅层，位于硅基底上；硅基光波导层，位于氧化硅层上，硅基光波导层包括耦合分束器及光栅天线，耦合分束器及光栅天线之间具有间隙带；氧化硅包层，填充于硅基光波导层周围及间隙带；铌酸锂移相器，包括位于间隙带上的铌酸锂薄膜、位于铌酸锂薄膜上且连接耦合分束器及光栅天线的铌酸锂光波导、以及位于铌酸锂光波导两侧的铌酸锂薄膜上的调制电极。本发明采用具有高电光系数、低损耗的材料如铌酸锂来代替传统的光学相控阵中所用的热调电阻或者载流子注入的相位调制方式，可以在光学相控阵中进行低功耗、高速、低波导损耗的光学相位调制。
基于铌酸锂薄膜材料控制光学相控阵制备方法

[发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
薄膜合体及其制造方法

[实用新型]基于铌酸锂的波导阵列-CN202022674059.2有效
发明人：冯吉军;刘海鹏 -专利权人：苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。
基于铌酸锂波导阵列

[发明专利]硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法-CN201810467755.0有效
发明人：蔡鑫伦;何名博;徐梦玥 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅和铌酸锂混合集成光调制器，包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，其中绝缘体上硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接；所述信号金属电极设置在铌酸锂波导结构相对的一侧；接地金属电极设置在铌酸锂波导结构相背的一侧；所述混合集成光调制器是一种双层结构：硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内，铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。
铌酸锂混合集成调制器及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法-CN202011298132.9在审
发明人：冯吉军;刘海鹏 -专利权人：苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。
基于铌酸锂波导阵列及其制造方法

[发明专利]一种基于铌酸锂的PM-QPSK集成光调制器及其工作方法-CN201610269999.9有效
发明人：季伟;尹锐;王军宝;公姿苏 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器及其工作方法。所述集成光调制器，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器。本发明所述集成光调制器，基于铌酸锂的双折射效应制成铌酸锂偏振解复用器和偏振复用器，改变以往基于硅基制作偏振复用器的传统，将基于硅基的偏振解复用器和偏振复用器与IQ调制器集成于同一块晶体上；工艺容差远小于硅基工艺
一种基于铌酸锂 pm qpsk 集成调制器及其工作方法

[发明专利]一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法-CN201710255559.2在审
发明人：李萍;范宝泉;刘丹;姜绍志 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法，调制器包括：硅基底晶片、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、光学波导、金属电极、硅V形槽、耦合光纤，二氧化硅下包层位于硅基底晶片的上表面；铌酸锂薄膜位于二氧化硅下包层之上本发明的有益效果为：(1)实现了铌酸锂单晶晶体与硅单晶晶体的异质集成；(2)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的低介电常数、低介电损耗等特性，可实现铌酸锂光调制器的调制速率(或调制带宽)的提升；(3)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的高绝缘性，可实现分布于铌酸锂薄膜中的微波电磁场强度的增加，提高电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。
二氧化硅下包层硅基铌酸锂薄膜调制器铌酸锂晶片薄膜化高速光铌酸锂晶片制备铌酸锂光调制器低介电常数低介电损耗微波电磁场铌酸锂单晶调制带宽调制效率高绝缘性光学波导降低器件金属电极驱动电压耦合光纤电场硅V形槽硅单晶晶体的上表面异质调制

[发明专利]低损耗硅-氧化硅-掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法-CN202210316787.7在审
发明人：邹卫文;王静 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种低损耗硅‑氧化硅‑掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法，所述电光调制器包括光耦合器、多模干涉仪、定向耦合器、二色向耦合器、电光移相臂、行波电极。所述集成方法包括：通过硅、氧化硅的刻蚀，能够形成硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导，通过金属沉积形成行波电极。所述的硅波导组成多模干涉仪；所述的硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成定向耦合器和二色向耦合器；所述的氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成电光移相臂。本发明使用掺铒铌酸锂作为损耗补偿的增益介质与电光调制材料，结合硅材料能够制备小尺寸光子回路，可以实现硅基无源器件与掺铒铌酸锂基电光调制器的兼容。
损耗氧化掺铒铌酸锂电光调制器集成方法

[发明专利]一种d33-CN202210275930.2在审
发明人：丑修建;耿文平;魏慧芬;张慧毅;侯晓娟;何剑;穆继亮 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L41/316 文献下载
摘要：本申请提供了一种d33模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过将铌酸锂与带有氧化层的硅基底键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；在铌酸锂铁电单晶薄膜表面利用溅射刻蚀法制备对准标记，在其表面采用溅射剥离法制备表面电极，并刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，最后在硅基底正面形成质量块和悬臂，并从硅基背面对其进行释放制得产物。本申请的制备方法可将铁电单晶铌酸锂薄膜与带氧化层的硅基很好键合，并完成了宽频带、高电压输出的元器件的制备，工艺可行性和重复率高。
一种 base sub 33

[发明专利]一种可兼容CMOS工艺的硅基铌酸锂混合集成电光调制器及其制造方法-CN201610932450.3在审
发明人：李萍;范宝泉 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种可兼容CMOS工艺的硅基铌酸锂混合集成电光调制器,包括：含有集成电路结构的硅基底晶片、键合于硅基底晶片上表面的光学级铌酸锂薄膜及其中的电光调制器光学波导、制作于光学级铌酸锂薄膜上表面的金属薄膜电极本发明通过常规CMOS工艺实现了硅基集成电路与铌酸锂电光调制器的混合集成，可满足下一代光通信技术发展对光器件与信号处理模块集成化的要求，进一步提升光模块的性能、体积、功耗、可靠性等指标，降低光模块的制造成本本发明还提供了一种制造的上述的可兼容CMOS工艺的硅基铌酸锂混合集成电光调制器的制造方法。
一种兼容 cmos 工艺硅基铌酸锂混合集成电光调制器及其制造方法

[发明专利]一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法-CN202110775577.X有效
发明人：王磊;张秀全;陈峰;胡卉 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率
一种基于双层铌酸锂薄膜光子波导倍频芯片及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条