专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种仿鲨鱼皮结构雷达吸波超材料及制备方法-CN202310521424.1在审
  • 刘晓明;华宇晨;孙杨阳;傅远翔;余欣燃;王强;杨在清;任志宇;关博文 - 东北大学
  • 2023-05-10 - 2023-08-15 - H01Q17/00
  • 本发明属于柔性吸波超材料领域,具体涉及一种仿鲨鱼皮结构雷达吸波超材料及制备方法。所述材料结构包含上层电阻膜图案、中间层介质和底层为金属电阻膜图案通过磁控溅射技术镀膜在介质上,介质通过oca光学透明胶水与金属实现紧密粘贴,其中电阻膜图案的图案为仿鲨鱼皮结构,具体包括数个仿鲨鱼皮结构单元,每个结构单元包含四个有电阻膜覆盖的长方体仿鲨鱼皮盾鳞结构和数个无电阻膜覆盖的沟槽结构相结合。本发明通过结构参数优化设计,实现雷达波段宽频吸收与隐身功能,克服了传统吸波材料频带窄,密度大等问题,同时具有厚度小、成本低、易调控、制造工艺简单、耐高温等优点,在“薄、轻、宽、强”方面实现了较大的突破。
  • 一种鲨鱼结构雷达吸波超材料制备方法
  • [发明专利]内埋电阻结构及其制作方法-CN202111223404.3在审
  • 何明展;徐筱婷 - 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司;庆鼎精密电子(淮安)有限公司
  • 2021-10-20 - 2023-04-21 - H05K3/30
  • 本申请提出一种内埋电阻结构的制作方法,包括:提供一基材,所述基材包括第一表面及第二表面,所述第一表面与所述第二表面相背设置且均设置有镀铜材料;对所述镀铜材料进行蚀刻,形成镀铜,其中,所述镀铜包括第一镀铜及第二镀铜,所述第一镀铜形成于所述第一表面上,所述第二镀铜形成于所述第二表面上;沿垂直于所述镀铜方向在所述基材上开设若干通孔;至少在所述通孔的内侧壁上形成电阻材料;及形成保护,以得到所述内埋电阻结构。另外本申请还提供一种内埋电阻结构,由所述内埋电阻结构的制作方法所制作。
  • 电阻结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件上的电阻及其制作方法-CN201010100526.9无效
  • 陈菊英;张雷 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-01-25 - 2011-07-27 - H01L27/04
  • 本发明公开了一种半导体器件上的电阻,所述半导体器件上设置有多晶硅栅极结构,所述多晶硅栅极结构包括位于下层的多晶硅和位于上层的WSI,所述电阻包括位于下层的电阻本体和位于上层的端部电极,所述电阻本体为与栅极结构中多晶硅层位于同一面的多晶硅,所述端部电极为与栅极结构中WSI层位于同一面的WSI,所述电阻的周围还设置有起隔离作用的侧墙,所述端部电极向上通过接触孔被引出。本发明还公开了上述电阻的制作方法,在多晶硅栅极结构制作的同步制作电阻。本发明将多晶硅栅极结构的制作和电阻的制作整合在一起,简化了半导体器件上电阻的制作工艺,降低了生产成本,提高了生产效率,并且还能够提高电阻的性能。
  • 半导体器件电阻及其制作方法
  • [发明专利]一种双层沟道结构的突触晶体管-CN202010040658.0在审
  • 霍文星 - 天津大学
  • 2020-01-14 - 2020-05-29 - H01L29/10
  • 本发明公开了一种双层沟道结构的突触晶体管,包括衬底,所述衬底上设置有通过栅绝缘与源电极、漏电极相隔开的栅电极,所述源电极和漏电极在同间隔设置;所述栅绝缘与源电极、漏电极之间设置有低电阻率沟道和高电阻率沟道;所述低电阻率沟道层位于栅绝缘与高电阻率沟道之间,所述低电阻率沟道的厚度为3nm‑10nm;所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道与源电极、漏电极之间,所述高电阻率沟道的厚度为40nm‑100nm本发明旨在提供一种通过在晶体管内设置高低电阻的双层沟道结构,使晶体管的转移特性曲线中制造出存储窗口,实现仿生突触信号。
  • 一种双层沟道结构突触晶体管
  • [实用新型]一种片式大功率电阻的导热及阻燃结构-CN202120779948.7有效
  • 马镇鸿;许潇玲 - 深圳市高微科电子有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-10-22 - H01C1/08
