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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]测试结构-CN201320804312.9有效
发明人：郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试结构，包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。在多晶硅的表面形成多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，由于所述硅化金属物形成于硅化金属阻挡物之间，即将所述硅化金属阻挡物分开，通过测量所述硅化金属物的电阻值便能够监测到硅化金属阻挡物是否存在微小的偏差，从而提高监测的精确度
测试结构

[发明专利]提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型-CN201710241895.1有效
发明人：张志双;张昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高非硅化电阻模型精度的方法及非硅化电阻模型，将电阻模型两端引出端的端接电阻划分为由接触电阻、硅化电阻以及交界电阻组成的三部分，并通过硅化电阻模型求得非硅化电阻模型的硅化电阻和接触电阻，进而求得交界电阻，从而建立了非硅化电阻模型和硅化电阻模型之间的关联，使得非硅化电阻模型比较物理，模型精度大大提高。同时在非硅化电阻模型的硅化电阻中引入布局参数，即接触孔到硅化电阻区域边界的距离，可以提高非硅化电阻模型的扩展性。
提高非硅化电阻模型精度方法

[发明专利]用于硅受控锂化的硅占主导的锂离子电池的方法及系统-CN202080067607.5在审
发明人：本杰明·朴;伊恩·布朗;崔成元;弗雷德·博恩霍姆 -专利权人：新强能电池公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：用于硅受控锂化的硅占主导的锂离子电池的系统和方法可以包括阴极、电解质和阳极。阳极可以包括放电后锂化水平被配置成高于最小阈值水平的硅，其中所述最小阈值锂化是3％硅锂化。在所述电池充电之后，所述硅的锂化水平可以为30％至95％硅锂化、30％至75％硅锂化、30％至65％硅锂化或30％至50％硅锂化。在所述电池放电之后，所述硅的锂化水平可以为3％至50％硅锂化、3％至30％硅锂化或3％至10％硅锂化。所述最小阈值水平可以是锂化水平，在所述水平以下，所述电池的循环寿命劣化。
用于受控主导锂离子电池方法系统

[实用新型]一种卡式洗瓶硅化腔室机构-CN201821483463.8有效
发明人：直国富 -专利权人：上海翡诺医药设备有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卡式洗瓶硅化腔室机构，属于医疗器械领域。卡式洗瓶硅化腔室机构，包括：支架，用以将待硅化的卡式瓶固定于支架内部，以对所述卡式瓶进行硅化；通风孔，设置于所述支架的顶部，所述待硅化的卡式瓶的前端与所述通风孔连通，所述通风孔与排风机管道连接；硅化接口，设置于所述支架的底部，硅化管道通过所述硅化接口延伸至所述待硅化的卡式瓶内。采用卡式洗瓶硅化腔室机构对待硅化的卡式瓶进行硅化处理，可提高硅化的效率，保证卡式瓶的清洁，有效的防止硅油泄漏。
硅化卡式腔室洗瓶支架通风孔医疗器械领域本实用新型保证卡式管道连接硅化处理硅油泄漏接口延伸卡式瓶排风机连通清洁

[发明专利]一种硅化机构及硅化装置-CN202310109977.6在审
发明人：王华清;许益玉;罗坚;陈荣豪;朱梦鹏;楚鸿辉;杨杰 -专利权人：迈得医疗工业设备股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B05C3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅化机构和硅化装置，硅化机构包括硅化液槽和连通部，硅化液槽设置有封盖，连通部设置有进口端和开口端，连通部通过进口端与硅化液槽连接并连通形成连通器结构，开口端供针头插入，其中，连通器结构使硅化液槽和连通部中硅化液的液面的高度一致，针头从开口端插入硅化液中实现硅化。封盖盖住硅化液槽，防止大面积硅化液遇到火花发生火灾等问题，只有连通部中的硅化液暴露在空气中，将硅化液与空气接触面积大大缩小，减少挥发使得稀释硅化液比例几乎不会变化，更加节省成本、保护环境，而且由于开口端液面面积小，在硅化液槽上升下降的过程中不会产生大的液面波动，从而使浸入的针头长度较为稳定。
一种机构化装

[实用新型]一种硅化机构及硅化装置-CN202320205304.6有效
发明人：王华清;许益玉;罗坚;陈荣豪;朱梦鹏;楚鸿辉;杨杰 -专利权人：迈得医疗工业设备股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B05C3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅化机构和硅化装置，硅化机构包括硅化液槽和连通部，硅化液槽设置有封盖，连通部设置有进口端和开口端，连通部通过进口端与硅化液槽连接并连通形成连通器结构，开口端供针头插入，其中，连通器结构使硅化液槽和连通部中硅化液的液面的高度一致，针头从开口端插入硅化液中实现硅化。封盖盖住硅化液槽，防止大面积硅化液遇到火花发生火灾等问题，只有连通部中的硅化液暴露在空气中，将硅化液与空气接触面积大大缩小，减少挥发使得稀释硅化液比例几乎不会变化，更加节省成本、保护环境，而且由于开口端液面面积小，在硅化液槽上升下降的过程中不会产生大的液面波动，从而使浸入的针头长度较为稳定。
一种机构化装

