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[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

[发明专利]一种具有电磁屏蔽效应的有机硅耐热涂层及其制备方法-CN201910105095.6有效
发明人：姜波;赵立伟;黄玉东;方晓娇;张彤;殷悦;张奎元;时向荣;杨剑;王爽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电磁屏蔽效应的有机硅耐热涂层及其制备方法，属于电磁屏蔽涂料领域，具体方案如下：一种具有电磁屏蔽效应的有机硅耐热涂层，包括有机硅聚合物基体、电磁屏蔽填料和固化剂，所述有机硅聚合物基体为苯基‑缩水甘油醚基功能化聚硅氧烷和氨基功能化聚硅氧烷，所述电磁屏蔽填料为表面功能化的MXene(Ti3C2T化聚硅氧烷和氨基功能化聚硅氧烷具有结构可控、耐热性能优异的特点，解决了现有技术中电磁屏蔽涂层聚合物基体耐热性差、结构不可控以及合成过程复杂的技术问题。
一种具有电磁屏蔽效应有机硅耐热涂层及其制备方法

[发明专利]一种硅化改性零价铁及制备方法和应用-CN202011112108.1有效
发明人：虞敏达;郑明霞;毛旭辉;席北斗;何小松;孙源媛;傅雪梅 -专利权人：中国环境科学研究院
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：一种硅化改性零价铁，其表层为硅酸根取代的含硅氧化层，通过下述方法得到：以可溶性硅酸盐和微米铁粉为原料按比例混合，惰性气体氛围下球磨制备得到硅化改性零价铁。本发明将含硅前驱体与微米零价铁按比例混合后采用机械化学途径进行改性，得到的硅化改性零价铁可作为污水修复药剂、地下水原位注入材料及可渗透反应墙填充介质，适用于重金属污染环境的修复治理。本发明以绿色的硅酸盐为硅源，对微米零价铁进行表面硅化改性，操作简单、成本低廉，便于规模化生产，且制备的硅化零价铁分散性好、还原活性高、循环使用性能强，可用于多种重金属污染水体和土壤的治理。
一种改性零价铁制备方法应用

[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]适用于量子点组合物和制品的羟基官能化多胺有机硅配体-CN201880060268.0在审
发明人：裘再明;约瑟夫·M·彼佩尔;埃里克·W·纳尔森 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C08K3/30 文献下载
摘要：量子点层还包含羟基官能化多胺有机硅配体，该羟基官能化多胺有机硅配体为多胺有机硅配体和单官能环氧化合物的反应产物。还描述了羟基官能化多胺有机硅(该羟基官能化多胺有机硅为多胺有机硅和单官能环氧化合物的反应产物)，以及包含发光纳米粒子和所述羟基官能化多胺有机硅的量子点组合物。
适用于量子组合制品羟基官能化多胺有机硅

[发明专利]一种MOFs-有机硅杂化膜的合成方法-CN202111667825.5在审
发明人：周志辉;张彩虹 -专利权人：武汉智宏思博环保科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明属于复合膜制备技术领域，尤其涉及一种MOFs‑有机硅杂化膜的合成方法。所述方法包括以下步骤：S1.将MOFs材料与含有机硅的前驱体溶胶混合，得到混合溶胶；S2.将所述混合溶胶涂覆于多孔载体，进行煅烧；S3.重复S2步骤1‑5次，得到MOFs‑有机硅杂化膜，将MOF材料作为一种填充材料引入含有机硅的前驱体溶胶中，得到MOFs‑有机硅杂化膜，使MOFs‑有机硅杂化膜得到了额外的选择性吸附位点以及优先扩散路径，在一定程度上提高MOFs‑有机硅杂化膜的通量和分离性能。
一种 mofs 有机硅杂化膜合成方法

