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[发明专利]一种超高温陶瓷的表面处理方法-CN202310744183.7在审
发明人： 柳彦博;刘玲;何思源;牟广义;刘少璞;迟寰宇;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及涂层的表面处理技术领域，尤其涉及一种超高温陶瓷的表面处理方法。本发明提供的超高温陶瓷的表面处理方法，包括以下步骤：在氩气气氛中，将ZrB2‑SiC复合涂层进行微波等离子体处理。所述表面处理方法能够提高涂层的致密度。
一种超高温陶瓷表面处理方法

[发明专利]一种高熵硼化物涂层的制备方法-CN202310735655.2在审
发明人： 柳彦博;马壮;刘玲;迟寰宇;张泽;刘少璞;牟广义;何思源 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种高熵硼化物涂层的制备方法。本发明提供了一种高熵硼化物涂层的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物、分散剂和粘结剂混合，得到的浆料进行喷雾造粒，得到球形料；将所述球形料依次进行第一烧结和第二烧结，得到高熵硼化物微球；以所述高熵硼化物微球为涂料，在基体上进行喷涂，得到所述高熵硼化物涂层。本发明得到的高熵硼化物涂层具有较高的致密性。
一种高熵硼化物涂层制备方法

[发明专利]一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用-CN202310731318.6在审
发明人： 柳彦博;马壮;刘玲;迟寰宇;张泽;刘少璞;牟广义;何思源 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用。本发明提供了一种改性高熵硼化物的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物和碳化硅进行混合，得到的混合料进行烧结，得到所述改性高熵硼化物。本发明通过添加SiC与高熵硼化物进行共熔共晶，进一步弥补了硼化物在高温下因硼元素蒸发损失、无法形成致密的保护性氧化层的缺点。在烧蚀的过程中，添加SiC后形成的硼硅酸盐基玻璃保护层成为更有效的钝化层，阻止氧气向硼化物的进一步扩散，使硼化物的抗氧化烧蚀性能大大提高。
一种改性高熵硼化物及其制备方法应用

[发明专利]X射线调控RDX等典型火炸药性能及感度新方法-CN202310728819.9在审
发明人：刘瑞斌;张颖;夏敏;李安;杨威;姚裕贵;杨帆致;郭伟;甘强;柳彦博;张新宇;任耶平;钟林 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于X射线对火炸药的性能和感度快速调控的方法，属于火炸药性能和感度调控领域。对火炸药进行不同时间的X射线辐照，使火炸药的化学键发生不同程度的断裂，从而导致火炸药内部结构或分子形式发生变化，在特定条件下诱导火炸药性能和感度快速变化。利用扫描电子显微镜(SEM)，拉曼光谱(Raman Spectra)，傅里叶红外光谱(Fourier Transform infrared spectroscopy,FT‑IR)，X射线衍射(XRD)，X射线光电子能谱(XPS)对辐照前后的火炸药进行晶体结构，晶体形态以及分子结构表征。同时，基于激光诱导等离子体光谱的火炸药爆轰性能和多感度快速检测系统对辐照前后的火炸药感度和爆轰性能进行预测。表征和预测结果均表明X射线能够实现火炸药感度和爆轰性能的快速调控。
射线调控 rdx 典型炸药性能新方法

[发明专利]一种可进出循环的缩缸装置及油缸缸筒修复工艺-CN202210422555.X有效
发明人：吕瑞东;迟寰宇;刘少璞;王森源;马壮;柳彦博;刘玲;谢明劭;王一帆;徐菲晗;孟铭煜;许雅霜 -专利权人：山西庞泉重型机械制造有限公司;北京理工大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23P6/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可进出循环的缩缸装置及油缸缸筒修复工艺，涉及油缸缸筒修复技术领域，包括用于固定缸筒一端并带动缸筒绕轴线转动的装卡部及能够沿缸筒轴向往复运动的移动部，移动部上固定有能够伸入缸筒内部的加热端及位于缸筒外部的冷却端，在缸筒的径向方向上，加热端与冷却端的位置正对，移动部往复运动时，加热端沿缸筒轴向对缸筒内壁进行循环加热，冷却端对缸筒外壁进行循环制冷；本发明中加热端是在移动的过程中对缸筒内部进行由内到外，再由外到内循环加热，体积较小，从而可以适用于不同长度的缸筒，适应性更强，避免大尺寸加热元件在加热小尺寸缸筒时的热量浪费。
一种进出循环装置油缸缸筒修复工艺

