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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201910726333.5在审
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、多层半导体层、介质层、源极和漏极，多层半导体层和介质层中形成有栅极沟槽，栅极沟槽内形成有栅极，栅极沟槽包括形成在多层半导体层中的栅极沟槽第一分部以及贯穿介质层中的栅极沟槽第二分部，栅极沟槽第二分部包括位于介质层靠近衬底一侧表面的第二开口以及位于介质层远离衬底一侧表面的第三开口，第三开口在衬底上的垂直投影覆盖第二开口在衬底上的垂直投影，且第三开口的开口面积大于第二开口的开口面积。如上设计，栅极在靠近衬底一侧具备小尺寸，利于实现高频特性；栅极在远离衬底一侧具备较大尺寸，利于降低栅极电阻，抑制半导体器件的短沟道效应，提高半导体器件的可靠性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法-CN202111609117.6在审
发明人：杨乐;李铁生;王荣华;楼颖颖 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法，所述结构包含低阻和高阻两层外延，高阻值外延放置在下层，结构包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有源区沟槽，所述终端区内设置有至少五条靠近所述有源区沟槽的终端区沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的低掺杂多晶硅层并浮空，所述截止环与截止环金属短接并浮空。并在终端隔离区、截止区的沟槽底部进行与外延类型相反的一定能量和剂量的注入形成反型层。
一种优化终端电场屏蔽沟槽 mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]一种短拖尾电流IGBT器件及制备方法-CN202310008763.X在审
发明人：王万;李娜 -专利权人：江苏索力德普半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，技术方案包括以下步骤：步骤S1、沟槽栅IGBT进行基础加工，沟槽栅IGBT的背面形成N‑drift区域；步骤S2、第一次离子注入，向沟槽栅IGBT的背面注入杂质一，经过退火激活杂质一，并推阱在N‑drift一侧形成N+掺杂区域；步骤S3、第二次离子注入，沟槽栅IGBT的背面生长氧化层，通过光刻工艺及刻蚀工艺在氧化层上打开窗口，注入杂质二，杂质二只会通过打开的窗口注入到沟槽栅IGBT的背面，经过退火激活杂质二，形成中间隔分布的P+掺杂区域；步骤S4、沟槽栅IGBT背面的P+掺杂区域的外侧淀积金属，形成背面集电极collector，本发明的优点在于在减小集电极空穴注入的同时保证良好的欧姆接触
一种短拖尾电流 igbt 器件制备方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201410459513.9有效
发明人：殷华湘;秦长亮;马小龙;王桂磊;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏区沟槽；执行轻掺杂离子注入，在源漏区沟槽的底部和侧壁中形成源漏延伸区；在源漏区沟槽中和/或上外延生长形成源漏区；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，选择性刻蚀鳍片结构形成源漏沟槽后执行轻掺杂注入形成超浅LDD，此后再外延生长源漏区，提高了器件的稳定性，减缓了器件的短沟道效应。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种场效应管的形成方法和场效应管-CN201910138677.4有效
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应管的形成方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成鳍部、栅极、源极和漏极，并在衬底上形成浅沟槽隔离层；在浅沟槽隔离层上沉积厚度均匀的牺牲材料层；刻蚀去除覆盖栅极、源极和漏极顶部的牺牲材料层；去除源极、栅极、漏极周侧的牺牲材料层；刻蚀源极与栅极之间的鳍部，以及刻蚀漏极和栅极之间的鳍部，至低于浅沟槽隔离层顶部所在的位置，或与浅沟槽隔离层的顶部平齐的位置。本发明提供的场效应管的形成方法操作简单、便捷，可以有效地增大分别刻蚀栅极与源极和漏极之间的鳍部后形成的沟槽，因此可以增大设置该在沟槽内的外延层的体积，进而减小短沟道效应。
一种场效应形成方法

