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[实用新型]自洁式长寿命磨床托瓦-CN200720063547.1无效
发明人：朱正谊;李丹;贺梦军 -专利权人：湖南华菱涟钢薄板有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： B24B5/37 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于自行清理轧辊辊颈表面污物的自洁式长寿命磨床托瓦，在托瓦两端面上侧加工的U型半圆沟槽的a段安装有弹簧，一头穿过弹簧中心圈后的U型导杆用压板及螺钉定位在U型半圆沟槽中，在U型半圆沟槽的在托瓦上端的径向外侧边缘加工有排污槽，短油槽位于托瓦的上表面，进油口连通短油槽，托瓦上表面有N排刮花。
洁式长寿命磨床

[实用新型]一种超柔抗菌木浆短纤-CN201520611085.7有效
发明人：张贵喜 -专利权人：张贵喜
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： D01D5/247 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超柔抗菌木浆短纤，包括由北美松木浆粕和黄麻浆粕短纤本体，短纤本体横截面为齿轮状结构，短纤本体外侧边缘位置设置有锯齿状内凹沟槽。本实用新型的一种超柔抗菌木浆短纤通过松木浆粕和黄麻浆粕制造，具有天然抗菌抑菌作用，并且在内部开设多个孔腔组，在孔腔内部设置加强筋，从而大大提升短纤的舒适性和透气性，更加有利于排汗抗菌。
一种抗菌木浆

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制造方法-CN201610279587.3在审
发明人：肖胜安;李东升;曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极和沟槽的底部表面和侧面之间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽的顶部到底部纵向上逐渐增加；在沿沟槽的宽度方向的剖面上，屏蔽电极呈顶角在底部的三角形结构或者呈下底边比上底边短的梯形结构；在器件反向偏置时，屏蔽电极对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，屏蔽介质膜的厚度呈逐渐增加的结构使漂移区的电场强度分布的均匀性增加
屏蔽功率器件及其制造方法

[发明专利]一种快恢复芯片制作方法-CN201811605590.5在审
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片，然后对快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度，再对沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，沟槽将扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片，再对腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个快恢复芯片的表面形成欧姆接触，最后依据腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。本发明提供的快恢复芯片制作方法具有切割出的快恢复芯片的反向恢复时间短且相对集中，同时能够达到降低正向压降的效果。
预设定恢复芯片制作芯片腐蚀扩散切割磁控溅射沉积芯片制作技术表面形成钝化保护反向恢复扩散基板欧姆接触正向压降金属化预切割铂层分隔清洗制作

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202011630018.1在审
发明人：白杰;尤康 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，所述衬底包括单元区及位于所述单元区外围的外围区；于衬底的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有第一开口图形及第二开口图形，所述第一开口图形位于所述单元区内，以定义出字线沟槽的形状及位置，所述第二开口图形位于所述外围区内，以定义出外围栅极沟槽的形状及位置；基于图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于单元区内形成字线沟槽，并同时于外围区内形成外围栅极沟槽；于字线沟槽内形成埋入式字线，并同时于外围栅极沟槽内形成埋入式栅极本申请在保证外围区内电路栅极尺寸满足电路集成度设计需求的同时，避免增加制成半导体器件的短沟道效应及漏电流。
半导体结构制备方法

[实用新型]防凝露板体和具有其的空调器-CN201520120124.3有效
发明人：关伟盛 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： F24F13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防凝露板体和具有其的空调器，防凝露板体的表面设有防凝露结构，防凝露结构包括：多个沟槽，多个沟槽沿水平方向延伸且沿竖直方向间隔开，每个沟槽内分别设有多个沿其长度方向间隔且突出于沟槽的底面的第一屏障单元；多个凸台，多个凸台沿水平方向延伸且与多个沟槽相间设置，多个凸台上分别设有多个沿其长度方向间隔且突出于凸台的顶面的第二屏障单元，每个沟槽的深度和沿竖直方向延伸的宽度以及每个凸台沿竖直方向延伸的宽度分别为微米级根据本实用新型的防凝露板体，可抑制表面冷凝现象的产生，阻碍冷凝水的滑落，其制造成本低且制造周期短。
防凝露板体具有空调器

[实用新型]水泥磨粗磨仓的衬板-CN201320591371.2有效
发明人：张辉;马文祥;宋家明;李韦达 -专利权人：上海重型机器厂有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B02C17/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水泥磨粗磨仓的衬板，包括衬板体，衬板体的两端厚度相等，衬板体的上表面设有多道沟槽；所述沟槽为圆弧形，沿衬板体的长度方向延伸；其中位于衬板体边缘的沟槽为半圈圆弧；所述沟槽的圆弧半径与粗磨仓研磨体的平均直径相同；所述沟槽的深度为沟槽圆弧半径的0.3倍。本实用新型将衬板型式由波纹衬板改为环沟衬板，不仅能够解决衬板寿命短的问题，还能够降低生产能耗，提高粉磨效率，降低生产成本。
水泥磨粗磨仓

[实用新型]一种预防褥疮的护理床结构-CN201720362062.6有效
发明人：常曜 -专利权人：常曜
申请日： 2017-04-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： A61G7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预防褥疮的护理床结构，包括护理床本体，所述护理床本体的床面上沿纵向间隔设置有多个弹性支撑板，且相邻两个弹性支撑板之间形成容置沟槽；在所述各容置沟槽内均设置有横截面为椭圆形的支撑转柱，且该椭圆形的长轴长度大于所述容置沟槽的深度而小于所述容置沟槽的宽度、所述椭圆形的短轴长度等于所述容置沟槽的深度而小于所述容置沟槽的宽度；在所述支撑转柱的中心贯穿插设有驱动转杆，所述驱动转杆暴露出所述支撑转柱的两端分别设置齿轮
一种预防褥疮护理结构