[发明专利]一种W掺杂VO2-CN202310451346.2在审
发明人：郑冰;李红;柳彦博;王一帆;王东;白天宇;李晓玥 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C09K5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种W掺杂VO2相变材料及其制备方法和应用、温度报警器，涉及报警器技术领域。本发明利用W掺杂VO2相变材料在45℃～50℃发生半导体相‑金属相的可逆相变，导致其电阻率突变的性质，根据此原理设计新型温度报警器，可以降低传统温度报警器单片机温度传感器部分的成本开销，有效降低温度报警器的成本。由于本发明利用材料相变而使材料本身电导率发生大幅度断崖式突变，因此温度报警器具有较高灵敏度。从重复火灾模拟试验结果可以看出，本发明的温度报警器温控精度可达到0.5℃，远高于市面上同类产品1～5℃的控温精度。
一种掺杂 vo base sub

[发明专利]一种抗烧蚀复合膜层及其制备方法和应用-CN202310404459.7在审
发明人： 柳彦博;高志廷;马壮;高丽红;王瑞强;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗烧蚀复合膜层及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。本发明提供了一种抗烧蚀复合膜层，包括依次层叠的基体层和抗烧蚀层，所述基体层与所述抗烧蚀层接触的一侧表面设有微结构，所述抗烧蚀层的材质为ZrB2、ZrB2复合SiC、ZrC或硅酸钇。在基体表面设置微结构使得基体表面积增大3倍以上，从而增加范德华力作用面积，提高结合力，且形成的抗烧蚀层会充满微结构，形成互锁结构(卯榫结构)，进一步增大结合力；微结构在烧蚀时刻释放应力减少微裂纹产生概率，有利于缓解涂层中的热应力，提高了抗烧蚀性能和结合力，使抗烧蚀层不易脱落。SiC层是良好的高温导热层，微结构可以提高导热性能，降低热应力集中。
一种抗烧蚀复合及其制备方法应用

[发明专利]一种抗氧化复合膜层及其制备方法和应用-CN202310401986.2在审
发明人： 柳彦博;高志廷;马壮;朱时珍;张泽;刘少璞;迟寰宇 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗氧化复合膜层及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。本发明提供了一种抗氧化复合膜层，包括依次层叠的基体层、SiC薄膜中间过渡层和抗外层氧化涂层，所述SiC薄膜中间过渡层与所述抗外层氧化涂层接触的一侧表面设有微结构。本发明在SiC薄膜中间过渡层上形成微结构，微结构使得SiC薄膜中间过渡层的表面积增大3倍以上，能够增大界面结合面积，从而增加范德华力作用面积，提高结合力，且形成的抗外层氧化涂层会充满微结构，形成互锁结构，进一步增大结合力，提高了33％以上；微结构在烧蚀时刻释放应力减少微裂纹产生概率，减小了一倍，有利于缓解涂层中的热应力，从而使得使用寿命提高到3倍以上。
一种氧化复合及其制备方法应用

[发明专利]掺杂LaSi2改性的ZrB2-SiC复合粉体及其制备方法、热防护涂层及其制备方法-CN202310458759.3在审
发明人： 柳彦博;马壮;牟广义;刘玲;刘少璞;迟寰宇;何思源 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂LaSi2改性的ZrB2‑SiC复合粉体及其制备方法、热防护涂层及其制备方法，涉及涂层制备技术领域。本发明将原料粉末与粘结剂和水混合，进行球磨，得到球磨浆料；所述原料粉末包括LaSi2粉末、ZrB2粉末和SiC粉末；所述ZrB2粉末和SiC粉末的质量比为(4～8)：1；所述原料粉末中LaSi2粉末的含量为5～15wt％；将所述球磨浆料进行喷雾干燥，得到团聚粉体；将所述团聚粉体进行感应等离子球化处理，得到掺杂LaSi2改性的ZrB2‑SiC复合粉体。本发明利用LaSi2对ZrB2‑SiC复合粉体进行掺杂改性，制备出的热防护涂层在高温条件(1800℃)具有良好的抗氧化烧蚀性能。
掺杂 lasi2 改性 zrb2 sic 复合及其制备方法防护涂层

[发明专利]一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法-CN202310404479.4在审
发明人：刘玲;高志廷;马壮;柳彦博;张泽;刘少璞;许雅霜 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料防护技术领域，提供了一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法。本发明在陶瓷基复合材料首先沉积梯度膜层，更好地解决了由于防护涂层热膨胀系数与陶瓷基复合材料不匹配、结合力差的难题；而且，梯度膜层中的SiC具有优异的高温导热性。然后，在梯度膜层上刻蚀微结构，大大提高了梯度膜层的表面积，从而增加了范德华力作用面积，进一步提高了基体和防护涂层之间的结合力；而且，微结构在刻蚀制备过程中会释放应力，减少基体微裂纹产生的概率；另外，微结构可以提高导热性，降低了热应力集中。同时，本发明在制备防护涂层前，采用磁控溅射进行同质陶瓷界面层处理，增大了界面浸润性，提高了基体和防护涂层之间的结合力。
一种陶瓷复合材料表面制备防护涂层方法

