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[发明专利]界面层的形成方法-CN201110130077.7在审
发明人：熊文娟;李俊峰;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种界面层的形成方法，包括：提供衬底；通过热生长，在所述衬底上形成第一厚度的界面层；去除部分界面层，使所述界面层的厚度降低为第二厚度。通过本发明，可以采用目前的任意传统设备来制备出较厚的界面层，而后，去除部分界面层，使其厚度降低为较薄的界面层，都采用现有的设备来实现，而无需增加昂贵的新设备来制备，就能满足高k-金属栅器件对界面层的要求
界面形成方法

[发明专利]界面结构及其形成方法-CN201780064761.5在审
发明人：黄少武;贾维尔·迪拉克鲁兹 -专利权人：英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫可以藉由界面结构彼此电连接和机械连接。界面结构可以包括被动均衡电路，其包括在所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫之间的电阻电路径，以及在所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫之间的电容电路径。所述电阻电路径和所述电容电路径形成等效的并联电阻‑电容(RC)均衡电路。
接触衬垫电路径界面结构电容均衡电路电阻并联电阻第二元件第一元件堆叠结构机械连接电互连电连接堆叠

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202010631016.8在审
发明人：池连赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沉积型界面层；将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；在所述氧化型界面层上形成高k层；在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；在所述高k层上形成导电层；以及使所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层进行图案化，以在所述衬底上形成栅极叠层。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]一种高k栅介质界面优化方法-CN201110149701.8有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本申请公开了一种高k栅介质界面优化方法。该方法包括：提供半导体衬底；去除半导体衬底表面自然氧化层；在半导体衬底上形成界面优化层；在界面优化层上形成界面反应层；在界面反应层上形成介质层；对半导体衬底进行热退火处理，使界面反应层与界面优化层发生反应，减小界面优化层厚度。
一种介质界面优化方法

[外观设计]带体育测量图形用户界面的电脑-CN201930747789.0有效
发明人：蔡广;潘其乐;景晨;邱俊;许汪宇;朱镕鑫 -专利权人：上海体育科学研究所
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：2右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图2的放大图；界面变化状态图3左部放大图和界面变化状态图3右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图3的放大图；界面变化状态图4左部放大图和界面变化状态图4右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图4的放大图；界面变化状态图5左部放大图和界面变化状态图5右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图5的放大图；界面变化状态图6左部放大图和界面变化状态图6右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图6的放大图；界面变化状态图7左部放大图和界面变化状态图7右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图7的放大图；界面变化状态图8左部放大图和界面变化状态图8右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图8的放大图；界面变化状态图9左部放大图和界面变化状态图9右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图9的放大图；界面变化状态图10左部放大图和界面变化状态图10右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图10的放大图；界面变化状态图11左部放大图和界面变化状态图11右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图11的放大图；界面变化状态图12左部放大图和界面变化状态图12右部放大图呈左右结合后形成为界面变化状态图12的放大图；界面变化状态图
体育测量图形用户界面电脑

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610662870.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底；形成伪栅结构；填充介质层；形成注入开口；注入修复离子；去除注入开口底部的氧化层；在露出的核心区鳍部表面形成界面层；进行修复处理，使修复离子修复核心区鳍部与界面层的界面本发明通过在形成去除核心区伪栅结构的伪栅极形成注入开口之后，向注入开口底部氧化层下方的核心区鳍部注入修复离子；之后再形界面层，并通过修复处理，使修复离子修复核心区鳍部与界面层的界面。修复离子能够饱和鳍部表面的悬挂键，从而提高核心区鳍部与界面层之间的界面性能，进而改善所形成半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510125951.6有效
发明人：何永根;禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用氧化处理在所述基底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行含氧氛围下的退火处理形成界面层，所述退火处理的温度高于所述氧化工艺的温度；在所述界面层表面形成介质层采用上述方法可以提高形成的半导体结构中界面层的质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管及其形成方法-CN201410323378.5有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，一种晶体管及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行氮离子掺杂，在所述界面材料层的表面处形成掺杂层；对所述界面材料层进行毫秒级退火处理上述方法可以提高所述界面层与衬底之间的界面质量，以所述界面层作为晶体管的衬底与栅介质层之间的界面层，可以提高晶体管的性能。
半导体结构形成方法晶体管及其

[发明专利]基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法-CN201710661954.0有效
发明人：程新红;王谦;李静杰;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口；制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极。通过上述方案，本发明对MOS电容器的界面进行了优化，在栅介质层与外延层之间引入了界面钝化层，可消除MOS器件界面处不利的界面层，降低了界面密度和界面陷阱，制备方法简单，效果显著，提供了一种有效提高栅介质层与碳化硅界面特性的途径
基于界面钝化 mos 电容器及其制备方法

