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[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN201910114113.7有效
发明人：霍宗亮;薛家倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述形成方法包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，所述堆叠结构中具有第一沟道孔和第二沟道孔，所述第二沟道孔与第一沟道孔连通，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在所述第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶；在所述第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；在所述沟道孔牺牲层上形成保护层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的保护层、沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成暴露出半导体外延层的表面的开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。
nand 存储器及其形成方法

[发明专利]升压式电荷泵-CN201310431444.6有效
发明人：刘楠;庄在龙 -专利权人：江苏芯创意电子科技有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种升压式电荷泵包括至少一第一电荷汲取单元、一第二电荷汲取单元及输出存储电容，第一电荷汲取单元包括第一电荷泵电容、第一输出PMOS晶体管及至少一充电时钟信号端，第二电荷汲取单元包括第二电荷泵电容、第二输出PMOS晶体管及至少一充电时钟信号端；第一输出PMOS晶体管与第二输出PMOS晶体管相互作用，并分别根据充电时钟信号而导通或切断，从而第一、第二电荷泵电容周期性对输出存储电容充电。通过各电荷汲取单元中输出PMOS晶体管相互间的巧妙连接，有效降低了设计复杂度，同时获得相同的输出电压性能，有效满足设计要点要求；在一个周期内至少两次对输出存储电容充电，其纹波比传统结构要小得多，得到了更优的输出特性
升压电荷

[实用新型]升压式电荷泵-CN201320583615.2有效
发明人：刘楠;庄在龙 -专利权人：江苏芯创意电子科技有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种升压式电荷泵包括至少一第一电荷汲取单元、一第二电荷汲取单元及输出存储电容，第一电荷汲取单元包括第一电荷泵电容、第一输出PMOS晶体管及至少一充电时钟信号端，第二电荷汲取单元包括第二电荷泵电容、第二输出PMOS晶体管及至少一充电时钟信号端；第一输出PMOS晶体管与第二输出PMOS晶体管相互作用，并分别根据充电时钟信号而导通或切断，从而第一、第二电荷泵电容周期性对输出存储电容充电。通过各电荷汲取单元中输出PMOS晶体管相互间的巧妙连接，有效降低了设计复杂度，同时获得相同的输出电压性能，有效满足设计要点要求；在一个周期内至少两次对输出存储电容充电，其纹波比传统结构要小得多，得到了更优的输出特性
升压电荷

[发明专利]残留影像消除电路-CN03132675.7有效
发明人：石安;翁文龙;陈建志;孟昭宇 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：一种残留影像消除电路，其包括二极管、电荷存储器件以及隔绝元件。该电荷存储器件当电压转换器提供电源时存储电荷，而在电压转换器突然中止提供电源时，释出所存储的电荷。而由于隔绝元件为P型晶体管，所以其在电压转换器突然中止提供电源时将导通，使得电荷能经由隔绝元件到达栅极驱动电路的栅极驱动线上，并提高栅极驱动线上的电位，而导通开关元件，此时，影像电荷存储器件即可将存储的影像电荷释出到数据驱动线上
残留影像消除电路

[发明专利]一种模拟模块、肢体模拟装置以及虚拟设备-CN201910007909.2有效
发明人：韩鹏;张浩;陈丽莉;陆原介;雷雨;何惠东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟模块、肢体模拟装置以及虚拟设备，该模拟模块包括模块主体，所述模块主体连接有充电电路以及释放电路，所述模块主体内设有存储腔体，所述充电电路用于向所述存储腔体内输入电荷，所述释放电路用于将所述电荷输出，所述模块主体受到肢体挤压，将所述存储腔体内的电荷通过所述释放电路输出；本发明结构简单，并能够准确的模拟肢体动作。
一种模拟模块肢体装置以及虚拟设备

[发明专利]存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN201880077048.9在审
发明人：金昌汉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有导电栅极，并且具有邻近于所述导电栅极的电荷阻挡区域。所述电荷阻挡区域包含氮氧化硅和二氧化硅。电荷存储区域邻近于所述电荷阻挡区域。隧穿材料邻近于所述电荷存储区域。沟道材料邻近于所述隧穿材料。所述隧穿材料位于所述沟道材料与所述电荷存储区域之间。一些实施例包含存储器阵列。一些实施例包含形成组合件(例如，存储器阵列)的方法。
存储器单元阵列以及形成方法

[发明专利]存储器的供电结构-CN201010187365.1有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明的存储器的供电结构包括电荷泵、读出电压调节器、一个去耦电容和MOS晶体管；所述电荷泵的输入端与外部芯片电源连接；所述读出电压调节器的输出端连接所述MOS晶体管的漏极；所述MOS晶体管的源极、所述电荷泵的输出端分别与所述去耦电容的一端连接，该去耦电容的另一端接地；所述电荷泵的输出端连接存储器；所述MOS晶体管的栅极连接一写入信号；所述写入信号控制所述MOS晶体管导通或者断开，从而切换所述去耦电容与所述电荷泵接通或者所述去耦电容与所述读出电压调节器接通本发明的存储器的供电结构省去一个去耦电容，减小了该结构的面积。
存储器供电结构

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN201911414991.7有效
发明人：刘沙沙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括位于沟道柱侧壁的功能层以及沟道层；硅槽，通过去除沟道柱底部的功能层形成；外延层，位于硅槽内；硅槽两侧的表面屏幕在栅叠层结构中最下面的两层栅极导体的表面平面之间；部分沟道层位于硅槽内。本发明实施例中去除沟道孔底部的功能层形成硅槽，在硅槽内形成外延层；功能层由于没有拐角，仅位于沟道孔的侧壁上，提高电荷存储层的电荷束缚能力，避免电荷存储层上的电荷泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的底部选择栅极的阈值电压的稳定性
存储器件及其制造方法