  • 本实用新型公开了一种片式大功率电阻的导热及阻燃结构,涉及片式电阻片技术领域。本实用新型包括片式电阻片和电阻保护机构,电阻保护机构用于对片式电阻片进行保护,电阻保护机构包括绝缘、降温材料、阻燃防火、防潮和保护,绝缘设置在片式电阻片的外侧,用于片式电阻片释放的电能进行隔断,绝缘的外侧设置有阻燃防火,用以隔断火焰,绝缘和阻燃防火之间填充有降温材料,用以对片式电阻片进行降温处理。本实用新型通过设置降温材料能够有效的对片式电阻片进行降温,防止片式电阻片因为受热较大而损坏,通过设置多个熔断体能够有效的在片式电阻片中的电流较大时对电流进行隔断,从而大大的提升装置的安全性。
  • 一种大功率电阻导热阻燃结构
  • [发明专利]多态相变存储器单元器件及其制备方法-CN201610692256.2有效
  • 许震;刘波;高丹;王维维;宋志棠;詹奕鹏 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2016-08-18 - 2019-06-18 - H01L45/00
  • 本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法,包括:上电极;下电极;相变材料结构,位于所述上电极与所述下电极之间;所述相变材料结构包括至少两具有不同电阻值的相变材料,各层所述相变材料之间电学隔离;所述相变材料的一端与所述上电极相连接,另一端与所述下电极相连接。本发明的多态相变存储器单元器件及其制备方法通过在相变材料结构中设置至少两具有不同电阻值的相变材料,可以形成多个具有一定区分度的稳定电阻,通过不同大小的脉冲操作,可以实现多态存储;多态相变存储器单元器件结构中不同相变材料之间的电阻差异,不受热影响,更加稳定;且通过调节不同相变材料电阻值,可以具有更大的电阻区分。
  • 相变存储器单元器件及其制备方法
  • [发明专利]电压非线性电阻元件及其制法-CN201710186997.8有效
  • 石川昌树;早濑彻;小林义政;森本健司 - 日本碍子株式会社
  • 2017-03-27 - 2021-10-26 - H01C7/108
  • 本发明提供一种电压线性电阻元件及其制法,其在氧化锌区域与其它的金属氧化物区域相接的结构的电压非线性电阻元件中,与以往相比增大电压非线性指数。电压非线性电阻元件(10)具备电压非线性电阻体(简称为电阻体)(20)、以及将该电阻体(20)夹在中间的一对电极(14)、(16)。电阻体(20)是将以氧化锌为主要成分的第1(21)、同样地以氧化锌为主要成分的第2(22)、以及以不同于氧化锌的金属氧化物为主要成分的第3(23)进行层叠而得到的结构。第2(22)与第1(21)相接,厚度比第1(21)薄,体积电阻率高于第1(21)。第3(23)与第2(22)相接。
  • 电压非线性电阻元件及其制法
  • [发明专利]一种光学透明宽带高吸波率吸波体-CN202111595371.5在审
  • 蒲彦;姜文;张浩宇;黄善智;高雨辰;洪涛 - 杭州湃腾科技有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-03-25 - H01Q17/00
  • 本发明公开了一种光学透明宽带高吸波率吸波体,由阵列排布的N×M个吸波体单元组成;吸波体单元包括顶层PET介质、中间层PET介质、底层PET介质和中间空气层;每层介质包括介质板和印刷于介质板上的图案化ITO电阻,底层PET介质上还包括底层ITO电阻;顶层PET介质的ITO电阻图案为正方形弯折环结构;中间层PET介质ITO电阻的图案为正八边形环与内部叉指结构;底层PET介质ITO电阻的图案为正方形环结构;吸波体单元通过不同尺寸的结构多频点叠加,实现在宽频带内的兼顾宽带且高效率吸波与高透光率,并拥有良好的RCS减缩性能。
  • 一种光学透明宽带高吸波率吸波体
  • [发明专利]一种精密电流感测元件及制造方法-CN201110273328.7有效
  • 唐彬;杨漫雪;南式荣 - 南京萨特科技发展有限公司
  • 2011-09-15 - 2012-02-15 - H01C3/00
  • 本发明属于精密电流感测元件领域,具体涉及一种具有散热的多层结构精密电流感测元件的结构及制造方法。所说多层结构精密电流感测元件,包括电阻体、散热片、电极、绝缘导热胶、导通孔和保护。该精密电流感测元件包含至少一电阻体与两散热片,散热片中间设有一个绝缘狭缝。金属与金属之间设有一绝缘导热胶,产品两边设有电极,电极与电阻体及散热片均形成连接,电极上设有一个导通孔,导通孔与电阻体及散热片均形成连接。该制造方法把厚的电阻体分解成若干个薄的电阻体,先在薄的电阻体上进行修阻,再把合金片并联;每个电阻体都至少有一块散热片来帮助散热,大大提升产品的散热特性,本发明的外层可以覆盖一保护。实用性强。
  • 一种精密流感元件制造方法

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