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[发明专利]芯体复合式硅压阻压力传感器-CN201910808376.8有效
发明人：朱晓;柏楠;谢耀;韩士超 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种芯体复合式硅压阻压力传感器，以解决现有硅压阻式压力传感器进行压力测量时所存在的全量程精度缺陷问题。该压力传感器包括：多个硅压阻压力传感器芯体，所述硅压阻压力传感器芯体包括硅压阻压力传感器芯片，用于对待测件进行压力采集；多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程不同，且多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程覆盖使用的全量程；芯体复合外壳，所述芯体复合外壳用于对多个硅压阻压力传感器芯体组件进行封装，并对所述多个硅压阻压力传感器芯体组件提供统一测试压力介质；信息处理电路板，所述信息处理电路板设置在所述芯体复合外壳上，所述信息处理电路板用于控制并实现多个硅压阻压力传感器芯体的协同测量和切换输出
复合式硅压阻压力传感器

[发明专利]一种基于高温硅压阻传感器的防雷装置及其防雷方法-CN202210228307.1有效
发明人：王光泽 -专利权人：成都凯天电子股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高温硅压阻传感器的防雷装置及其防雷方法，防雷装置为屏蔽结构，所述屏蔽结构内设有防雷电路；屏蔽结构的输入输出接口与硅压阻传感器芯体的激励电压连接，防雷电路包括第一TVS器件、第二TVS器件、硅压阻传感器芯体，以及高温运算放大器；硅压阻传感器芯体的输出信号与所述第一TVS器件连接，并通过高温运算放大器与第二TVS器件连接。本发明利用高温运算放大器在硅压阻传感器和TVS器件之间的隔离作用，使得硅压阻传感器的输出信号不与TVS器件直接连接，即使在高温时，TVS器件漏电流增大不至于影响硅压阻传感器的输出性能。
一种基于高温硅压阻传感器防雷装置及其方法

[其他]双针型硅压阻脉动流速测量探头-CN86108892无效
发明人：张训时;黄泽民;张东宁;张自甦 -专利权人：清华大学
申请日： 1986-12-31 - 公布日： 1988-07-20 - 主分类号： G01P5/14 文献下载
摘要：双针型硅压阻脉动流速测量探头是属于测量水流脉动流速探头的技术领域。本发明是对中国专利85200016号“硅压阻脉动流速测量探头”的改进发明。本发明减小了现有技术的探头尺寸；缩小了现有技术两个感压孔之间的距离；只用一只硅压阻器件取代现有技术中的两只硅压阻器件；因此本发明使测量精度大大提高。
双针型硅压阻脉动流速测量探头

[发明专利]双针型硅压阻脉动流速测量探头-CN86108892.1无效
发明人：张训时;黄泽民;张东宁;张自苏 -专利权人：清华大学
申请日： 1986-12-31 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： G01P5/16 文献下载
摘要：双针型硅压阻脉动流速测量探头是属于测量水流脉动流速探头的技术领域。本发明是对中国专利85200016号“硅压阻脉动流速测量探头”的改进发明。本发明减小了现有技术的探头尺寸；缩小了现有技术两个感压孔之间的距离；只用一只硅压阻器件取代现有技术中的两只硅压阻器件；因此本发明使测量精度大大提高。
双针型硅压阻脉动流速测量探头

[发明专利]一种多晶硅压阻系数测试结构与方法-CN202010602865.0在审
发明人：黄向向;杨敏;洛伦佐·贝尔蒂尼;莱昂纳多·萨尔代利;关健 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测试结构的基底件。一种多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜受力发生变化，多晶硅电阻阻值发生变化，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。本发明的优点：本发明所述的多晶硅压阻系数测试结构与方法，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。
一种多晶硅压阻系数测试结构方法

[发明专利]一种硅压阻传感器自动补偿装置及参数匹配程控切换装置-CN201410667308.1在审
发明人：易少凡;谢波;肖腊连 -专利权人：武汉中航传感技术有限责任公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明属于硅压阻工程化应用技术，涉及一种硅压阻传感器自动补偿装置及参数匹配程控切换装置。本发明硅压阻传感器自动补偿装置包括程控多通道切换装置、参数匹配程控切换装置、程控数字采集设备、电源及计算机。本发明将多个被补偿硅压阻传感器与程控多通道切换装置相连，通过该装置实现传感器分时通电、测试、补偿的目的，并通过参数匹配程控切换装置对被补偿硅压阻传感器进行补偿。本发明适用于硅压阻传感器的批量自动补偿、批量自动测试以及补偿结果自动筛选，能极大降低人工成本、节约时间成本、保证产品质量一致性。
一种硅压阻传感器自动补偿装置参数匹配程控切换

[发明专利]汽车通用压力传感器-CN201010187894.1有效
发明人：王文襄;王冰;毛超民;石桥;李威;汪超 -专利权人：昆山双桥传感器测控技术有限公司;王文襄;上海文襄汽车传感器有限公司
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种汽车通用压力传感器由传感器壳体、硅压阻敏感芯体、传感器芯座、信号调理电路和汽车电器接口组成，硅压阻敏感芯体、传感器芯座和信号调理电路位于传感器壳体的内腔室，传感器壳体安装于该汽车电器接口，硅压阻敏感芯体由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成，硅压阻敏感元件设有惠斯顿电桥，惠斯顿电桥上应变电阻通过焊接金丝内引线引出，硅压阻敏感元件和玻璃环片正面形成绝缘氧化层；玻璃环片另一面密封固定于传感器芯座上设有的环形凹坑面，传感器芯座密封旋固于传感器壳体上的进压端口，硅压阻敏感芯体上金丝内引线通过该传感器芯座之环形凹坑面上中心孔，引入到设于中心孔另一端的转接板后，并经信号调理电路由该汽车电器接口上引出。
汽车通用压力传感器