[实用新型]预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成模块板-CN201921806124.3有效
发明人：陈主学;肖建浦 -专利权人：江苏好快省建材科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： F24D13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成模块板，从下至上依次包括钢筋混凝土结构层（1）、水泥砂浆粘结找平层（2）、预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成板（3）、水泥砂浆粘结均热层（4）和饰面层（5）；预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成板（3）的沟槽内压入有加热管或加热电缆（6）；水泥砂浆粘结找平层（2）上方和预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成板（3）之间设有薄抹灰胶泥或干式架空的水泥垫块；预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成模块板与墙体四周连接处设有竖向隔声片本实用新型结构设计合理，强度高，承重能力强，施工方便，在工厂制作，现场采用干式作业，环保性强，劳动生产率高，建设周期短，综合效益明显。
预制沟槽混凝土地面辐射供暖集成模块

[实用新型]一种具有排渗功能的排水斜槽-CN202121368549.8有效
发明人：袁多亮;何姜江;吴浪洲 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： E03F5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及贮灰场的排洪设施技术领域，具体涉及一种具有排渗功能的排水斜槽，包括沿灰场斜坡设置的沟槽，沟槽上部开设槽口，且槽口处连续铺设若干盖板，盖板上方和沟槽的两侧均设置有集渗结构，用于将灰渣渗水引导排入沟槽内；盖板上方设置有第一进水结构，沟槽两侧设置有相互连通的第二进水结构和排水结构；沟槽的末端设置有用于往外排水的连接井结构。本实用新型既节省费用，又提高灰场安全，一举两得，排水斜槽工艺简单，便于施工，工期短，费用低，在排水斜槽封堵后，仍能及时将贮灰场内的渗水通过排水斜槽排出，快速降低坝体浸润线，加速尾矿固结，彻底地解决贮灰场排渗问题
一种具有功能排水斜槽

[实用新型]中间不设对拉螺杆的大截面柱模板加固装置-CN201420047810.8有效
发明人：程秋明;张明星;王尔;蔡小川;詹成义 -专利权人：山河建设集团有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： E04G13/02 文献下载
摘要：其特征在于：在前、后侧矩形钢管一端的长边方向截面上开设椭圆形贯穿孔，另一端的短边方向截面上开设贯穿沟槽，在前、后侧矩形钢管另一端的长边方向焊接设有圆孔的角钢，在左侧矩形钢管截面的长边方向上开设椭圆形贯穿孔，在右侧矩形钢管截面的短边方向上开设贯穿沟槽，矩形钢管与模板之间加设槽钢；本实用新型操作简便、材料浪费少、施工效率高，能确保施工质量。
中间螺杆截面模板加固装置

[发明专利]格构式易拆装塑料间壁墙板-CN202110964295.4有效
发明人：李令令;张延年;韩东;冷峻 -专利权人：吉林建筑科技学院
申请日： 2021-08-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： E04B2/74 文献下载
摘要：竖直的中间板区上下端部均为端部连接区并由衔接过渡区连接；中间板区的内部为奇数排的水平空腔；水平空腔分为长排和短排，水平空腔长排与水平空腔短排相互交替；水平空腔长排的上下两端均分别设置空腔端强区；在顶部空腔端强区的顶部和底部空腔端强区的底部均分别开设端部沟槽；端部连接区的内外侧均为侧向爪，在端部沟槽之间均为中间爪，在侧向爪、中间爪上粘贴橡胶板，在端部沟槽内设置橡胶棒。
格构式易拆装塑料间壁

[实用新型]印刷机操作面箱门重力自锁装置-CN200920077951.3有效
发明人：谭沧汇 -专利权人：上海高斯印刷设备有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： E05B65/00 文献下载
摘要：一种印刷机操作面箱门重力自锁装置，包括锁板(3)、锁块(4)和长圆柱销(5)，锁板L形一端面安装于门(1)背面边部，锁板L形另一端面上开有弯沟槽(31)，弯沟槽下部外侧面为斜面；锁块由上锁块(41)、下锁块(42)和条板(43)组成，锁块安装于门框(2)上，门框上开有上导向槽(8)和下导向槽(9)，在上锁块和下锁块内设置有长圆柱销(5)和短圆柱销(6)并经锁紧螺钉(10)紧固，长圆柱销穿过上导向槽并向门框侧伸出，长圆柱销与锁板弯沟槽相对应，短圆柱销穿过下导向槽；条板上装有把手(7)，把手能将锁块沿门框的上、下导向槽上下滑动。
印刷机操作面箱门重力装置

