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[发明专利]一种半导体功率器件及制备方法-CN201910803935.6在审
发明人：史波;曾丹;肖婷;敖利波;刘勇强 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件及制备方法，该半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。
一种半导体功率器件制备方法

[发明专利]一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器-CN202111251494.7有效
发明人：黄晓东;张鹏飞;王广猛;熊强;李宇翱;张志强 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿
一种实现可靠性测试阻值偏差补偿压阻式传感器

[实用新型]一种半导体功率器件-CN201921418921.4有效
发明人：史波;曾丹;肖婷;敖利波;刘勇强 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。
一种半导体功率器件

[实用新型]复合式位移传感器基体-CN201520842154.5有效
发明人：陈昌健 -专利权人：上海科闵电子科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合式位移传感器基体，其包括弹簧滚珠、第一电阻层、隔离层、第二电阻层、双面胶层，隔离层位于第一电阻层和第二电阻层之间，弹簧滚珠位于第一电阻层上，双面胶层位于第二电阻层上。本实用新型复合式位移传感器基体的结构简单，成本低。
复合位移传感器基体

[发明专利]一种阵列基板、测试方法以及显示装置-CN202011243400.7有效
发明人：蔡振飞 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请的阵列基板中多晶硅层具有相对设置的第一面和第二面，多晶硅层形成有第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第八电阻。层间介质层设置在所述第一面，层间介质层设有过孔。金属层设置在层间介质层远离多晶硅层的一面，金属层形成有金属走线结构，金属走线结构包括相对设置的第一段和第二段以及相对设置的第三段和第四段，第一段和第二段通过第三段和第四段连接。其中，第一段穿过过孔连接第一电阻和第二电阻，第二段穿过过孔连接第三电阻和第四电阻，第三段穿过过孔连接第五电阻和第六电阻，第四段穿过过孔连接第七电阻和第八电阻。本申请可以通过电阻值的变化，得到阵列基板的弯折区承受的应力大小。
一种阵列测试方法以及显示装置

[发明专利]一种隐身与电加热一体化复合结构-CN202310441864.6在审
发明人：庞永强;张浩军;屈冰玥;孙瑜;杨佳恒;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料技术领域，具体涉及一种隐身与电加热一体化复合结构，包括自下而上依次设置的导电反射层、绝缘层、电阻丝和透波介质穿刺复合层、表面透波层；电阻丝和透波介质穿刺复合层为编码结构单元I和编码结构单元II交错排列构成的M×M阵列结构；编码结构单元I是由多条电阻细丝I在透波介质表面平行排列构成的正方形阵列结构，编码结构单元II是由多条电阻细丝II在透波介质表面平行构成的正方形阵列结构；电阻细丝I和电阻细丝II垂直；其中，M为偶数；编码结构单元Ⅰ和编码结构单元Ⅱ尺寸相同且数量相等；电阻细丝I和电阻细丝II尺寸相同。本发明结构简单，与常规复合材料结构兼容，解决了隐身与电加热一体化的问题。
一种隐身加热一体化复合结构

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201110304750.4无效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属栅制程中电阻的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层；去除一部分所述高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层，从而形成电阻区域和栅极结构区域；在所述半导体基底上沉积第一层间电介质，并实施化学机械研磨步骤；去除一部分所述电阻区域和栅极结构区域的多晶硅材料层；在所述电阻区域和栅极结构区域沉积第二金属层；在所述多晶硅材料层、第一层间介电层以及第二金属层上沉积第二层间电介质；在所述电阻区域和栅极结构区域的第二金属层上形成接触孔。本发明还涉及一种半导体器件，包括半导体基底，所述半导体基底包括电阻区域和有源区域；还包括位于所述有源区域的高介电常数金属栅极和位于所述电阻区域的电阻器。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种微热盘及其制造方法-CN201710128204.7在审
发明人：雷鸣 -专利权人：武汉微纳传感技术有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H05B3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种微热盘及其制造方法，属于微型加热盘技术领域，它包括衬底、第一绝缘支撑层、电阻加热层、第二绝缘支撑层，第一绝缘支撑层设置在衬底上，电阻加热层设置在第一绝缘支撑层上，第二绝缘支撑层设置在第一绝缘支撑层上，且完全覆盖在电阻加热层上方，并开通孔设置有一组引线键合区。所述第一绝缘支撑层、电阻加热层、第二绝缘支撑层形成三明治结构，电阻加热层的侧壁边界轮廓具有1‑60°倾斜结构，所述电阻加热层的侧壁边界轮廓具有平滑过渡形貌结构。本发明提供一种微热盘结构及其制造方法，克服现有技术方案中存在的不足，其可以承受较高的工作温度，结构应力小，工作可靠性显著提高，适用于产品进一步小型化。
一种微热盘及其制造方法

