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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高电子移动率晶体管与其制作方法-CN201910618705.2在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子移动率晶体管与其制作方法，其中该高电子移动率晶体管包括：主动区、缓冲层，位于该主动区上、通道层，位于该缓冲层上、阻障层，位于该通道层上、以及栅极、源极与漏极，位于该阻障层上、以及沟槽隔离结构，邻接并围绕该通道层以及该阻障层，以施加应力来改变该高电子移动率晶体管的二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)。
电子移动晶体管与其制作方法

[发明专利]增进效能的垂直装置及其形成方法-CN201710832240.1有效
发明人： E·J·诺瓦克;R·R·罗比森;B·A·安德森 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：带应变介电层横向毗邻垂直FET的栅极，这增加该通道区内的电荷载子移动率且改善效能。在垂直n型FET(NFET)中，应变为压缩型以改善垂直NFET内的电流方向所给定的电子移动率；然而，在垂直p型FET(PFET)中，应变为拉伸型以改善在垂直PFET内的电流方向所给定的空穴移动率。可选择地，垂直FET相对于它形成于其上的半导体晶圆的表面平面的取向也针对最佳电荷载子移动率加以预先计画成为FET的类型(亦即，NFET或PFET)的函数，且从而增强效能。
增进效能垂直装置及其形成方法

[发明专利]增强式高电子移动率晶体管及其制造方法-CN201010265787.6有效
发明人：张翼;张嘉华;林岳钦 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示一种增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，其包括：一缓冲层，磊晶于一基板上；一源级及漏极，形成于该缓冲层上；多个P-N接面，其是由多层堆栈的P-N接面形成于该缓冲层上、及该源级与漏极之间；及一栅极本发明的增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，可改善现有技术的深凹陷式栅极结构或四氟化碳等离子处理方式制作增强式氮化镓晶体管效能不佳的问题。并大幅提高增强式高电子移动率晶体管的临限电压。
增强电子移动晶体管及其制造方法

[发明专利]三维半导体结构及其制作方法-CN201910862593.5有效
发明人：邱永振;薛胜元;李国兴;吴建良;康智凯;黄冠凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开一种三维半导体结构及其制作方法，其中该三维半导体装置包含一缓冲层、一n型高电子移动率晶体管设置在该缓冲层的第一表面上、以及一p型高空穴移动率晶体管设置在该缓冲层与该第一表面相对的第二表面上。
三维半导体结构及其制作方法

[发明专利]高电子移动率晶体管及其制造方法-CN201910565684.2在审
发明人：杜尚儒;刘家呈;张宗正;杨亚谕;沈豫俊;綦振瀛 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子移动率晶体管及其制造方法，其中该高电子移动率晶体管包含一基板；一通道层，形成于基板上；一阻障层，形成于通道层上，其中一二维电子气形成在通道层的邻近阻障层的一侧；一源极电极及一漏极电极
阻障层耗尽层通道层电子移动率漏极电极源极电极晶体管基板维电子气栅极电极氮化硼氧化锌邻近制造

[发明专利]在高速下行链路分组接入中无线电资源控制信令的信道选择方法-CN200680032113.3有效
发明人： B·林多夫;J·尼尔森 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：一种无线电网络控制器(RNC)经配置以使用所选下行链路信道来发送无线电资源控制(RRC)消息至移动站。依据该移动站的移动率，该RNC经配置以配置信令连接，以使用第一下行链路信道或第二下行链路信道进行传输该RRC消息。根据一项具体实施例，该RNC在该移动站具有高移动率时选择专用信道，并且在该移动站具有低移动率时选择共享信道。
高速下行分组接入无线电资源控制信道选择方法

[发明专利]身份标识与位置标识分离的终端位置信息更新方法及系统-CN201410439639.X有效
发明人：兰巨龙;刘彩霞;葛国栋;郭云飞;胡宇翔;赵星;卜佑军;赵靓 -专利权人：中国人民解放军信息工程大学
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H04L29/12 文献下载
摘要：所述方法包括获取终端在单位时间内的被请求次数和切换次数；根据所述被请求次数和切换次数确定所述终端的解析移动率；当所述解析移动率小于第一阈值时，采用移动更新模式对所述终端的位置信息进行更新；当所述解析移动率大于第一阈值且小于第二阈值时，采用均衡传输模式对所述终端的位置信息进行更新；当所述解析移动率大于第二阈值时，采用解析查询模式对所述终端的位置信息进行更新；其中，所述第一阈值小于所述第二阈值。采用本发明的方法或系统，可以在确保移动终端的位置信息可以被解析的前提下，提高对于移动终端的位置更新效率。
身份标识位置分离终端信息更新方法系统