[外观设计]带有操控图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230455596.X有效
发明人：任富佳;祖畅;钟素萍 -专利权人：杭州老板电器股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：，旋转旋钮以选择模式，选定的模式图标闪烁；长按旋钮，进入设计1界面变化状态图5和设计1界面变化状态图6交替显示形成的预热状态界面；没有预热状态的进入设计1界面变化状态图7和设计1界面变化状态图8交替显示形成的工作状态界面；选定模式后，长按旋钮，进入设计2界面变化状态图5和设计2界面变化状态图6交替显示形成的预热状态界面；没有预热状态的进入设计2界面变化状态图7和设计2界面变化状态图8交替显示形成的工作状态界面；如果选定模式后，点击旋钮，进入设计2界面变化状态图9和设计2界面变化状态图10交替显示形成的时间设置界面；然后点击旋钮，进入设计2界面变化状态图5和设计2界面变化状态图6交替显示形成的预热状态界面。，进入设计3界面变化状态图5和设计3界面变化状态图6交替显示形成的时间设置界面；然后点击旋钮，进入设计3界面变化状态图7和设计3界面变化状态图8交替显示形成的预热状态界面；没有预热状态的进入设计3界面变化状态图9和设计3界面变化状态图10交替显示形成的工作状态界面。
带有操控图形用户界面显示屏幕面板

[外观设计]带有指引用户选择康复治疗床的训练模式的治疗床控制仪-CN202130434313.9有效
发明人：胡大勇 -专利权人：合肥慧加医疗科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：6.图形用户界面的用途：本产品的界面用于显示康复治疗床的训练模式，指引用户操作控制治疗床。7.图形用户界面的变化状态说明：所述主视图界面放大图为治疗床控制仪的主界面；所述界面变化状态图2为点击主视图界面放大图中“高级模式”所在区域后形成的高级模式状态图；所述界面变化状态图2的下拉状态展开图为界面变化状态图2的全视图；所述界面变化状态图3为点击主视图界面放大图中“处方模式”所在区域后形成的处方模式状态图；界面变化状态图4为点击界面变化状态图3中“处方一”所在区域后形成的处方一模式状态图；界面变化状态图5为点击界面变化状态图3中“处方二”所在区域后形成的处方二模式状态图；界面变化状态图6为点击界面变化状态图3中“处方三”所在区域后形成的处方三模式状态图；界面变化状态图7为点击界面变化状态图3中“处方四”所在区域后形成的处方四模式状态图；界面变化状态图8为点击界面变化状态图3中“处方五”所在区域后形成的处方五模式状态图；界面变化状态图9为点击界面变化状态图3中“处方六”所在区域后形成的处方六模式状态图。
带有指引用户选择康复治疗训练模式控制

[发明专利]铜球键合界面结构和形成-CN201410696435.4有效
发明人：图-昂·N·德兰;约翰·G·阿瑟;区彦敬;李巨钟;熊正德;宋美江;叶嘉琳;马修·J·萨皮科 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了铜球键合界面结构和形成。提供了具有铜球(32)的集成电路铜引线键合连接，铜球(32)直接键合到形成于低‑k介电层(30)上的铝键合盘(31)以形成所述铜球的键合界面结构，其特征在于用于提供热循环可靠性的第一多个几何特征，包括位于所述铜球下面的外围位置(42)以防止铝键合盘中裂纹形成或扩展的铝最小值特征(Z1、Z2)。
铜球键合界面结构形成

[发明专利]形成并控制粗糙界面的方法-CN200880001417.2有效
发明人：伯纳德·阿斯帕;克里斯特勒·拉加赫·布兰查德;尼古拉斯·苏萨贝 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物-半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
形成控制粗糙界面方法

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN201810768711.1有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：在衬底上形成界面绝缘层。在界面绝缘层上形成铁电材料层。在铁电材料层上形成包含第一金属元素的界面氧化物层。在界面氧化物层上形成包含第二金属元素的栅电极层。使铁电材料层和界面氧化物层经受结晶化热处理，以形成铁电层和铁电界面层。界面氧化物层与栅电极层反应，使得铁电界面层包含第一金属元素和第二金属元素。
存储器件及其制造方法

[发明专利]界面层的形成方法及金属栅极晶体管的形成方法-CN201310123458.1在审
发明人：何永根;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面层的形成方法及金属栅极晶体管的形成方法，所述界面层的形成方法不同于现有界面层形成方法，前者是先形成高K介质层再形成界面层，具体的是在含有氧化气体的气体氛围中进行退火处理，在退火过程中，在高温环境下的具有较高能量的氧化气体能穿过高K介质层，并扩散到高K介质层与衬底之间的界面处从而与衬底接触，使得衬底与高K介质层接触的表面被氧化从而生长一层界面层。由于界面层是在高K介质层之后形成的，故在形成界面层的过程中能修复高K介质层的某些缺陷，例如，在形成界面层的退火过程中，氧化气体能向高K介质层补充氧原子，使得高K介质层的实际组分更接近其理想化学分子式中对应的组分
界面形成方法金属栅极晶体管

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