[发明专利]纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法-CN200910045556.1有效
发明人：杨永亮;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感器和微电子机械系统中。
纳米尺度界面陷阱产生巨压阻及其制作方法

[发明专利]一种压力传感器及制备方法-CN201610171590.3在审
发明人：聂萌;安跃;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感器，包括硅衬底、氧化硅掩埋层、单晶硅层、单晶硅外延层、压阻条、刻蚀孔、真空密封腔和隔离区；氧化硅掩埋层生长在硅衬底的上方，单晶硅层生长在氧化硅掩埋层的上方，刻蚀孔位于硅衬底、氧化硅掩埋层和单晶硅层中，真空密封腔位于硅衬底中，单晶硅外延层生长在单晶硅层上方以及刻蚀孔中；压阻条为四个，四个压阻条位于单晶硅层和单晶硅外延层中；隔离区位于压阻条之间，四个压阻条之间构成惠斯通电桥。
一种压力传感器制备方法

[发明专利]基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构-CN201510695617.4有效
发明人：张加宏;杨敏;葛益娴;赵阳 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
硅纳米线传感器芯片压力传感器封装结构压阻特性二氧化硅层应变薄膜层敏感结构平行设置电极绝缘受力压阻外部环境气压空穴导电沟道机械应力压阻效应位置处顶层多块夹断壳体通槽

[发明专利]压阻式高频高温动态压力传感器-CN200910234479.4有效
发明人：王冰;王文襄;柳维旗;尤彩红 -专利权人：昆山双桥传感器测控技术有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G01L23/18 文献下载
摘要：一种压阻式高频高温动态压力传感器，由压阻敏感组件、传感器金属壳体和高频宽带放大器组成，压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成，硅压阻敏感元件由圆平硅膜片的正面依次覆盖有SiO2层和Si3N4层形成，硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥而周部裸露出硅膜片后焊固于玻璃环片，硅压阻敏感元件反面形成金属反光膜，惠斯顿电桥上应变电阻用丝内引线引出，璃环片另一面固定于陶瓷隔离基座上环形凹坑面，陶瓷隔离基座又烧结固定于传感器金属壳体的进压端口，压阻敏感组件上金丝内引线引入到传感器内腔室中的转接板后，经过高频宽带放大器信号放大，由传感器尾部的输出电缆引出，本发明能在承受超高温和超高频冲击下仍然具有良好特性。
压阻式高频高温动态压力传感器

[发明专利]一种硅压阻式压力传感器芯片-CN201310375752.1有效
发明人：曹钢;李凡亮;刘胜;付兴铭 -专利权人：武汉飞恩微电子有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种硅压阻式压力传感器芯片,包括硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，其特征在于所述硅压阻式压力传感器由SOI硅片制作，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，孔内充有金属，该金属与硅衬底重掺杂区进行欧姆接触并与芯片表面的金属层相连，增稳层设置在隔离层上，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘本发明的优点是在于未大幅改动传统硅压阻式压力传感器芯片的结构前提下，只需稍微改变一下硅压阻式压力传感器芯片的结构，增加少量工艺步骤就可以显著提升其输出稳定性。
一种硅压阻式压力传感器芯片

[实用新型]一种硅压阻式压力传感器芯片-CN201320522894.1有效
发明人：曹钢;李凡亮;刘胜;付兴铭 -专利权人：武汉飞恩微电子有限公司;无锡慧思顿科技有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种硅压阻式压力传感器芯片,包括:硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，所述硅压阻式压力传感器由SOI硅片制作，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，孔内充有金属，该金属与硅衬底重掺杂区进行欧姆接触并与芯片表面的金属层相连，增稳层设置在隔离层上，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘本实用新型的优点是在于未大幅改动传统硅压阻式压力传感器芯片的结构前提下，只需稍微改变一下硅压阻式压力传感器芯片的结构，增加少量工艺步骤就可以显著提升其输出稳定性。
一种硅压阻式压力传感器芯片

[实用新型]基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构-CN201520830381.6有效
发明人：张加宏;杨敏;葛益娴;赵阳 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本实用新型提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
基于巨压阻特性纳米压力传感器及其封装结构

[发明专利]一种集成温控的微小型硅压阻式压力传感器及其制造方法-CN202110907047.6在审
发明人：王新亮;罗芳海;雷中柱;俞骁 -专利权人：苏州司南传感科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成温控的微小型硅压阻式压力传感器及其制造方法，该集成温控的微小型硅压阻式压力传感器包含基板、盖板、恒温管壳、硅压阻式压力传感器芯片、温度传感器芯片和PI加热片；所述恒温管壳设置在基板和盖板之间，且两端分别与基板和盖板固定连接，形成恒温腔室；所述恒温管壳上还设置有导气管；所述硅压阻式压力传感器芯片和温度传感器芯片设置在基板上，且均位于恒温腔室内；所述PI加热片设置在恒温管壳上，用于给恒温腔室加热，使硅压阻式压力传感器芯片温度恒定；本发明不仅能保证硅压阻式压力传感器芯片温度恒定，避免温度波动对压力测量的影响，且结构简单、体积小，能满足压力传感器小型化、低功耗的要求。
一种集成温控微小型硅压阻式压力传感器及其制造方法

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