[发明专利]高电子移动率晶体管-CN201810026948.2有效
发明人：林鑫成;林信志;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子移动率晶体管，包括：缓冲层位于基板上；临界电压调整层位于缓冲层上；通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与临界电压调整层的介面；能带调整层，位于临界电压调整层上；第一增强层，顺应性地覆盖于临界电压调整层及能带调整层上
电子移动晶体管

[发明专利]信息处理装置、方法及程序-CN201180040888.6有效
发明人：石川孝光;河野良辅;足立达哉 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G06Q50/00 文献下载
摘要：获取顾客的移动率以支持与吸引顾客相关的市场策略。总体提取单元281从生物信息数据库22所包括的多条信息中提取其中记录有过去安装游艺机的多个机种其中之一的游戏的人数作为总体人数。移动率计算结果输出单元283计算生物信息数据库22所包括的多条信息中使用当前安装游艺机中除了获得总体的游艺机机种之外的其他机种的人数与所述总体之比作为移动率。本发明能够应用于分析顾客动向的装置。
信息处理装置方法程序

[发明专利]船体分段堆场的调度方法及装置-CN201811436965.X在审
发明人：陶宁蓉;杨男 -专利权人：上海海洋大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明实施例涉及航运技术领域，公开了一种船体分段堆场的调度方法，该方法包括：为进入分段堆场的分段分配堆位，建立第一分段临时移动率模型；求解第一分段临时移动率模型；其中，所述第一分段临时移动率模型的目标函数为计划期内的所有分段进场和出场操作时的在场分段临时移动次数
船体分段堆场调度方法装置

[发明专利]半导体装置-CN201480075282.X有效
发明人：木村圭佑;龟山悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-08 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：体区与阳极区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。阳极区与集电区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。集电区的端部与体区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。
半导体装置

[发明专利]高电子移动率晶体管及其形成方法-CN201811037757.2有效
发明人：周钰杰;林信志;洪章响 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高电子移动率晶体管及其形成方法，高电子移动率晶体管包括：缓冲层位于基板上；阻障层位于缓冲层上，通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与阻障层的界面；能带调整层位于阻障层上，由上而下包括第一能带调整层
电子移动晶体管及其形成方法

[发明专利]图像处理装置、摄像装置、图像处理方法及图像处理程序-CN201380065854.1有效
发明人：井上和纪 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G02B7/28 文献下载
摘要：提供图像处理装置、摄像装置、图像处理方法及图像处理程序，能够迅速地进行聚焦透镜向对焦位置的高精度的移动。CPU(12)具有：确定部(12A)，基于对表示被认为是对焦状态的容许范围的深度进行规定的因素及由视差计算部算出的视差来确定操作移动率；及控制部(12B)，进行以下控制：使聚焦透镜移动与基于由确定部(12A)确定的操作移动率和操作量而确定的移动量相当的量。
图像处理装置摄像方法程序

[发明专利]量测高电子移动率晶体管之装置-CN202210062968.1在审
发明人：陈钰林;周春华;李思超;林文杰;章涛 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种用于量测半导体组件的装置，包括控制器、控制器、保护电路、负载电路及切换电路。切换电路电连接于负载电路与保护电路之间。保护电路的输入阻抗大于切换电路开启时的阻抗。保护电路的输入阻抗小于切换电路关闭时的阻抗。控制器经组态以在第一时间点提供第一控制讯号至半导体组件及在第二时间点提供第二控制讯号至切换电路。半导体组件藉由第一控制讯号开启。切换电路藉由第二控制讯号开启。第一时间点早于第二时间点，使得半导体组件的开通时间点早于切换电路的开通时间点。切换电路的开通状态的维持时间与半导体组件的开通状态的维持时间重迭。半导体组件的开通状态的维持时间大于切换电路的开通状态的维持时间。
测高电子移动晶体管装置

[发明专利]高空穴移动率晶体管-CN201710844740.7有效
发明人：陈富信;林永豪;林鑫成;林信志;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的界面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极本发明可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。
空穴移动晶体管

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