[发明专利]钛触点形成-CN202211480298.1在审
发明人： D·南迪;G·杜威;T·加尼;N·哈拉蒂普;M·J·科布林斯基;A·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：形成至硅锗(SiGe)的钛触点包括形成硅化钛层，其中通过在升高的温度下使硅烷(乙硅烷、丙硅烷等)流过钛层来提供用于硅化钛层的硅。硅化钛层可以帮助限制跨硅化钛‑硅锗界面可能发生的钛和锗相互扩散的量，这可以减少(或消除)在随后的退火和其他高温工艺期间SiGe层中空隙的形成。也可以经由硼和锗注入对SiGe层的其上形成钛层的表面进行预先非晶化，以进一步改善SiGe层抗微空隙形成的鲁棒性。所得到的钛触点是热稳定的，因为它们的电阻在经受下游退火和高温处理过程之后基本上保持不变。
触点形成

[发明专利]金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法-CN201210215016.5无效
发明人：朱开贵;陈芳芳 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法。这种方法能够使得非晶硅薄膜的晶化微区形成点阵，可用于微器件的制造。该方法主要包括以下步骤：（1）金属点阵制备。首先在衬底材料上制备金属点阵。金属材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd等可诱导非晶硅晶化的任意一种或几种金属。金属点阵的制备方法可以通过光刻的方法以光刻胶做掩模，然后镀金属薄膜，再将光刻胶去掉。（2）非晶硅薄膜制备。在制备了金属点阵的衬底上制备非晶硅薄膜。（3）通过退火的过程使得金属点阵区域的非晶硅晶化，得到非晶硅晶化点阵。
金属点阵诱导非晶硅薄膜方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02142068.8无效
发明人：塚本和宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该半导体装置包括在硅半导体衬底1上形成的导电层3；在导电层3的表层形成的硅化钴膜4、7；覆盖在硅半导体衬底1上的层间绝缘膜5；以及充填层间绝缘膜5的接触孔6、与硅化钴膜4进行电连接的势垒金属膜8和钨膜9，接触孔6的底部的硅化钴膜4、7的下表面的位置比接触孔6的外侧的硅化钴膜4的下表面的位置要低。可在接触孔6的底部确保必要膜厚的硅化钴膜，可使接触电阻降低，同时抑制结漏电。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法及应用-CN201910301859.9有效
发明人：徐荣;邓松;钟璟;任秀秀 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B01D71/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法及应用。其中制备方法包括如下步骤：(1)将芳香族桥联有机硅前驱体放入含有氯磺酸的二氯甲烷溶液中进行低温磺化反应，反应完全后加入浓盐酸析出产品，得到磺酸基官能化的芳香族桥联有机硅前驱体。(2)将得到的磺酸基官能化的芳香族桥联有机硅前驱体溶于无水乙醇中，加入去离子水和盐酸搅拌进行水解聚合反应，最后制备成磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜。本发明提供的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜具有良好的亲水性能，在膜分离过程中具有广泛的应用前景。
一种磺酸基官能改性芳香族有机硅杂化膜制备方法应用

[发明专利]掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法-CN200610106431.1有效
发明人： W·R·通蒂;R·Q·威廉姆斯;E·J·诺瓦克;J·H·兰金 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝起始于在第一绝缘层上具有单晶硅层的单晶绝缘体上硅(SOI)结构。将单晶硅层构图为带。在构图之前或之后，用一种或多种杂质掺杂单晶硅层。随后硅化单晶硅层的至少上部以形成硅化带。在一个实施例中，硅化整个单晶硅带以形成硅化物带。在硅化物带上形成第二绝缘体，以使硅化带与周围结构隔离。在形成第二绝缘体之前或之后，该方法形成穿过第二绝缘体到硅化带末端的电接触。通过利用单晶硅带，如二极管、导体、绝缘体、晶体管等的任何形式的半导体可以形成熔丝结构的下面部分。上面的硅化物材料允许熔丝在其未编程状态下用作导体。然而，与在编程状态下仅包括绝缘体的金属或多晶硅基电熔丝相反，当本发明的电熔丝被编程时(并且硅化物被移动或断开)，下面的半导体结构以有源半导体器件工作。
掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法