[发明专利]具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器-CN201410509020.1有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器，该存储器包括一栅极、一通道材料、以及一介电叠层。通道材料具有一通道表面以及一通道价带边缘。介电叠层是位于栅极与通道表面之间。介电叠层包括一多层隧穿结构、一第一电荷储存氮化物层、一第一阻挡介电层、一第二电荷储存氮化物层、以及一第二阻挡氧化物层。多层隧穿结构是位于通道表面上。第一电荷储存氮化物层是位于该多层隧穿结构上。第一阻挡氧化物层是位于第一电荷储存氮化物层上。第二电荷储存氮化物层是位于该第一阻挡介电层上。第二阻挡氧化物层是位于第二电荷储存氮化物层上。
具有用以储存电荷工程存储器

[发明专利]一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法-CN201810113819.7有效
发明人：张金平;赵倩;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于半导体功率器件技术领域。通过加宽传统沟槽栅结构并采用侧墙栅电极结构形成位于基区下方的台面(mesa)结构，以及引入屏蔽电荷存储层电场的屏蔽沟槽结构，增大了载流子注入增强效应，改善了正向导通压降V_ceon和关断损耗E_off之间的折中；缓解了沟槽底部尖角处的电场集中效应，有效提高了器件的击穿电压；降低了器件的栅电容尤其是密勒电容C_GC以及栅电荷Q_G，提高了器件的开关速度、降低了器件的开关损耗和对栅驱动电路能力的要求；避免了N型电荷存储层掺杂浓度和厚度对器件耐压的限制；降低了饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区(SCSOA)；并且有效抑制了器件导通时的此外，本发明提供的制作方法与传统沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法兼容。
电荷存储层传统沟槽电荷存储沟槽栅栅电荷屏蔽制作载流子半导体功率器件短路安全工作区电场集中效应正向导通压降栅电极结构电场沟槽结构关断损耗击穿电压开关损耗密勒电容驱动电路有效抑制存储型栅电容栅结构台面侧墙导通对栅基区加宽尖角耐压饱和掺杂兼容引入缓解

[发明专利]一种像素结构-CN201880026142.1有效
发明人： D·范德克;里克·帕森 -专利权人：齐诺马蒂赛股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在通过距离选通来确定与对象的距离的系统中使用的像素，所述像素包括：第一电荷存储阱(221)和第二电荷存储阱(222)，用于累积代表在相应的成组的曝光间隔期间入射在所述像素上的光量的电荷，其中所述第一电荷存储阱(221)的电荷容量比所述第二电荷存储阱(222)的电荷容量大至少50％。
一种像素结构

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010349737.X有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制备方法。方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括形成于衬底的表面的叠层结构；刻蚀所述叠层结构以形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；以及在所述沟道孔的侧壁依次形成阻挡层、电荷捕获层和隧穿层，其中，所述隧穿层位于所述沟道孔的顶部和底部的部分与所述阻挡层抵接以使所述电荷捕获层被所述隧穿层和所述阻挡层包围本申请的技术方案解决了现有技术中具有横向扩展的沟道插塞中，电荷易从电荷捕获层扩散出去，使得电荷在沟道插塞处聚集的的风险大大增加，影响三维存储器的可靠性的问题。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110523826.6有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制备方法。方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括形成于衬底的表面的叠层结构；刻蚀所述叠层结构以形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；以及在所述沟道孔的侧壁依次形成阻挡层、电荷捕获层和隧穿层，其中，所述隧穿层位于所述沟道孔的顶部和底部的部分与所述阻挡层抵接以使所述电荷捕获层被所述隧穿层和所述阻挡层包围本申请的技术方案解决了现有技术中具有横向扩展的沟道插塞中，电荷易从电荷捕获层扩散出去，使得电荷在沟道插塞处聚集的的风险大大增加，影响三维存储器的可靠性的问题。
三维存储器及其制备方法

[实用新型]高动态范围图像传感器像素电路-CN202121945777.7有效
发明人：郭同辉 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种高动态范围图像传感器像素电路，属于传感器领域，通过光电转换元件接收光信号以产生电荷；电荷存储转移电路根据电荷输出信号对电荷进行存储以生成积分电荷信号，并根据控制选择信号将积分电荷信号输出；所述电荷输出信号为包括n个周期的调制信号，且自第1个周期至第n个周期，各周期对应的时长均不同；释放电路至少在电荷存储转移电路对电荷进行存储以生成积分电荷信号的过程中根据弱关闭信号释放光电转换元件产生的部分电荷；电荷读出电路根据积分电荷信号输出电信号
动态范围图像传感器像素电路

[发明专利]氮化硅只读存储器及其制造方法-CN02158676.4有效
发明人：张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种氮化硅只读存储器，此氮化硅只读存储器是由设置于基底上的控制栅极、设置于控制栅极两侧的基底中的源极区与漏极区、设置于控制栅极与基底之间的电荷陷入层与设置于电荷陷入层下方及源极区与漏极区之间的基底中的通道区所构成其中电荷陷入层中具有隔离区，且此隔离区使电荷陷入层分离成源极区电荷陷入区块与漏极区电荷陷入区块，而成为一双位结构。
氮化只读存储器及其制造方法