[实用新型]一种高等级抗震地区用夹心钢筋混凝土砌体-CN201920129401.5有效
发明人：姜龙;苏志刚;景恒勇 -专利权人：河南天久装配式建筑有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： E04C1/00 文献下载
摘要：所述的高等级抗震地区用夹心钢筋混凝土砌体包括内层混凝土砌体，内层混凝土砌体由密度为300‑1950kg/m³的轻集料混凝土、多孔混凝土或大孔混凝土制造而成；还包括外层混凝土壳体、水平沟槽、纵向沟槽、通孔和锚固钢筋，外层混凝土壳体包裹在内层混凝土砌体外表面，水平沟槽设置在内层混凝土砌体外部结构上下两面水平长度方向上，纵向沟槽设置在内层混凝土砌体上下两面纵向短方向上，通孔设置在内层混凝土砌体上下两面水平沟槽与纵向沟槽的交叉部位
混凝土砌体水平沟槽纵向沟槽通孔本实用新型钢筋混凝土外层混凝土锚固钢筋内层砌体抗震建筑技术领域轻集料混凝土水平长度方向多孔混凝土工程造价交叉部位壳体包裹施工作业外部结构捆扎大孔壳体混凝土进度应用制造

[发明专利]一种可控硅芯片及其制造方法-CN201910679982.4有效
发明人：黄富强;李晓锋 -专利权人：浙江里阳半导体有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种可控硅芯片及其制造方法，包括在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结，隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，所述第一沟槽为窄深槽，电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。
一种可控硅芯片及其制造方法

[发明专利]一种带有短料自动送料装置的连续挤压设备-CN201711395793.1有效
发明人：宋宝韫;闫志勇;孙振博;易飞;冷冰 -专利权人：大连康丰科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B21C33/00 文献下载
摘要：提出了一种带有短料自动送料装置的连续挤压设备，挤压轮与压实轮前设置有短料自动送料装置，短料自动送料装置包括料仓、导料管、送料控制装置和杆料驱动装置，料仓位于导料管的上方，料仓下端的出料口与开设于导料管管壁上的开口相连通，导料管的两个开口端分别为杆料进料口和短料出料口，其中短料出料口与挤压轮沟槽的位置对应，送料控制装置与杆料驱动装置电连接，送料控制装置的输出信号用于控制杆料驱动装置按所需的送料间隔驱动杆料在导料管内往复运动，将短料逐根推进挤压轮沟槽内。
一种带有自动装置连续挤压设备

[实用新型]一种带有短料自动送料装置的连续挤压设备-CN201721806458.1有效
发明人：宋宝韫;闫志勇;孙振博;易飞;冷冰 -专利权人：大连康丰科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B21C33/00 文献下载
摘要：提出了一种带有短料自动送料装置的连续挤压设备，挤压轮与压实轮前设置有短料自动送料装置，短料自动送料装置包括料仓、导料管、送料控制装置和杆料驱动装置，料仓位于导料管的上方，料仓下端的出料口与开设于导料管管壁上的开口相连通，导料管的两个开口端分别为杆料进料口和短料出料口，其中短料出料口与挤压轮沟槽的位置对应，送料控制装置与杆料驱动装置电连接，送料控制装置的输出信号用于控制杆料驱动装置按所需的送料间隔驱动杆料在导料管内往复运动，将短料逐根推进挤压轮沟槽内。
短料自动送料装置导料管送料控制装置驱动装置出料口挤压轮杆料料仓连续挤压设备本实用新型挤压生产减少设备开机操作输出信号电连接进料口开口端控制杆驱动杆压实轮导料送料合金自动化开口金属

[发明专利]VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件-CN201510333844.2在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中方法包括：在第一类型的基底内形成辅助沟槽和栅极沟槽，在辅助沟槽内形成第二类型的多晶硅层，在基底内且位于栅极沟槽的两侧形成第一类型的源区，在源区和多晶硅层的上表面形成金属层，源区和多晶硅层通过金属层连接，本发明提供的VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，通过在辅助沟槽内填充多晶硅层，并且利用金属层使得多晶硅层与源区短接，辅助体区耗尽，增加了耗尽层的宽度，从而达到减小器件寄生电容的目的，与现有技术相比，仅需在刻蚀栅极沟槽的同时刻蚀辅助沟槽即可，无需增加工艺步骤，工艺简单。
vdmos 器件制作方法

[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法-CN201911166780.6在审
发明人：曹震;赵嘉璇;邓世超;邵奕霖;于正洋;焦李成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件的特点是：基于超结结构，衬底的材料为元素半导体材料；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层，沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层，并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极；在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构，实现电子电流的双沟道导通，有效降低了器件的导通电阻。
沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应及其制作方法

[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法-CN201911166777.4在审
发明人：曹震;于正洋;赵嘉璇;邵奕霖;邓世超;焦李成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件基于宽带隙材料，漂移区为超结结构；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层，沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层，并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极；在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构，实现电子电流的双沟道导通，有效降低了器件的导通电阻。
沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带半导体场效应及其制作方法