[发明专利]一种多层高反射率隔热涂层及其制备方法-CN202210030365.3有效
发明人：刘玲;马壮;柳彦博;高丽红;张琦 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层高反射率隔热涂层及其制备方法，具体涉及一种Y2O3‑Al2O3/YSZ/NiCrCoAlY三层结构涂层制备方法，属于新材料领域。本发明制的涂层为三层结构，底层为金属层，中间为YSZ，顶层为Y2O3‑Al2O3；顶层的Y2O3‑Al2O3通过大气等离子喷涂方式制备在YSZ层上。本发明采用等离子喷涂制备，顺序按照NiCrCoAlY/YSZ/Y2O3‑Al2O3顺序制备，其热膨胀系数逐层递减，形成压应力，抑制裂纹生长，层间结合力强。
一种多层反射率隔热涂层及其制备方法

[发明专利]一种单相高熵金属二硼化物及其制备方法-CN202210272743.9有效
发明人：朱时珍;柳彦博;刘玲;马壮;张泽 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单相高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式简记为HE TMScB2，TM为Hf、Zr、Nb和Ta，Sc的原子摩尔比为x，TM中的四种元素为等原子摩尔比且原子摩尔比之和为1‑x，0.1≤x≤0.3；可以在1600℃以上制备得到该高熵金属二硼化物的单相粉体，并且该粉体不需要细化粒径以及不需要添加烧结助剂就可以烧结得到致密度在90％以上的块体，力学性能优异，制备工艺易于操作，制备成本低，适宜工业推广。
一种单相金属二硼化物及其制备方法

[发明专利]一种多组分超高温抗氧化耐烧蚀陶瓷涂层的制备方法-CN202210887013.X有效
发明人：朱时珍;王瑞强;马壮;柳彦博 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种多组分超高温抗氧化耐烧蚀陶瓷涂层的制备方法，属于抗氧化耐蚀涂层技术领域。先通过喷雾造粒技术将ZrB2粉体、SiC粉体、TaSi2粉体和HfB2粉体制备成团聚复合粉体，然后利用感应等离子球化技术对团聚复合粉体进行致密化处理，再采用大气等离子喷涂技术将致密化处理后的复合粉体喷涂在基体上形成多组分超高温抗氧化耐烧蚀陶瓷涂层。本发明所述方法通过优化涂层的组成成分以及涂层的制备工艺条件，降低涂层的孔隙率以及提高涂层的结合强度，有效改善涂层在1800℃以上的抗氧化烧蚀性能。
一种组分超高温氧化耐烧蚀陶瓷涂层制备方法

[发明专利]一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用-CN202310036832.8在审
发明人：刘玲;柳彦博;马壮;许雅霜 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括ZrB2、SiC和层状结构物质；所述层状结构物质为MAX或MAB；M为过渡金属元素，A为第三主族或第四主族元素，X为C或N。本发明首次提出在传统ZrB2‑SiC陶瓷中复合层状结构的MAX或MAB，所述MAX或MAB由于其特结构以及良好的抗氧化性，因此可以期待将层状结构物质复合到ZrB2‑SiC复相陶瓷材料中，可以提高材料的致密度。
一种陶瓷复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷柱阵列的恢复方法-CN202310034410.7在审
发明人：田新春;马壮;高丽红;柳彦博;刘玲;王东 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08J7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷柱阵列的恢复方法，涉及有机高分子材料技术领域。本发明将倒塌的聚二甲基硅氧烷柱阵列(PDMS柱阵列)浸没于有机溶剂中进行溶胀处理，得到溶胀聚二甲基硅氧烷柱阵列；所述有机溶剂对聚二甲基硅氧烷的溶胀率≥1.20；将所述溶胀聚二甲基硅氧烷柱阵列从有机溶剂中取出后干燥，得到恢复的聚二甲基硅氧烷柱阵列。本发明利用溶剂的溶胀效应来恢复PDMS柱阵列，对PDMS柱阵列的恢复效率高，恢复率能达到99％以上，解决了领域内PDMS柱阵列倒塌后无法有效恢复的难题；且工艺简单、能耗和成本低。本发明提供的是一种简单有效、低成本的PDMS柱阵列恢复方法，极大地提高了PDMS柱阵列的重复使用率。
一种聚二甲基硅氧烷阵列恢复方法

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