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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200580045165.X无效
发明人：盖尔·格伦;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜
半导体装置制造方法

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010215746.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向上依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向上依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括GaSb膜层，所述GaSb膜层层叠在牺牲膜层上面；或所述GaSb膜层层叠在银膜层和电介质膜层之间；或所述GaSb膜层层叠在牺牲膜层上面，同时所述GaSb膜层还层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间
一种薄膜器件

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010215753.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、底层电介质膜层、膜层组件和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的银膜层、牺牲膜层和电介质膜层，或所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的牺牲膜层、银膜层和电介质膜层，所述膜层组件还包括AgLa膜层，所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间；或所述AgLa膜层层叠在银膜层下面；或所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间，同时所述AgLa膜层还层叠在银膜层下面
一种薄膜器件

[发明专利]电子部件-CN202011550264.6有效
发明人：大桥武;户田慎一郎;楠大辉;大塚隆史;吉川和弘;吉田健一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01G4/40 文献下载
摘要：防止下部电极和电感器图案与电介质膜的界面剥离且降低电感器图案的电阻值。电子部件(1)具有：包含为下部电极的导体图案(15)和为第一电感器图案的导体图案(16)的导体层(M1)；覆盖导体图案(15)的电介质膜(4)；隔着电介质膜(4)层叠于下部电极且为上部电极的导体图案(18)；覆盖导体层(M1)、电介质膜(4)和导体图案(18)的绝缘层(6)；设置于绝缘层(6)上且包含为第二电感器图案的导体图案(26)的导体层(M2)，导体图案(16)、(26)经由贯通绝缘层(6)设置的通孔导体并联连接由于第一和第二电感器图案并联连接，可防止下部电极和电感器图案与电介质膜的界面剥离且降低电感器图案的电阻值。
电子部件

[发明专利]电子部件及其制造方法-CN202110691163.9有效
发明人：桑岛一;大塚隆史;大桥武;奥山祐一郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：电子部件(1)具备：平坦化层(3)，覆盖基板(2)的表面；导体层(M1)，设置于平坦化层(3)上，包含下部电极；电介质膜(4)，由与平坦化层(3)不同的材料构成，覆盖平坦化层(3)及导体层(M1)；上部电极，经由电介质膜(4)层叠于下部电极；以及绝缘层(I1)，覆盖导体层(M1)、电介质膜(4)以及上部电极。绝缘层(I1)的外周部不经由电介质膜(4)而与平坦化层(3)相接。这样，由于绝缘层(I1)的外周部与平坦化层(3)相接，因此作为平坦化层(3)的材料，通过选择相对于绝缘层(I1)的密合性比电介质膜(4)低的材料，能够在该部分释放由温度变化引起的内部应力。
电子部件及其制造方法

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020390281.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、底层电介质膜层、膜层组件和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的银膜层、牺牲膜层和电介质膜层，或所述膜层组件包括沿基板向上依次层叠的牺牲膜层、银膜层和电介质膜层，所述膜层组件还包括AgLa膜层，所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间；或所述AgLa膜层层叠在银膜层下面；或所述AgLa膜层层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间，同时所述AgLa
一种薄膜器件

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020391704.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括AgGd膜层和Zn膜层，AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间；或Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间；或AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间。
一种薄膜器件

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020392034.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向上依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括锌锡氧化物膜层和AgTi膜层，锌锡氧化物膜层和AgTi膜层层叠在牺牲膜层上面；或锌锡氧化物膜层和AgTi膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间；或锌锡氧化物膜层和AgTi膜层层叠在牺牲膜层上面，同时锌锡氧化物膜层和/或AgTi膜层还层叠在银膜层与电介质膜层之间。
一种薄膜器件

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020392450.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括Nb膜层和GaNb膜层，Nb膜层和GaNb膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间或银膜层与电介质膜层之间；或Nb膜层和GaNb膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时Nb膜层和/或GaNb膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间
一种薄膜器件

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020393131.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括BiMg膜层和AgZr膜层，BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间或银膜层与电介质膜层之间；或BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时BiMg膜层和/或AgZr膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间。
一种薄膜器件

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN202010472363.0有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理。制造可见光谱光学部件的方法包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]布线基板、布线基板的制造方法和半导体器件-CN03131166.0无效
发明人：内海茂;藤岡弘文;岡诚次;鹤瀬英纪;加瀬泰一;村木健志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：1具备：具有第1基板102和第1电极103的第1导电部形成基板104；具有第2基板105和第2电极106的第2导电部形成基板107；以及在第1导电部形成基板104与第2导电部形成基板107之间被夹住的电介质部电介质部2具有在热压接时不熔融的电介质膜3和在此时熔融的粘接绝缘部4。对电介质膜3的表面进行了使润湿性提高的处理，在热压接时熔融了的粘接绝缘部4容易与电介质膜3密接。在第1电极103与第2电极106之间介入电介质膜3，可使其间的距离为恒定。
布线制造方法半导体器件

[发明专利]布线基板和半导体器件-CN200510137501.5无效
发明人：内海茂;藤岡弘文;岡诚次;鹤瀬英纪;加瀬泰一;村木健志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：1具备：具有第1基板102和第1电极103的第1导电部形成基板104；具有第2基板105和第2电极106的第2导电部形成基板107；以及在第1导电部形成基板104与第2导电部形成基板107之间被夹住的电介质部电介质部2具有在热压接时不熔融的电介质膜3和在此时熔融的粘接绝缘部4。对电介质膜3的表面进行了使润湿性提高的处理，在热压接时熔融了的粘接绝缘部4容易与电介质膜3密接。在第1电极103与第2电极106之间介入电介质膜3，可使其间的距离为恒定。
布线半导体器件

[发明专利]电极形成膜及利用其的薄膜电容器-CN201610165326.9在审
发明人：吴英宙;李洙徽;赵映俊 -专利权人：三和电容器株式会社
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及电极形成膜及利用其的薄膜电容器，电极形成膜包括：电介质膜；电极头部，形成于电介质膜的上部面；第一公用电极，与电极头部相连接地形成于电介质膜的上部面；多个第一分割电极，朝向第一方向与第一公用电极隔开且朝向第二方向相隔开而形成于电介质膜的上部面；第二公用电极，朝向第一方向与多个第一分割电极隔开而形成于电介质膜的上部面；多个第二分割电极，朝向第一方向与第二公用电极隔开且朝向第二方向相隔开而形成于电介质膜的上部面；多个第一熔断器部，形成于第一公用电极与多个第一分割电极之间
电极形成利用薄膜电容器

[发明专利]用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜-CN201210057487.8有效
发明人：黄仁安;张启新;杨仁盛;林大为;罗仕豪;叶志扬;林慧雯;高荣辉;涂元添;林焕哲;彭治棠;郑培仁;杨宝如;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。
用于金属栅极器件对准绝缘