[发明专利]完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法-CN200610057498.0无效
发明人：丁煜明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法。图案化栅极与电阻的半导体材料后，以第一介电层保护多晶硅免于金属硅化，接着进行第一次金属硅化将晶体管的栅极部分金属硅化。厚层栅极则以第二介电层保护电阻免于金属硅化，接着进行第二次金属硅化使栅极完全金属硅化。
完全金属硅栅极电阻与其制备方法

[发明专利]栅极制造方法-CN200910199222.X无效
发明人：向阳辉;刘艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极制造方法，包括：在已形成有栅氧化层的半导体衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硅化钨层；依次蚀刻所述硅化钨层、多晶硅层及栅氧化层，至暴露出半导体衬底，蚀刻后的硅化钨层及多晶硅层作为栅电极；对所述硅化钨层退火；对所述栅电极退火；氧化所述硅化钨层，在所述硅化钨层表面形成栅电极保护层。通过所述栅极制造方法，可以避免在硅化钨层和多晶硅层界面附近产生空洞。
栅极制造方法

[发明专利]金属硅化层的制造方法-CN200410098357.4有效
发明人：陈意维;洪宗佑;江怡颖;谢朝景;张毓蓝 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种金属硅化层的制造方法，此方法是于一衬底上形成至少一栅极。然后于此栅极表面形成硬掩模层，并暴露出衬底表面。之后，于暴露出的衬底表面上形成第一金属硅化层，其中，此第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一。接着，去除硬掩模层，以及于栅极表面形成第二金属硅化层，其中，第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯、镍合金的群族其中之一。由于本发明是于衬底表面和栅极表面分别形成不同材料的硅化金属层，因此可同时改善小线宽电阻高的问题，以及解决现有技术中硅化镍容易在源极区域与漏极区域造成的尖峰现象和管涌作用。
金属硅制造方法

[实用新型]体液采集管硅化处理设备-CN201320725456.5有效
发明人：付士明 -专利权人：付士明
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： B05B13/06 文献下载
摘要：本实用新型是一种体液采集管硅化处理设备，包括底座，底座上设有机架，机架的中央设有传送带，传送带与传动电机和滚轴连接，传送带上设有采集管工装，机架的上部设有设有多个驱动电机，驱动电机通过丝杠与硅化单元连接，每个硅化单元的下面相间的分别设有硅化液吐液头和硅化液吸液头，设有硅化液吐液头的硅化单元通过硅化液驱动泵与供液罐连接，设有硅化液吸液头的硅化单元通过硅化液导管和硅化液抽吸泵与收液罐连接。本实用新型对原管的硅化效果可以实现百分之百，提高了硅化的质量，避免了临床检验值不准及凝血现象的发生。本实用新型可以与体液采集管生产线连为一体，这就大大提高了体液采集管生产线的生产效率。
体液采集管硅化处理设备

[发明专利]硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法-CN201110298403.5有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：一种硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法，其中，所述硅化镍层形成方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成硅化二镍层；在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层；对所述硅化二镍层进行第二退火处理，形成硅化镍层在进行第二退火处理形成硅化镍层之前，在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层，在进行第二退火处理时，所述氮化硅层中的氢离子会扩散到硅化二镍层中，使得最终形成的硅化镍层内含有氢离子，可有效的降低硅化镍层的电阻
硅化镍层形成方法半导体器件

[发明专利]一种清洗硅化装置-CN202310216186.3在审
发明人：邹士杰;李云梦;周超;魏兴卿;张文义 -专利权人：东富龙科技集团股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本发明揭示了一种清洗硅化装置，包括输送装置、清洗装置和硅化装置；硅化装置和清洗装置均安装在输送装置上；硅化装置用于对输送装置上清洗完毕的物料进行硅化；硅化装置包括支架、摆动组件、升降组件和多个硅化针；支架安装在输送装置上；摆动组件、升降组件和多个硅化针均安装在支架上；摆动组件用于驱动多个硅化针左右摆动；升降组件用于驱动多个硅化针上下移动。本发明能够实现清洗与硅化，还能够实现硅化针的高度调节或水平方向位置上的调节。
一种清洗化装

[发明专利]半导体结构-CN200810137833.7有效
发明人：赵元舜;荆凤德;洪彬舫;颜丰裕;林纲正;黄国泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。
半导体结构

[实用新型]活塞自动硅化机-CN202221026861.3有效
发明人：戴华英;张海健 -专利权人：天津迪玛克医药科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：活塞自动硅化机，包括上料机构、分料机构、机械手运输机构、硅化机构和雾化颗粒捕捉机构，上料机构的出料处设有分料机构，机械手运输机构抓取待硅化的活塞至硅化机构内进行硅化处理，硅化机构与雾化颗粒捕捉机构相连通，硅化机构的出料方向还设有盒体用于放置硅化好的活塞。本实用新型中的活塞硅化机具有减少胶塞接触摩擦、硅油均匀和活塞腔内无硅油的优点。
活塞自动硅化机

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

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