[发明专利]一种电解法制备二硅化钨的方法-CN202211732061.8在审
发明人：杨育圣;张丽奇;赵增武;张旭 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C25B1/01 文献下载
摘要：本发明属于二硅化钨制备技术领域。本发明提供了一种电解法制备二硅化钨的方法。将二氧化硅、氧化钙和氟化钙混合后进行干燥，得到电解质熔盐；以钨丝为阴极，惰性电极为阳极，通入电流对电解质熔盐进行电解，得到二硅化钨。本发明通过电解法制备二硅化钨的方法简单，可操作性强；以白云鄂博矿选铁尾矿提取铁后的剩余矿物组分作为硅源，以钨丝为阴极，能实现二硅化钨的一步高效制备，降低能耗，获得良好的经济效益；且与传统二硅化钨的制备方法相比
一种解法制备二硅化钨方法

[发明专利]硅一体化便携式电子设备-CN201010248618.1无效
发明人：赵哲镐 -专利权人：宇田桓檀株式会社
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅一体化便携式电子设备，在便携式电话的主体壳的外侧面通过与硅的双料注射成型或嵌件成型方式一体化地形成一体型注射硅，从而用户触摸便携式电话外表时能体会到紧握感，同时由于主体壳与罩壳的结合部位一体化地形成有防水型注射硅衬垫部本发明的硅一体化便携式电子设备包括主体壳、及覆盖所述主体壳并与其结合在一起的罩壳，其中，在所述主体壳的整个外侧面上通过硅注射成型一体化地形成一体化注射硅。
一体化便携式电子设备

[发明专利]一种锂离子电池级氧化亚硅负极材料及制备方法和应用-CN202010724643.6在审
发明人：薛孟尧;胥鑫;杨时峰;曹新龙;曹国林;田占元 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：一种锂离子电池级氧化亚硅负极材料及制备方法和应用，在保护气氛下将氧化亚硅与锂源混合均匀，在300℃‑700℃下保温后，得到预锂化的氧化亚硅；将预锂化的氧化亚硅放入回转窑中，采用气相沉积进行碳包覆，得到预锂化的氧化亚硅/碳复合材料；将金属氧化物与预锂化的氧化亚硅/碳复合材料混合均匀，使金属氧化物均匀包覆在氧化亚硅/碳复合材料的表面，得到锂离子电池级氧化亚硅负极材料。本发明通过气相沉积和金属氧化物包覆，提高了预锂化氧化亚硅原料的浆液稳定性和电化学性能，同时本发明提供的工艺方法简单，性能优异，在锂离子电池中具有广阔的应用前景。
一种锂离子电池氧化负极材料制备方法应用

[发明专利]一种硅杂化酚醛树脂及其合成方法-CN202011142981.5在审
发明人：袁文婕;李昊;赵彤 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅杂化酚醛树脂及其合成方法。本发明硅杂化酚醛树脂的合成方法，包括如下步骤：1)将醇类溶剂与硅氧烷单体混合，然后加入水混合，在酸性催化剂的存在下反应，得到硅树脂；2)将所述硅树脂与酚醛树脂混合反应，即得到硅杂化酚醛树脂。本发明的合成工艺简单，容易控制，不需要使用特殊的设备，生产成本低，由于大量溶剂的存在，水解后的硅氧烷缩合程度较低，硅羟基大量留存，这使得杂化树脂在固化过程中，硅杂化酚醛树脂的硅羟基与酚醛的酚羟基更容易反应以生成大量的Si‑O‑ph键，增加了硅树脂与酚醛树脂之间的相互作用，最终获得了纳米尺度相分离的硅改性酚醛树脂固化物，其具有更好的性能，尤其具有更好的阻燃性。
一种硅杂化酚醛树脂及其合成方法