|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2859530个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]功率模块和电机控制器-CN202222066374.6有效
-
方勇;吴一凡;秦龙
-
合肥阳光电动力科技有限公司
-
2022-08-05
-
2023-02-21
-
H01L23/473
- 本实用新型公开一种功率模块和电机控制器,其中,功率模块包括外壳、IGBT模块以及封装电容;外壳包括第一壳体和第二壳体,第一壳体内形成有安装槽,第二壳体内形成有水冷槽,第一壳体和第二壳体为金属件,并为一体成型结构;IGBT模块设于水冷槽的开口;封装电容包括电容和叠层母排,电容设于安装槽内,叠层母排设于第一壳体靠近第二壳体的一侧,叠层母排的一端与电容电连接,另一端与IGBT模块电连接。本实用新型技术方案确保了IGBT正极铜排与电容叠层正极母排有效搭接以及焊接可靠,实现了功率模块内叠层母线与IGBT焊接后的受力均匀,提高二者连接的稳定性。
- 功率模块电机控制器
- [发明专利]电容阵列结构及其形成方法-CN201910898779.6有效
-
吴晗
-
长鑫存储技术有限公司
-
2019-09-23
-
2023-01-24
-
H10B12/00
- 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的叠层以及贯穿所述叠层、且呈阵列排布的电容孔,所述叠层包括交替排列的牺牲层和支撑层;形成硬掩模层于所述基底表面,所述硬掩模层中具有多个开口,每一所述开口与若干个所述电容孔交叠,所述开口截所述电容孔的边线长均相等或所述开口与所述电容孔的交叠面积均相等;沿所述开口去除所述牺牲层。本发明增大了工艺窗口,有助于提高开口精度,从而实现对电容阵列结构形成工艺的简化,降低电容阵列结构的制造难度。
- 电容阵列结构及其形成方法
- [发明专利]单板电容器元件和叠层型固体电解电容器-CN99800899.0有效
-
仁藤洋;南田涉;坂井厚;市村孝志
-
昭和电工株式会社
-
1999-06-10
-
2004-06-16
-
H01G9/15
- 本发明提供一种合格率、性能都优良的叠层型固体电解电容器、制造该电容器用的单板电容器元件。本发明的叠层型固体电解电容器(25),是由多个单板电容器元件(7)中的阳极部(11)沿同一方向对齐而以叠层的方式固定于阳极长引线框(9)上,阴极部从阳极部(11)一侧朝向阴极部前端呈扇形状,以叠层的方式固定于阴极侧引线框(8)上,由此形成叠层电容器元件(19),该元件(19)的周围通过外表涂敷树脂(23)密封而制成。单板电容器元件(7)具有电介质氧化表膜层(2)的阳极基体(1)的端部形成阳极部(11),在除了该阳极部(11)以外的部分的电介质氧化表膜层(2)上形成固体电解质层(4),该层(4)上形成导电体层(5,6
- 单板电容器元件叠层型固体电解电容器
- [发明专利]双面电容结构及其形成方法-CN202010123241.0有效
-
陆勇
-
长鑫存储技术有限公司
-
2020-02-27
-
2022-06-10
-
H01L49/02
- 本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤:提供一基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔,所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层;依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁;填充第一导电材料于所述电容孔内,形成第一导电填充层;完全去除若干层牺牲层和/或支撑层,使得至少残留两层支撑层;形成第二电介质层、以及覆盖与所述第二电介质层表面的第三电极层本发明减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险,同时有助于增大电容器的电容值。
- 双面电容结构及其形成方法
|