[实用新型]具有环形沟槽的齿轮吊装工具-CN202122360534.3有效
发明人：聂嘉良;庄磊;尹建军;严欢 -专利权人：中船动力镇江有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B66C1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有环形沟槽的齿轮吊装工具，包括2块吊板、2组固定螺栓螺母组和2根定距管，吊板的端面呈L形，且L形的短边相对地对称设置，2块吊板侧面均呈扇形。L形的短边为弧形边，上下平行设置的2根定距管两端分别位于2块吊板的上部之间。吊运具有环形沟槽的齿轮时，吊板下端的弧形边分别伸进齿轮两侧的环形沟槽中，固定螺栓一端分别横穿过两块吊板和中间的定距管，通过螺母使得两块吊板的内侧面夹紧齿轮上部轮缘。
具有环形沟槽齿轮吊装工具

[实用新型]深海定深自动释放装置-CN200920098728.7无效
发明人：郑国芝;罗玉玺;孙牵宇 -专利权人：国家海洋技术中心
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：释放钩上部圆柱杆的前端插入并固定在圆管状的固定管内，固定管与穿过承载体上部牵引管的牵引绳一端固定连接，释放钩下部的扁平状底钩置于承载体底部沟槽内，释放钩底钩的扁平面上有偏心轴孔，偏心轴孔内有固定在承载体底部沟槽两侧的短轴穿过，释放钩底钩在承载体底部沟槽内绕短轴转动。
深海自动释放装置

[发明专利]用于制造用于飞行器的由纤维复合材料制成的机身壳体的装置-CN201080057741.3有效
发明人：卡斯滕·巴拉格;约阿希姆·皮彭布罗克 -专利权人：空中客车德国运营有限责任公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B29C33/12 文献下载
摘要：所述机身壳体设用多个彼此隔开设置的桁条（7）以用于加固，所述装置包括包括用于形成有支承能力的底座的主构架（1），所述底座具有向外拱起的装配面（2）以用于正装配，所述装配面设有用于形状接合地容纳成形件（5）的纵向延伸的装配沟槽（3），所述成形件用于相对于所述装配面（2）能脱模地定位所述桁条（7），其中在每个装配沟槽（3）中设置多个彼此隔开设置的、短的成形件（5），所述短的成形件能够通过调节机构相对于所配属的装配沟槽（3）在横向方向
用于制造飞行器纤维复合材料制成机身壳体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201680032029.5有效
发明人：内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：所述半导体装置具备：半导体基板；多个沟槽部，设置于半导体基板的正面侧，分别具有沿着延伸方向延伸的部分；以及第一导电型的发射区和第二导电型的接触区，设置于相邻的2个沟槽部之间，在延伸方向上交替地在半导体基板的正面露出，在半导体基板的正面，发射区在2个沟槽部之间的中央位置处的长度比发射区的与沟槽部接触的部分的长度短，在半导体基板的正面，发射区的边界的至少一部分为曲线形状。
半导体装置制造方法

[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法-CN201811167811.5有效
发明人：于广;程羽佳;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬态电压抑制器及其制作方法，该制作方法通过刻蚀第一导电类型的衬底并形成位于所述衬底内的正向沟槽；在所述正向沟槽内填充介质层；从所述衬底的侧表面刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成延伸至所述介质层的侧向沟槽；在所述侧向沟槽内生长第二导电类型的外延层；在所述衬底的上表面和下表面分别覆盖第一金属层和第二金属层，从而形成瞬态电压抑制器。本发明所述制作方法制备得到的瞬态电压抑制器具有双向保护功能，且使用该方法制作瞬态电压抑制器，不仅成本低，而且制作周期短。
瞬态电压抑制器及其制作方法