[发明专利]磁场检测装置及其制造方法-CN200610084417.6有效
发明人：古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件
磁场检测装置及其制造方法

[发明专利]具有上覆栅极结构的鳍式电阻器-CN201511000313.8在审
发明人： J·辛格 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置，包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法，包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。
具有栅极结构电阻器

[发明专利]具有散热结构的传感器芯片及其制造方法-CN202110493093.6在审
发明人：苏卫国;周刚;李昆 -专利权人：无锡必创传感科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有散热结构的传感器芯片及其制造方法，该传感器芯片包括：传感器芯片基体，其中含有应变电阻区；高导热结构层，覆盖于应变电阻区所对应位置的传感器芯片基体表面。本发明中，高导热结构层与应变电阻区之间在结构上相层叠，在传感器芯片工作时，电流通过应变电阻区使得应变电阻区所产生的热量能够透过高导热结构层和应变电阻区之间的层间介质层而传导至高导热结构层，高导热结构层利用其高导热材料的性能和其中所设计的凸台阵列结构所增加的表面积，加快了热量通过散热窗口向外的散发，从而实现了对应变电阻区的有效散热，本发明能够有效地降低传感器芯片的热阻，增强了传感器芯片的热稳定性。
具有散热结构传感器芯片及其制造方法

[发明专利]一种定子线棒防晕结构及其成型方法-CN202310505076.9在审
发明人：黄绍波;张小俊;梁智明;胡波;刁明勇;刘伟;徐勇;周进 -专利权人：东方电气（德阳）电动机技术有限责任公司;东方电气集团东方电机有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02K3/40 文献下载
摘要：本发明涉及电机设计技术领域，公开了一种定子线棒防晕结构及其成型方法，该结构，包括定子线棒、套设于定子线棒外的低电阻防晕层、套设于低电阻防晕层外的内层高电阻防晕层、套设于内层高电阻防晕层外的防晕保护层、套设于防晕保护层外的外层保护层；若定子线棒所属机组额定电压＜15.75kV，外层保护层为耐电弧红瓷漆层；若定子线棒所属机组额定电压≥15.75kV，外层保护层为外层高电阻防晕层；其中，低电阻指电阻值为500Ω～50000Ω，高电阻指电阻值为
一种定子线棒防晕结构及其成型方法

[发明专利]基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法-CN202211510392.7在审
发明人：程博;王俊鹏;尹生;娄朝辉;刘晓宁;陈园胜 -专利权人：航天科工武汉磁电有限责任公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多层电阻膜的宽带吸波结构及制备方法，该结构包括底部的金属层，其上依次交叉层叠设置间隔支撑层和电阻膜层，最上层的电阻膜层包含一个十字型结构和一个中部空心的方环结构，其余电阻膜层为方片结构；间隔支撑层的厚度为5~9mm，电阻膜层的方阻为162~343Ohm/sq。该吸波结构具备优异低频的吸波性能，在1.5GHz~2.4GHz内，反射损失小于‑15dB，且在1.4GHz~18.6GHz内，能保持反射损失小于‑12.5dB。
基于多层电阻宽带结构制备方法

[发明专利]一种柔性GMR磁场传感器及其制备方法-CN202010113228.7在审
发明人：刘明;胡忠强;王志广;周子尧;段君宝;王立乾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种柔性GMR磁场传感器及其制备方法，包括柔性基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在柔性基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在柔性基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明实现了使用超薄柔性基底对巨磁电阻结构的多层磁性传感器薄膜能够实现曲率半径为微米级的弯折上万次而不产生疲劳，同时可以减小器件面积来实现高密度的芯片集成，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好
一种柔性 gmr 磁场传感器及其制备方法

[发明专利]电阻式存储器装置及电阻式存储器装置的制造方法-CN202211000694.X在审
发明人：姜仁求 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：提供了电阻式存储器装置及电阻式存储器装置的制造方法。该电阻式存储器装置包括：层叠结构，其中交替地层叠有多个层间绝缘层和多个导电层；孔，其在垂直方向上贯穿层叠结构；以及栅极绝缘层、沟道层和可变电阻层，其沿着多个导电层的与孔相邻的侧壁和多个层间绝缘层的与孔相邻的侧壁形成
电阻存储器装置制造方法